Der Strom der Sputter-Ionen in einem Sputterverfahren wird durch die angelegte Spannung und die Art der Sputtertechnik bestimmt. Beim DC-Diodensputtern wird eine Gleichspannung von 500 - 1000 V angelegt, die ein Argon-Niederdruckplasma zwischen einem Target und einem Substrat zündet. Positive Argon-Ionen werden dann durch diese Spannung auf das Target beschleunigt, wodurch Atome aus dem Target herausgeschleudert und auf dem Substrat abgeschieden werden.
Beim RF-Sputtern wird ein Wechselstrom mit Frequenzen um 14 MHz verwendet. Dies ermöglicht das Sputtern von isolierenden Materialien, da die Elektronen so beschleunigt werden können, dass sie mit dem RF-Strom schwingen, während die schwereren Ionen nur auf die im RF-System erzeugte Durchschnittsspannung reagieren. Die Ionen werden durch die Selbstvorspannung (VDC) beeinflusst, die sie auf das Target beschleunigt und die der beim Gleichstromsputtern angelegten Spannung nahe kommt.
Der Strom der Sputter-Ionen steht in direktem Zusammenhang mit der angelegten Spannung und der Art der Sputtertechnik. Beim DC-Diodensputtern wird der Strom durch die 500-1000 V Gleichspannung bestimmt, während beim RF-Sputtern der Strom durch die Selbstvorspannung (VDC) bestimmt wird, die die Ionen auf das Target beschleunigt.
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