ALD kann aufgrund seines einzigartigen Prozesses und seiner Eigenschaften eine konforme Abscheidung erreichen.
Erstens beruht ALD auf selbstlimitierenden Reaktionen zwischen gasförmigen Reaktanten und der festen Oberfläche. Das bedeutet, dass die Reaktionen so gesteuert werden, dass jeweils nur eine Monoschicht des Materials abgeschieden wird. Die Reaktanten werden nacheinander in den Reaktor eingeführt und reagieren mit der Oberfläche, bis alle reaktiven Stellen besetzt sind. Durch diese Selbstbegrenzung wird sichergestellt, dass der Abscheidungsprozess gestoppt wird, sobald die Oberfläche vollständig bedeckt ist, was zu einer konformen Beschichtung führt.
Zweitens bietet ALD eine präzise Kontrolle der Schichtdicke auf der Ebene der Submonolagen. Die Reaktanten werden abwechselnd in die Kammer gepulst und sind nie gleichzeitig vorhanden. Dieses kontrollierte Pulsieren ermöglicht eine genaue Kontrolle der Dicke der abgeschiedenen Schicht. Durch Anpassung der Anzahl der Zyklen kann die Schichtdicke genau gesteuert werden, was eine gleichmäßige und konforme Abscheidung ermöglicht.
Drittens bietet ALD eine hervorragende Stufenbedeckung. Unter stufenweiser Beschichtung versteht man die Fähigkeit eines Abscheidungsverfahrens, Oberflächen mit komplexen Geometrien gleichmäßig zu beschichten, einschließlich Topographien mit hohem Aspektverhältnis und gekrümmten Oberflächen. ALD ist sehr effektiv bei der Beschichtung solcher Oberflächen, da es in der Lage ist, Filme gleichmäßig und konform abzuscheiden, sogar auf gekrümmten Substraten. Dadurch eignet sich ALD für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Halbleitertechnik, MEMS, Katalyse und Nanotechnologie.
Und schließlich gewährleistet ALD eine hohe Reproduzierbarkeit und Filmqualität. Die selbstbegrenzende und selbstorganisierende Natur des ALD-Mechanismus führt zu stöchiometrischer Kontrolle und inhärenter Filmqualität. Die genaue Kontrolle über den Abscheidungsprozess und die Verwendung reiner Substrate tragen zu den gewünschten Schichteigenschaften bei. Dies macht ALD zu einer zuverlässigen Methode für die Herstellung äußerst gleichmäßiger und konformer nano-dünner Schichten.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass ALD eine konforme Abscheidung durch selbstbegrenzende Reaktionen, eine präzise Kontrolle der Schichtdicke, eine hervorragende Stufenabdeckung und eine hohe Reproduzierbarkeit ermöglicht. Diese Eigenschaften machen ALD zu einer leistungsstarken Technik für die Abscheidung hochkonformer Schichten, selbst auf komplexen Geometrien und gekrümmten Oberflächen.
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