Metallsputtern ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Metallschichten auf ein Substrat.
Dabei wird ein hohes elektrisches Feld um ein Ausgangsmaterial, das so genannte Target, erzeugt und dieses Feld zur Erzeugung eines Plasmas genutzt.
Das Plasma entfernt Atome aus dem Targetmaterial, die dann auf dem Substrat abgeschieden werden.
7 wichtige Punkte zum Verständnis dieses Prozesses
1. Gasplasma-Entladung
Beim Sputtern wird eine Gasplasmaentladung zwischen zwei Elektroden erzeugt: der Kathode, die aus dem Targetmaterial besteht, und der Anode, die das Substrat darstellt.
2. Ionisierungsprozess
Die Plasmaentladung bewirkt, dass die Gasatome ionisiert werden und positiv geladene Ionen bilden.
3. Beschleunigung der Ionen
Diese Ionen werden dann in Richtung des Zielmaterials beschleunigt, wo sie mit genügend Energie auftreffen, um Atome oder Moleküle aus dem Ziel zu lösen.
4. Bildung eines Dampfstroms
Das herausgelöste Material bildet einen Dampfstrom, der durch die Vakuumkammer wandert und schließlich das Substrat erreicht.
5. Abscheidung eines dünnen Films
Wenn der Dampfstrom auf das Substrat trifft, bleiben die Atome oder Moleküle des Zielmaterials daran haften und bilden einen dünnen Film oder eine Beschichtung.
6. Vielseitigkeit des Sputterns
Sputtern ist ein vielseitiges Verfahren, das zur Abscheidung von Schichten aus leitenden oder isolierenden Materialien eingesetzt werden kann.
7. Anwendungen in verschiedenen Branchen
Mit diesem Verfahren können Beschichtungen von sehr hoher chemischer Reinheit auf praktisch jedem Substrat abgeschieden werden. Dadurch eignet sich das Sputtern für eine breite Palette von Anwendungen in Branchen wie der Halbleiterverarbeitung, der Präzisionsoptik und der Oberflächenbearbeitung.
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