RF PECVD steht für Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition. Es handelt sich um eine bewährte Methode zur Abscheidung dünner Filme auf flachen Substraten, die in der Standard-Silizium-Technologie für integrierte Schaltkreise verwendet wird. Das RF-PECVD-Verfahren ist kostengünstig und hocheffizient. Das Wachstum des Films ist auf die Aktivierung von Gasphasenvorläufern in einer Plasmaumgebung zurückzuführen. Über und am Substrat finden durch das Plasma aktivierte chemische Reaktionen statt. RF PECVD ist in der Lage, Materialien wie Siliziumkarbid abzuscheiden und kann zum Beschichten von Objekten mit unterschiedlichen Formen verwendet werden.
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RF pecvd
RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung
Artikelnummer : KT-RFPE
Ultrahochtemperatur-Graphitisierungsofen
Artikelnummer : GF-09
Artikelnummer : cvdm-05
Artikelnummer : MP-CVD-101
Ziehdüse mit Nano-Diamantbeschichtung, HFCVD-Ausrüstung
Artikelnummer : MP-CVD-100
CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation CVD-Maschine
Artikelnummer : KT-CTF12
Glockenglas-Resonator-MPCVD-Maschine für Labor- und Diamantwachstum
Artikelnummer : KTMP315
Zylindrischer Resonator MPCVD-Diamant-Maschine für Labor-Diamant Wachstum
Artikelnummer : KTWB315
Spark-Plasma-Sinterofen SPS-Ofen
Artikelnummer : KTSP
Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)
Artikelnummer : KT-PED
Schräge Rotationsrohrofenmaschine für plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD).
Artikelnummer : KT-PE16
Schiebe-PECVD-Rohrofen mit Flüssigvergaser-PECVD-Maschine
Artikelnummer : KT-PE12
Vom Kunden gefertigte, vielseitige CVD-Rohrofen-CVD-Maschine
Artikelnummer : KT-CTF16
Hochreines Silizium (Si)-Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat
Artikelnummer : LM-SI
Siliziumkarbid (SiC) Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat
Artikelnummer : LM-SiC
Artikelnummer : KME07
Elektronenstrahlverdampfungs-Graphittiegel
Artikelnummer : KMS02
Sauerstofffreier Kupfertiegel mit Elektronenstrahlverdampfungsbeschichtung
Artikelnummer : KMS06
Siliziumkarbid (SIC) Keramische Platten, verschleißfest
Artikelnummer : KM-DG02
Siliziumkarbid (SIC)-Keramikplatte
Artikelnummer : KM-DG03
Reinigungsgestell für leitfähiges PTFE-Glassubstrat
Artikelnummer : PTFE-03
Fordern Sie Ihr individuelles Angebot an 👋
Holen Sie sich jetzt Ihr Angebot! Eine Nachricht hinterlassen Schnell Angebot einholen Via WhatsappWir haben die besten RF-PECVD-Lösungen für Ihre Laboranforderungen. Unser umfangreiches Portfolio bietet eine Reihe von Standardlösungen, die für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Für einzigartigere Anforderungen kann unser maßgeschneiderter Designservice eine Lösung maßgeschneidert nach Ihren Vorgaben erstellen.
Anwendungen von RF PECVD
- Herstellung von Filmen mit abgestuftem Brechungsindex
- Abscheidung eines Stapels von Nanofilmen mit unterschiedlichen Eigenschaften
- Beschichten komplexer Formen mit einem gleichmäßigen Siliziumkarbidfilm
- Herstellung vertikaler Graphenmaterialien mit einzigartigen Mikrostrukturen
- Erzeugung polykristalliner Filme auf einem Substrat
- Kostengünstige Folienherstellung
- Hohe Effizienz der Abscheidung
- Bildung hochwertiger dünner Filme bei niedrigen Temperaturen
- Herstellung von Silizium-Dünnfilmen
- Abscheidung dünner Filme auf im Plasmareaktor erhöhten Substraten
Vorteile von RF PECVD
- Kurze Vorbereitungszeit
- Kontrollierbarer Prozess
- Kostengünstig
- Möglichkeit zur großflächigen Abscheidung
- Umweltfreundliche Technologie
- Möglichkeit zur Anpassung der Kohlenstoffquelle und des Trägergases an die gewünschten Eigenschaften
- Kann zur Abscheidung auf Substraten mit komplexen Formen und erhöhten Oberflächen verwendet werden
- Möglichkeit der kostengünstigen Folienherstellung
- Hohe Effizienz der Abscheidung
- Materialien können als Filme mit abgestuftem Brechungsindex oder als Stapel von Nanofilmen mit jeweils unterschiedlichen Eigenschaften abgeschieden werden
Unsere RF-PECVD-Technologie ist die perfekte Lösung für alle, die effiziente, kostengünstige und anpassbare Laborgeräte benötigen. Aufgrund seiner kurzen Vorbereitungszeit und kontrollierbaren Funktionen ist RF PECVD die bevorzugte Wahl für diejenigen, die hochwertige vertikale Graphenmaterialien benötigen. Unsere umfangreiche Produktpalette stellt sicher, dass wir eine Standardlösung haben, die Ihren Anforderungen entspricht, und unser maßgeschneiderter Designservice ermöglicht es uns, auf Ihre spezifischen Anforderungen einzugehen.
FAQ
Was ist RF-PECVD?
RF PECVD steht für „Radio-Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition“. Hierbei handelt es sich um eine Technik zur Herstellung polykristalliner Filme auf einem Substrat, bei der Glimmentladungsplasma zur Beeinflussung des Prozesses eingesetzt wird, während die chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck stattfindet. Das RF-PECVD-Verfahren ist für die Standard-Silizium-IC-Technologie gut etabliert, bei der typischerweise flache Wafer als Substrate verwendet werden. Diese Methode ist aufgrund der Möglichkeit einer kostengünstigen Filmherstellung und der hohen Effizienz der Abscheidung vorteilhaft. Materialien können auch als Filme mit abgestuftem Brechungsindex oder als Stapel von Nanofilmen mit jeweils unterschiedlichen Eigenschaften abgeschieden werden.
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