CVD- und PECVD-Ofen
RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung
Artikelnummer : KT-RFPE
Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen
- Frequenz
- RF-Frequenz 13,56MHZ
- Temperatur der Heizung
- maximal 200°C
- Abmessungen der Vakuumkammer
- Ф420mm × 400 mm
Versand:
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Die plasmagestützte chemische Abscheidung aus der Gasphase (RF PECVD) ist ein Dünnschichtverfahren, bei dem Plasma zur Verbesserung der chemischen Abscheidung aus der Gasphase eingesetzt wird. Dieses Verfahren wird für die Abscheidung einer Vielzahl von Materialien verwendet, darunter Metalle, Dielektrika und Halbleiter. RF-PECVD ist ein vielseitiges Verfahren, mit dem sich Schichten mit einer Vielzahl von Eigenschaften abscheiden lassen, darunter Dicke, Zusammensetzung und Morphologie.
Anwendungen
RF-PECVD, ein revolutionäres Verfahren im Bereich der Dünnschichtabscheidung, findet in verschiedenen Branchen breite Anwendung, darunter
- Herstellung von optischen Komponenten und Geräten
- Herstellung von Halbleiterbauelementen
- Herstellung von Schutzschichten
- Entwicklung von Mikroelektronik und MEMS
- Synthese von neuartigen Materialien
Komponenten und Funktionen
Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (RF PECVD) ist eine Technik zur Abscheidung dünner Schichten auf Substraten, bei der ein Hochfrequenzgenerator ein Plasma erzeugt, das Vorläufergase ionisiert. Die ionisierten Gase reagieren miteinander und lagern sich auf dem Substrat ab, wodurch eine dünne Schicht entsteht. RF-PECVD wird üblicherweise zur Abscheidung von diamantähnlichen Kohlenstoffschichten (DLC) auf Germanium- und Siliziumsubstraten für Anwendungen im infraroten Wellenlängenbereich von 3-12 um verwendet.
Das Gerät besteht aus einer Vakuumkammer, einem Vakuumpumpsystem, Kathoden- und Anodentargets, einer HF-Quelle, einem aufblasbaren Gasmischsystem, einem Computer-Steuerschrank-System und vielem mehr und ermöglicht eine nahtlose Ein-Knopf-Beschichtung, Prozessspeicherung und -abruf, Alarmfunktionen, Signal- und Ventilschaltungen sowie eine umfassende Protokollierung des Prozessablaufs.
Details und Beispiele
Merkmale
RF-PECVD System Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Merkmale:
- Ein-Knopf-Beschichtung: Vereinfacht den Beschichtungsprozess und macht ihn für den Benutzer leicht bedienbar.
- Speicherung und Abruf von Prozessen: Ermöglicht dem Benutzer das Speichern und Abrufen von Prozessparametern, um konsistente Ergebnisse zu gewährleisten.
- Alarmfunktionen: Warnt den Benutzer bei Problemen oder Fehlern während des Beschichtungsprozesses und minimiert so die Ausfallzeiten.
- Signal- und Ventilumschaltung: Ermöglicht eine präzise Steuerung des Beschichtungsprozesses, so dass der Benutzer die gewünschten Ergebnisse erzielen kann.
- Umfassende Protokollierung der Prozessabläufe: Zeichnet alle Prozessparameter auf, so dass der Beschichtungsprozess leicht verfolgt und analysiert werden kann.
- Vakuumkammer, Vakuumpumpsystem, Kathoden- und Anodentargets, RF-Quelle, aufblasbares Gasmischsystem, Computer-Steuerschrank-System: Gewährleistet eine stabile und kontrollierte Umgebung für den Beschichtungsprozess.
Vorteile
- Hochwertige Schichtabscheidung bei niedriger Temperatur, geeignet für temperaturempfindliche Substrate.
- Präzise Kontrolle über Schichtdicke und Zusammensetzung.
- Gleichmäßige und konforme Schichtabscheidung auf komplexen Geometrien.
- Geringe Partikelverunreinigung und hochreine Schichten.
- Skalierbares und kostengünstiges Verfahren für die Großserienproduktion.
- Umweltfreundliches Verfahren mit minimalem Anfall von Sondermüll.
Technische Daten
Hauptteil der Ausrüstung
Form der Anlage |
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Vakuumkammer |
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Grundgerüst |
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Wasser-Kühlsystem |
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Schaltschrank |
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Vakuum-System
Endvakuum |
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Zeit zur Wiederherstellung des Vakuums |
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Druckanstiegsrate |
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Konfiguration des Vakuumsystems |
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Messung des Vakuumsystems |
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Betrieb des Vakuumsystems | Es gibt zwei Modi der manuellen und automatischen Vakuumauswahl;
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Wenn das Vakuum anormal ist oder der Strom abgeschaltet wird, sollte die Molekularpumpe des Vakuumventils in den geschlossenen Zustand zurückkehren. Das Vakuumventil ist mit einer Verriegelungsschutzfunktion ausgestattet, und der Lufteinlass jedes Zylinders ist mit einer Absperrventil-Einstellvorrichtung ausgestattet, und es gibt eine Position, die den Sensor zur Anzeige des geschlossenen Zustands des Zylinders einstellt; |
|
Gemäß den allgemeinen technischen Bedingungen der GB11164-Vakuum-Beschichtungsmaschine.
- Heizsystem
- Heizmethode: Jod-Wolfram-Lampe Heizmethode;
- Leistungsregler: digitaler Leistungsregler;
- Heiztemperatur: Höchsttemperatur 200°C, Leistung 2000W/220V, kontrollierbares und einstellbares Display, ±2°C Regelung;
Anschlussmethode: schnelles Einstecken und schnelles Herausziehen, Metallabschirmung zum Schutz vor Verschmutzung und isolierte Stromversorgungsquelle, um die Sicherheit des Personals zu gewährleisten.
- RF Hochfrequenz-Stromversorgung
- Frequenz: RF-Frequenz 13,56MHZ;
- Leistung: 0-2000W stufenlos einstellbar;
- Funktion: vollautomatische Einstellung der Impedanzanpassungsfunktion, vollautomatische Einstellung, um die Reflexionsfunktion sehr niedrig zu halten, interne Reflexion innerhalb von 0,5%, mit manueller und automatischer Anpassungsfunktion der Konvertierung;
Anzeige: mit Vorspannung, CT-Kondensatorposition, RT-Kondensatorposition, eingestellter Leistung, Reflexionsfunktionsanzeige, mit Kommunikationsfunktion, Kommunikation mit Touchscreen, Einstellung und Anzeige von Parametern über Konfigurationssoftware, Tune-Line-Anzeige usw.
- Kathoden-Anoden-Target
- Anoden-Target: φ300mm Kupfersubstrat wird als Kathoden-Target verwendet, die Temperatur ist niedrig, wenn die Arbeit, und kein Kühlwasser benötigt wird;
Kathoden-Target: φ200mm Kupfer wassergekühlt Kathoden-Target, die Temperatur ist hoch, wenn die Arbeit, und das Innere ist Wasser gekühlt, um eine gleichmäßige Temperatur während der Arbeit zu gewährleisten, ist der maximale Abstand zwischen der Anode und der Kathode Ziel 100-250mm.
- Kontrolle der Inflation
- Durchflussmesser: Vier-Wege-Britisch-Durchflussmesser verwendet wird, ist die Durchflussmenge 0-200SCCM, mit Druckanzeige, Kommunikation Einstellungsparameter, und Gas-Typ eingestellt werden kann;
- Absperrventil: Qixing Huachuang DJ2C-VUG6 Absperrventil, arbeitet mit dem Durchflussmesser, mischt das Gas, füllt es in die Kammer durch die ringförmige Inflation Gerät, und fließt gleichmäßig durch die Zielfläche;
- Vorstufen-Gasspeicherflasche: hauptsächlich eine Spülumwandlungsflasche, die die C4H10-Flüssigkeit verdampft und dann in die Vorstufen-Rohrleitung des Durchflussmessers eintritt. Die Gasspeicherflasche verfügt über ein DSP-Instrument mit digitaler Druckanzeige, das bei Über- und Unterdruck Alarmmeldungen auslöst;
- Pufferflasche für gemischtes Gas: Die Pufferflasche wird in der letzten Stufe mit vier Gasen gemischt. Nach dem Mischen wird das Gas aus der Pufferflasche bis zum Boden der Kammer und bis zum oberen Ende der Kammer ausgegeben, wobei eine der beiden Flaschen unabhängig voneinander geschlossen werden kann;
Aufblasvorrichtung: die einheitliche Gasleitung am Ausgang des Gaskreislaufs des Kammerkörpers, die gleichmäßig auf die Zieloberfläche aufgebracht wird, um die Beschichtung gleichmäßiger zu machen, ist besser.
- Steuerungssystem
- Touchscreen: TPC1570GI Touchscreen als Host-Computer + Tastatur und Maus;
- Steuersoftware: tabellarische Prozessparameter-Einstellung, Alarm-Parameter-Anzeige, Vakuum-Parameter-Anzeige und Kurven-Anzeige, RF-Stromversorgung und DC-Gleichstrom-Stromversorgung Parameter-Einstellung und Anzeige, alle Ventil und Schalter arbeiten Zustand Datensätze, Prozess-Datensätze, Alarm-Datensätze, Vakuum-Datensatz-Parameter, kann für etwa ein halbes Jahr gespeichert werden, und der Prozess Betrieb der gesamten Anlage ist in 1 Sekunde, um die Parameter zu speichern;
- SPS: Omron PLC wird als unterer Computer verwendet, um Daten von verschiedenen Komponenten und Positionsschaltern, Steuerventilen und verschiedenen Komponenten zu sammeln, und dann Dateninteraktion, Anzeige und Steuerung mit Konfigurationssoftware durchzuführen. Dies ist sicherer und zuverlässiger;
- Kontrollstatus: Ein-Knopf-Beschichtung, automatisches Vakuum, automatisches konstantes Vakuum, automatisches Aufheizen, automatischer Mehrschichtprozess, automatischer Abschluss der Abholung und andere Arbeiten;
Vorteile von Touchscreen: Touchscreen-Steuersoftware kann nicht geändert werden, stabiler Betrieb ist bequemer und flexibler, aber die Menge der gespeicherten Daten ist begrenzt, Parameter können direkt exportiert werden, und wenn es ein Problem mit dem Prozess; 6. Die gespeicherten Daten können jederzeit abgefragt und abgerufen werden.
- Konstantes Vakuum
- Drosselklappe mit konstantem Vakuum: Die DN80-Drosselklappe arbeitet mit dem kapazitiven Filmmessgerät CDG025 von Inficon zusammen, um ein konstantes Vakuum zu erzeugen. Der Nachteil ist, dass der Ventilanschluss leicht verschmutzt werden kann und schwer zu reinigen ist;
Ventilstellungsmodus: Stellen Sie den Positionskontrollmodus ein.
- Wasser, Strom, Gas
- Die Hauptein- und -auslassleitungen sind aus rostfreiem Stahl gefertigt und mit Notwassereinlässen ausgestattet;
- Alle wassergekühlten Rohre außerhalb der Vakuumkammer sind mit Schnellwechselverbindungen aus rostfreiem Stahl und Hochdruck-Kunststoffrohren ausgestattet (hochwertige Wasserrohre, die lange Zeit verwendet werden können, ohne undicht zu werden oder zu brechen), und die Wassereinlass- und -auslass-Hochdruck-Wasserrohre aus Kunststoff sollten in zwei verschiedenen Farben dargestellt und entsprechend gekennzeichnet sein; Marke Airtek;
- Alle wassergekühlten Rohre im Inneren der Vakuumkammer sind aus hochwertigem SUS304-Material gefertigt;
- Die Wasser- und Gaskreisläufe sind jeweils mit sicheren und zuverlässigen, hochpräzisen Anzeigeinstrumenten für Wasserdruck und Luftdruck ausgestattet.
- Ausgestattet mit einem 8P-Kühler für den Wasserfluss der Kohlenstoff-Filmmaschine.
Ausgestattet mit einem Satz von 6KW Heißwassermaschine, wenn die Tür geöffnet wird, fließt heißes Wasser durch den Raum.
- Anforderungen an den Sicherheitsschutz
- Die Maschine ist mit einer Alarmvorrichtung ausgestattet;
- Wenn der Wasser- oder Luftdruck nicht die angegebene Durchflussmenge erreicht, sind alle Vakuumpumpen und -ventile geschützt und können nicht gestartet werden; es ertönt ein Alarmton und eine rote Signallampe leuchtet auf;
- Wenn die Maschine im normalen Betrieb ist und der Wasser- oder Luftdruck plötzlich nicht mehr ausreicht, werden alle Ventile automatisch geschlossen, und ein Alarmton und eine rote Signallampe erscheinen;
- Bei einer Störung des Betriebssystems (Hochspannung, Ionenquelle, Kontrollsystem) ertönt ein Alarmton und eine rote Signallampe leuchtet auf;
Die Hochspannung wird eingeschaltet, und es gibt eine Schutzalarmvorrichtung.
- Anforderungen an die Arbeitsumgebung
- Umgebungstemperatur: 10~35℃;
- Relative Luftfeuchtigkeit: nicht mehr als 80%;
Die Umgebung des Geräts ist sauber und die Luft ist rein. Es sollte kein Staub oder Gas vorhanden sein, das die Korrosion von elektrischen Geräten und anderen Metalloberflächen oder die elektrische Leitung zwischen Metallen verursachen kann.
- Leistungsbedarf der Geräte
- Wasserquelle: industrielles Weichwasser, Wasserdruck 0,2~0,3Mpa, Wassermenge~60L/min , Wassereinlasstemperatur≤25°C; Wasserleitungsanschluss 1,5 Zoll;
- Luftquelle: Luftdruck 0,6MPa;
- Stromversorgung: dreiphasiges Fünf-Leiter-System 380V, 50Hz, Spannungsschwankungsbereich: Netzspannung 342 ~ 399V, Phasenspannung 198 ~ 231V; Frequenzschwankungsbereich: 49 ~ 51Hz; Leistungsaufnahme des Geräts: ~ 16KW; Erdungswiderstand ≤ 1Ω;
Warnungen
Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.
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KinTek bietet umfassenden, maßgeschneiderten Service und Ausrüstung für Kunden auf der ganzen Welt. Unsere spezialisierte Teamarbeit und unsere erfahrenen Ingenieure sind in der Lage, die kundenspezifischen Hardware- und Software-Ausrüstungsanforderungen zu erfüllen und unseren Kunden beim Aufbau der exklusiven und personalisierten Ausrüstung und Lösung zu helfen!
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FAQ
Was Ist Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)?
Was Ist Ein CVD-Ofen?
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.
Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.
Was Ist RF-PECVD?
Was Ist Die PECVD-Methode?
Mit Welchen Methoden Werden Dünne Schichten Abgeschieden?
Was Ist Magnetronsputtern?
Was Ist Mpcvd?
Wie Funktioniert Ein CVD-Ofen?
Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.
Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.
Was Ist Ein Sputtertarget?
Wofür Wird PECVD Verwendet?
Was Ist Eine Anlage Zur Dünnschichtabscheidung?
Warum Magnetronsputtern?
PACVD Ist PECVD?
Was Ist Eine Mpcvd-Maschine?
Welches Gas Wird Im CVD-Prozess Verwendet?
Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.
Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.
Was Ist Das Grundprinzip Von CVD?
Wie Werden Sputtertargets Hergestellt?
Was Sind Die Vorteile Von PECVD?
Was Ist Die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?
Welche Materialien Werden Bei Der Dünnschichtabscheidung Verwendet?
Bei der Dünnschichtabscheidung werden üblicherweise Metalle, Oxide und Verbindungen als Materialien verwendet, von denen jedes seine eigenen Vor- und Nachteile hat. Metalle werden aufgrund ihrer Haltbarkeit und einfachen Abscheidung bevorzugt, sind jedoch relativ teuer. Oxide sind sehr langlebig, halten hohen Temperaturen stand und können bei niedrigen Temperaturen abgeschieden werden, können jedoch spröde und schwierig zu verarbeiten sein. Verbindungen bieten Festigkeit und Haltbarkeit, können bei niedrigen Temperaturen aufgetragen und auf bestimmte Eigenschaften zugeschnitten werden.
Die Auswahl des Materials für eine Dünnfilmbeschichtung hängt von den Anwendungsanforderungen ab. Metalle sind ideal für die thermische und elektrische Leitung, während Oxide einen wirksamen Schutz bieten. Die Verbindungen können individuell auf die jeweiligen Anforderungen zugeschnitten werden. Letztendlich hängt das beste Material für ein bestimmtes Projekt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab.
Was Sind Die Vorteile Von Mpcvd?
Was Ist Der Vorteil Des CVD-Systems?
- Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
- Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
- Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
- Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
- Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
- Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
- Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten
Welche Verschiedenen Arten Von CVD-Methoden Gibt Es?
Wofür Wird Ein Sputtertarget Verwendet?
Was Ist Der Unterschied Zwischen ALD Und PECVD?
Welche Methoden Gibt Es, Um Eine Optimale Dünnschichtabscheidung Zu Erreichen?
Um dünne Filme mit den gewünschten Eigenschaften zu erzielen, sind hochwertige Sputtertargets und Verdampfungsmaterialien unerlässlich. Die Qualität dieser Materialien kann durch verschiedene Faktoren wie Reinheit, Korngröße und Oberflächenbeschaffenheit beeinflusst werden.
Die Reinheit von Sputtertargets oder Verdampfungsmaterialien spielt eine entscheidende Rolle, da Verunreinigungen zu Defekten im resultierenden Dünnfilm führen können. Auch die Korngröße beeinflusst die Qualität des dünnen Films, wobei größere Körner zu schlechten Filmeigenschaften führen. Darüber hinaus ist die Oberflächenbeschaffenheit von entscheidender Bedeutung, da raue Oberflächen zu Defekten in der Folie führen können.
Um Sputtertargets und Verdampfungsmaterialien von höchster Qualität zu erhalten, ist es entscheidend, Materialien auszuwählen, die eine hohe Reinheit, kleine Korngröße und glatte Oberflächen aufweisen.
Verwendungsmöglichkeiten Der Dünnschichtabscheidung
Dünnfilme auf Zinkoxidbasis
ZnO-Dünnfilme finden in verschiedenen Branchen Anwendung, beispielsweise in der thermischen, optischen, magnetischen und elektrischen Industrie. Ihre Hauptanwendung liegt jedoch in Beschichtungen und Halbleiterbauelementen.
Dünnschichtwiderstände
Dünnschichtwiderstände sind für die moderne Technologie von entscheidender Bedeutung und werden in Funkempfängern, Leiterplatten, Computern, Hochfrequenzgeräten, Monitoren, WLAN-Routern, Bluetooth-Modulen und Mobiltelefonempfängern verwendet.
Magnetische Dünnfilme
Magnetische Dünnfilme werden in der Elektronik, Datenspeicherung, Radiofrequenzidentifikation, Mikrowellengeräten, Displays, Leiterplatten und Optoelektronik als Schlüsselkomponenten eingesetzt.
Optische Dünnfilme
Optische Beschichtungen und Optoelektronik sind Standardanwendungen optischer Dünnschichten. Durch Molekularstrahlepitaxie können optoelektronische Dünnschichtbauelemente (Halbleiter) hergestellt werden, bei denen epitaktische Filme Atom für Atom auf dem Substrat abgeschieden werden.
Polymer-Dünnfilme
Polymerdünnfilme werden in Speicherchips, Solarzellen und elektronischen Geräten verwendet. Chemische Abscheidungstechniken (CVD) ermöglichen eine präzise Kontrolle von Polymerfilmbeschichtungen, einschließlich Konformität und Beschichtungsdicke.
Dünnschichtbatterien
Dünnschichtbatterien versorgen elektronische Geräte wie implantierbare medizinische Geräte mit Strom, und die Lithium-Ionen-Batterie hat dank der Verwendung dünner Schichten erhebliche Fortschritte gemacht.
Dünnschichtbeschichtungen
Dünnschichtbeschichtungen verbessern die chemischen und mechanischen Eigenschaften von Zielmaterialien in verschiedenen Industrien und Technologiebereichen. Gängige Beispiele sind Antireflexbeschichtungen, Anti-Ultraviolett- oder Anti-Infrarot-Beschichtungen, Anti-Kratz-Beschichtungen und Linsenpolarisation.
Dünnschichtsolarzellen
Dünnschichtsolarzellen sind für die Solarenergieindustrie unverzichtbar und ermöglichen die Produktion relativ günstiger und sauberer Elektrizität. Photovoltaikanlagen und Wärmeenergie sind die beiden wichtigsten anwendbaren Technologien.
Sind CVD-Diamanten Echt Oder Gefälscht?
Wofür Steht PECVD?
PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.
Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.
Was Sind Sputtertargets Für Die Elektronik?
Was Ist Der Unterschied Zwischen PECVD Und Sputtern?
Faktoren Und Parameter, Die Die Abscheidung Dünner Schichten Beeinflussen
Abscheidungsrate:
Die Geschwindigkeit, mit der die Folie produziert wird, typischerweise gemessen in Dicke dividiert durch Zeit, ist entscheidend für die Auswahl einer für die Anwendung geeigneten Technologie. Für dünne Filme genügen mäßige Abscheideraten, für dicke Filme sind schnelle Abscheideraten erforderlich. Es ist wichtig, ein Gleichgewicht zwischen Geschwindigkeit und präziser Filmdickensteuerung zu finden.
Gleichmäßigkeit:
Die Konsistenz des Films über das Substrat wird als Gleichmäßigkeit bezeichnet, die sich normalerweise auf die Filmdicke bezieht, sich aber auch auf andere Eigenschaften wie den Brechungsindex beziehen kann. Es ist wichtig, die Anwendung gut zu verstehen, um eine Unter- oder Überspezifikation der Einheitlichkeit zu vermeiden.
Füllfähigkeit:
Die Füllfähigkeit oder Stufenabdeckung bezieht sich darauf, wie gut der Abscheidungsprozess die Topographie des Substrats abdeckt. Die verwendete Abscheidungsmethode (z. B. CVD, PVD, IBD oder ALD) hat einen erheblichen Einfluss auf die Stufenabdeckung und -füllung.
Filmeigenschaften:
Die Eigenschaften des Films hängen von den Anforderungen der Anwendung ab, die in photonische, optische, elektronische, mechanische oder chemische Anforderungen eingeteilt werden können. Die meisten Filme müssen Anforderungen in mehr als einer Kategorie erfüllen.
Prozesstemperatur:
Die Filmeigenschaften werden erheblich von der Prozesstemperatur beeinflusst, die durch die Anwendung eingeschränkt sein kann.
Schaden:
Jede Abscheidungstechnologie birgt das Potenzial, das Material, auf dem sie abgeschieden wird, zu beschädigen, wobei kleinere Strukturen anfälliger für Prozessschäden sind. Zu den potenziellen Schadensquellen zählen Umweltverschmutzung, UV-Strahlung und Ionenbeschuss. Es ist wichtig, die Grenzen der Materialien und Werkzeuge zu verstehen.
Was Ist Der Unterschied Zwischen CVD Und PECVD?
Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.
Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.
Wie Hoch Ist Die Lebensdauer Eines Sputtertargets?
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Die vollautomatische Laborkleber-Dosiermaschine mit 4-Zoll-Hohlraum aus Aluminiumlegierung ist ein kompaktes und korrosionsbeständiges Gerät, das für den Laborgebrauch entwickelt wurde. Es verfügt über eine transparente Abdeckung mit konstanter Drehmomentpositionierung, einen integrierten Hohlraum zum Öffnen der Form für eine einfache Demontage und Reinigung sowie eine farbige Gesichtsmaskentaste mit LCD-Textanzeige für eine einfache Bedienung.
Glockenglas-Resonator-MPCVD-Maschine für Labor- und Diamantwachstum
Erhalten Sie hochwertige Diamantfilme mit unserer Bell-jar-Resonator-MPCVD-Maschine, die für Labor- und Diamantwachstum konzipiert ist. Entdecken Sie, wie die chemische Gasphasenabscheidung mit Mikrowellenplasma beim Züchten von Diamanten mithilfe von Kohlenstoffgas und Plasma funktioniert.
Vollautomatischer Laborhomogenisator mit 4-Zoll-Acrylhohlraum
Die vollautomatische Laborkleber-Dosiermaschine mit 4-Zoll-Acrylhohlraum ist eine kompakte, korrosionsbeständige und benutzerfreundliche Maschine, die für den Einsatz in Handschuhboxen konzipiert ist. Es verfügt über eine transparente Abdeckung mit konstanter Drehmomentpositionierung zur Kettenpositionierung, einen integrierten Hohlraum zum Öffnen der Form und eine farbige Gesichtsmaskentaste mit LCD-Textanzeige. Die Beschleunigungs- und Verzögerungsgeschwindigkeit ist steuerbar und einstellbar, und die Steuerung des mehrstufigen Programmablaufs kann eingestellt werden.
915MHz MPCVD-Diamant-Maschine und seine Multi-Kristall effektives Wachstum, die maximale Fläche kann 8 Zoll erreichen, die maximale effektive Wachstumsfläche von Einkristall kann 5 Zoll erreichen. Diese Ausrüstung wird hauptsächlich für die Produktion von großformatigen polykristallinen Diamantfilmen, das Wachstum von langen Einkristalldiamanten, das Niedertemperaturwachstum von hochwertigem Graphen und anderen Materialien verwendet, die Energie benötigen, die durch Mikrowellenplasma für das Wachstum bereitgestellt wird.
Sauerstofffreier Kupfertiegel mit Elektronenstrahlverdampfungsbeschichtung
Beim Einsatz von Elektronenstrahlverdampfungstechniken minimiert der Einsatz von sauerstofffreien Kupfertiegeln das Risiko einer Sauerstoffverunreinigung während des Verdampfungsprozesses.
Vom Kunden gefertigte, vielseitige CVD-Rohrofen-CVD-Maschine
Holen Sie sich Ihren exklusiven CVD-Ofen mit dem kundenspezifischen vielseitigen Ofen KT-CTF16. Anpassbare Schiebe-, Dreh- und Neigefunktionen für präzise Reaktionen. Jetzt bestellen!
4-Zoll-Edelstahlkammer, vollautomatischer Labor-Klebstoffhomogenisator
Der vollautomatische Labor-Klebstoffhomogenisator mit einer 4-Zoll-Edelstahlkammer ist ein kompaktes und korrosionsbeständiges Gerät, das für den Einsatz im Glove-Box-Betrieb konzipiert ist. Es verfügt über eine transparente Abdeckung mit konstanter Drehmomentpositionierung und einen integrierten Hohlraum zum Öffnen der Form für einfache Demontage, Reinigung und Austausch.
Spark-Plasma-Sinterofen SPS-Ofen
Entdecken Sie die Vorteile von Spark-Plasma-Sinteröfen für die schnelle Materialvorbereitung bei niedrigen Temperaturen. Gleichmäßige Erwärmung, niedrige Kosten und umweltfreundlich.
Bereiten Sie Proben effizient mit unserer 5T-Knopfbatteriepresse vor. Ideal für Materialforschungslabore und die Produktion im kleinen Maßstab. Geringer Platzbedarf, leicht und vakuumkompatibel.
CVD-Diamantbeschichtung: Überlegene Wärmeleitfähigkeit, Kristallqualität und Haftung für Schneidwerkzeuge, Reibung und akustische Anwendungen
Geteilte automatische beheizte Labor-Pelletpresse 30T / 40T
Entdecken Sie unsere geteilte automatische beheizte Laborpresse 30T/40T für die präzise Probenvorbereitung in der Materialforschung, Pharmazie, Keramik- und Elektronikindustrie. Mit einer kleinen Stellfläche und einer Heizleistung von bis zu 300°C ist sie perfekt für die Verarbeitung unter Vakuum geeignet.
Werten Sie Ihre elektrochemischen Experimente mit unserer Platin-Scheibenelektrode auf. Hochwertig und zuverlässig für genaue Ergebnisse.
Automatische beheizte Labor-Pelletpresse 25T / 30T / 50T
Mit unserer automatischen beheizten Laborpresse können Sie Ihre Proben effizient vorbereiten. Mit einem Druckbereich von bis zu 50 T und einer präzisen Steuerung ist sie perfekt für verschiedene Branchen geeignet.
Elektronenstrahlverdampfungs-Graphittiegel
Eine Technologie, die hauptsächlich im Bereich der Leistungselektronik eingesetzt wird. Dabei handelt es sich um eine Graphitfolie, die durch Materialabscheidung mittels Elektronenstrahltechnologie aus Kohlenstoffquellenmaterial hergestellt wird.
Geteilte elektrische Labor-Pelletpresse 40T / 65T / 100T / 150T / 200T
Effiziente Probenvorbereitung mit einer geteilten elektrischen Laborpresse - erhältlich in verschiedenen Größen und ideal für Materialforschung, Pharmazie und Keramik. Genießen Sie mehr Vielseitigkeit und höheren Druck mit dieser tragbaren und programmierbaren Option.
Automatische Labor-Pressmaschine für Pellets 20T / 30T / 40T / 60T / 100T
Erleben Sie eine effiziente Probenvorbereitung mit unserem Laborpressautomaten. Ideal für Materialforschung, Pharmazie, Keramik und mehr. Sie zeichnet sich durch ihre kompakte Größe und die hydraulische Pressfunktion mit Heizplatten aus. Erhältlich in verschiedenen Größen.
Integrierte manuelle beheizte Labor-Pelletpresse 120mm / 180mm / 200mm / 300mm
Mit unserer integrierten manuellen beheizten Laborpresse können Sie Proben effizient hitzegepresst verarbeiten. Mit einem Heizbereich von bis zu 500 °C ist sie perfekt für verschiedene Branchen geeignet.
Automatische kaltisostatische Laborpresse (CIP) 20T / 40T / 60T / 100T
Effiziente Probenvorbereitung mit unserer automatischen kaltisostatischen Laborpresse. Weit verbreitet in der Materialforschung, Pharmazie und Elektronikindustrie. Bietet im Vergleich zu elektrischen CIPs mehr Flexibilität und Kontrolle.
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