CVD- und PECVD-Ofen

Schräges Plasma-unterstütztes chemisches Gasphasenabscheidungs-PECVD-Röhrenofen-Gerät

Name: Schräges Plasma-unterstütztes chemisches Gasphasenabscheidungs-PECVD-Röhrenofen-Gerät
Brand: Kintek Solution
SKU: KT-PED
Rating: 4.81 (19 reviews)

Artikelnummer : KT-PED

Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen

Temperatur der Probenträgerheizung: ≤800℃
Gas-Spülkanäle: 4 Kanäle
Größe der Vakuumkammer: Φ500mm × 550 mm

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Einleitung

Die Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist ein Vakuum-Dünnschichtabscheidungsprozess, der Dämpfe oder Gase als Vorläufer zur Erzeugung einer Beschichtung verwendet. PECVD ist eine Variante der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), die Plasma anstelle von Wärme zur Aktivierung des Quellgases oder -dampfes nutzt. Da hohe Temperaturen vermieden werden können, erweitert sich der Bereich möglicher Substrate auf Materialien mit niedrigem Schmelzpunkt – in einigen Fällen sogar auf Kunststoffe. Darüber hinaus wächst auch die Bandbreite der abscheidbaren Beschichtungsmaterialien. PECVD wird zur Abscheidung einer Vielzahl von Materialien eingesetzt, darunter Dielektrika, Halbleiter, Metalle und Isolatoren. PECVD-Beschichtungen werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter Solarzellen, Flachbildschirme und Mikroelektronik.

Anwendungen

Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidungs-PECVD-Beschichtungsmaschinen bieten eine vielseitige Lösung für verschiedene Branchen und Anwendungen:

LED-Beleuchtung:** Abscheidung hochwertiger dielektrischer und halbleitender Schichten für Leuchtdioden (LEDs).
Leistungshalbleiter:** Bildung von Isolierschichten, Gateoxiden und anderen kritischen Komponenten in Leistungshalbleiterbauelementen.
MEMS:** Herstellung von Dünnschichten für mikroelektromechanische Systeme (MEMS), wie z. B. Sensoren und Aktoren.
Optische Beschichtungen:** Abscheidung von Antireflexionsbeschichtungen, optischen Filtern und anderen optischen Komponenten.
Dünnschicht-Solarzellen:** Herstellung von amorphen und mikrokristallinen Silizium-Dünnschichten für Solarzellengeräte.
Oberflächenmodifikation:** Verbesserung von Oberflächeneigenschaften wie Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit und Biokompatibilität.
Nanotechnologie:** Synthese von Nanomaterialien, einschließlich Nanopartikeln, Nanodrähten und Dünnschichten.

Plasma-unterstützte Verdampfungsabscheidungs-PECVD-Beschichtungsmaschine Details

Merkmale

Die Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidungs-PECVD-Beschichtungsmaschine bietet zahlreiche Vorteile, die die Produktivität steigern und außergewöhnliche Ergebnisse liefern:

Niedertemperaturabscheidung: Ermöglicht die Bildung hochwertiger Schichten bei deutlich niedrigeren Temperaturen als herkömmliche CVD-Methoden, wodurch sie für empfindliche Substrate geeignet ist.
Hohe Abscheidungsraten: Maximiert die Effizienz durch schnelle Abscheidung von Schichten, reduziert die Produktionszeit und erhöht den Durchsatz.
Gleichmäßige und rissbeständige Schichten: Gewährleistet gleichmäßige Schichteigenschaften und minimiert das Risiko von Rissen, was zu zuverlässigen und langlebigen Beschichtungen führt.
Hervorragende Haftung auf Substraten: Sorgt für eine starke Verbindung zwischen Schicht und Substrat, gewährleistet eine langlebige Leistung und verhindert Delamination.
Vielseitige Beschichtungsfähigkeiten: Ermöglicht die Abscheidung einer breiten Palette von Materialien, einschließlich SiO2, SiNx und SiOxNy, um unterschiedliche Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
Anpassung für komplexe Geometrien: Nimmt Substrate mit komplizierten Formen auf und gewährleistet eine gleichmäßige Beschichtung und optimale Leistung.
Geringer Wartungsaufwand und einfache Installation: Minimiert Ausfallzeiten und vereinfacht die Einrichtung, was die Produktivität und Kosteneffizienz erhöht.

Technische Spezifikationen

Probenhalter	Größe	1-6 Zoll
	Drehzahl	0-20 U/min einstellbar
	Heiztemperatur	≤800℃
	Regelgenauigkeit	±0,5℃ SHIMADEN PID-Regler
Gasreinigung	Durchflussmesser	MASS DURCHFLUSSMESSER CONTROLLER (MFC)
	Kanäle	4 Kanäle
	Kühlmethode	Umlaufwasserkühlung
Vakuumkammer	Kammergröße	Φ500mm X 550mm
	Sichtfenster	Vollfenster mit Prallblech
	Kammerwerkstoff	316 Edelstahl
	Türtyp	Frontöffnende Tür
	Kappenmaterial	304 Edelstahl
	Vakuumpumpenanschluss	CF200 Flansch
	Gasanschluss	φ6 VCR-Anschluss
Plasmaleistung	Quellleistung	DC-Leistung oder RF-Leistung
	Kopplungsmodus	Induktiv gekoppelt oder Plattenkapazitiv
	Ausgangsleistung	500W—1000W
	Bias-Leistung	500V
Vakuumpumpe	Vorvakuumpumpe	15L/S Flügelzellenpumpe
	Turbo-Pumpenanschluss	CF150/CF200 620L/S-1600L/S
	Entlüftungsanschluss	KF25
	Pumpgeschwindigkeit	Flügelzellenpumpe: 15L/s, Turbo-Pumpe: 1200l/s oder 1600l/s
	Vakuumgrad	≤5×10-5Pa
	Vakuumsensor	Ionisations-/Widerstands-Vakuummeter/Schichtmeter
System	Stromversorgung	AC 220V /380 50Hz
	Nennleistung	5kW
	Abmessungen	900mm X 820mm X870mm
	Gewicht	200kg

Prinzip

Die Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) nutzt Plasma zur Anregung chemischer Reaktionen während der Abscheidung, wodurch hochwertige feste Schichten bei niedrigen Temperaturen gebildet werden können. Durch den Einsatz von hochenergetischem Plasma erhöhen PECVD-Maschinen die Reaktionsgeschwindigkeit und senken die Reaktionstemperaturen. Diese Technik wird häufig in der LED-Beleuchtung, bei Leistungshalbleitern und MEMS eingesetzt. Sie ermöglicht die Abscheidung von SiO2, SiNx, SiOxNy und anderen dielektrischen Schichten sowie die Hochgeschwindigkeitsabscheidung von SiO-Dickschichten auf Verbundsubstraten. PECVD bietet eine hervorragende Schichtbildungsqualität, minimiert Pinholes und reduziert Risse, wodurch es sich zur Herstellung von amorphen und mikrokristallinen Silizium-Dünnschicht-Solarzellengeräten eignet.

Vorteil

Fähigkeit zur Abscheidung verschiedener Materialien: PECVD kann eine breite Palette von Materialien abscheiden, darunter diamantähnlichen Kohlenstoff, Siliziumverbindungen und Metalloxide, was die Herstellung von Schichten mit maßgeschneiderten Eigenschaften ermöglicht.
Niedertemperaturbetrieb: PECVD arbeitet bei niedrigen Temperaturen (typischerweise 300-450°C), wodurch es für wärmeempfindliche Substrate geeignet ist.
Hochwertige Dünnschichten: PECVD erzeugt Dünnschichten mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit, Dickenkontrolle und Rissbeständigkeit.
Hervorragende Haftung: Die von PECVD abgeschiedenen Schichten weisen eine starke Haftung auf dem Substrat auf, was Haltbarkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet.
Konforme Beschichtung: PECVD ermöglicht die Beschichtung komplexer Geometrien und bietet eine gleichmäßige Abdeckung und Schutz.
Hohe Abscheidungsraten: PECVD bietet schnelle Abscheidungsraten, erhöht die Produktivität und reduziert die Produktionszeit.
Geringer Wartungsaufwand: PECVD-Systeme sind für geringen Wartungsaufwand ausgelegt, minimieren Ausfallzeiten und maximieren die Betriebszeit.
Einfache Installation: PECVD-Geräte sind relativ einfach zu installieren und in bestehende Produktionslinien zu integrieren.
Stabiles Design: PECVD-Systeme sind mit robusten Designs konstruiert, die Stabilität und langlebige Leistung gewährleisten.
Erweiterte Lebensdauer: PECVD-Systeme sind auf Langlebigkeit ausgelegt und bieten eine kostengünstige Lösung für langfristige Dünnschichtabscheidungsanforderungen.

Warnungen

Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.

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FAQ

Was Ist Die PECVD-Methode?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) ist ein Verfahren, das in der Halbleiterfertigung zur Abscheidung dünner Filme auf mikroelektronischen Geräten, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet wird. Beim PECVD wird ein Vorläufer in gasförmigem Zustand in die Reaktionskammer eingeführt und mithilfe von plasmareaktiven Medien dissoziiert der Vorläufer bei viel niedrigeren Temperaturen als beim CVD. PECVD-Systeme bieten eine hervorragende Filmgleichmäßigkeit, eine Verarbeitung bei niedriger Temperatur und einen hohen Durchsatz. Sie werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt und werden in der Halbleiterindustrie eine immer wichtigere Rolle spielen, da die Nachfrage nach fortschrittlichen elektronischen Geräten weiter wächst.

Was Ist Mpcvd?

MPCVD steht für Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition und ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Filme auf einer Oberfläche. Es nutzt eine Vakuumkammer, einen Mikrowellengenerator und ein Gaszufuhrsystem, um ein Plasma aus reagierenden Chemikalien und notwendigen Katalysatoren zu erzeugen. MPCVD wird im ANFF-Netzwerk häufig zur Abscheidung von Diamantschichten unter Verwendung von Methan und Wasserstoff eingesetzt, um neuen Diamanten auf einem mit Diamanten bestückten Substrat wachsen zu lassen. Es handelt sich um eine vielversprechende Technologie zur Herstellung kostengünstiger, hochwertiger großer Diamanten und wird in großem Umfang in der Halbleiter- und Diamantschleifindustrie eingesetzt.

Wofür Wird PECVD Verwendet?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) wird in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung integrierter Schaltkreise sowie in den Bereichen Photovoltaik, Tribologie, Optik und Biomedizin eingesetzt. Es wird zur Abscheidung dünner Schichten für mikroelektronische Geräte, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet. Mit PECVD können einzigartige Verbindungen und Filme hergestellt werden, die mit herkömmlichen CVD-Techniken allein nicht hergestellt werden können, sowie Filme, die eine hohe Lösungsmittel- und Korrosionsbeständigkeit sowie chemische und thermische Stabilität aufweisen. Es wird auch zur Herstellung homogener organischer und anorganischer Polymere auf großen Oberflächen sowie von diamantähnlichem Kohlenstoff (DLC) für tribologische Anwendungen verwendet.

Was Ist Eine Mpcvd-Maschine?

Die MPCVD-Maschine (Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition) ist eine Laborausrüstung zur Züchtung hochwertiger Diamantfilme. Mithilfe eines kohlenstoffhaltigen Gases und eines Mikrowellenplasmas wird über dem Diamantsubstrat eine Plasmakugel erzeugt, die es auf eine bestimmte Temperatur erhitzt. Die Plasmakugel berührt die Hohlraumwand nicht, wodurch der Diamantwachstumsprozess frei von Verunreinigungen ist und die Qualität des Diamanten verbessert wird. Das MPCVD-System besteht aus einer Vakuumkammer, einem Mikrowellengenerator und einem Gaszufuhrsystem, das den Gasfluss in die Kammer steuert.

Was Sind Die Vorteile Von PECVD?

Die Hauptvorteile von PECVD sind die Möglichkeit, bei niedrigeren Abscheidungstemperaturen zu arbeiten, was eine bessere Konformität und Stufenabdeckung auf unebenen Oberflächen, eine genauere Kontrolle des Dünnschichtprozesses und hohe Abscheidungsraten bietet. PECVD ermöglicht erfolgreiche Anwendungen in Situationen, in denen herkömmliche CVD-Temperaturen möglicherweise das zu beschichtende Gerät oder Substrat beschädigen könnten. Durch den Betrieb bei einer niedrigeren Temperatur erzeugt PECVD weniger Spannung zwischen dünnen Filmschichten, was eine hocheffiziente elektrische Leistung und eine Verbindung nach sehr hohen Standards ermöglicht.

Was Sind Die Vorteile Von Mpcvd?

MPCVD hat gegenüber anderen Methoden der Diamantherstellung mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere Reinheit, einen geringeren Energieverbrauch und die Möglichkeit, größere Diamanten herzustellen.

Was Ist Der Unterschied Zwischen ALD Und PECVD?

ALD ist ein Dünnschichtabscheidungsverfahren, das eine Auflösung der Atomschichtdicke, eine hervorragende Gleichmäßigkeit von Oberflächen mit hohem Aspektverhältnis und lochfreie Schichten ermöglicht. Dies wird durch die kontinuierliche Bildung von Atomschichten in einer selbstlimitierenden Reaktion erreicht. PECVD hingegen beinhaltet das Mischen des Ausgangsmaterials mit einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern unter Verwendung eines Plasmas, um chemisch zu interagieren und das Ausgangsmaterial aufzubrechen. Die Prozesse verwenden Wärme mit höheren Drücken, was zu einem besser reproduzierbaren Film führt, bei dem die Filmdicke durch Zeit/Leistung gesteuert werden kann. Diese Filme sind stöchiometrischer, dichter und können Isolatorfilme höherer Qualität bilden.

Sind CVD-Diamanten Echt Oder Gefälscht?

CVD-Diamanten sind echte Diamanten und keine Fälschungen. Sie werden in einem Labor durch einen Prozess namens Chemical Vapour Deposition (CVD) gezüchtet. Im Gegensatz zu natürlichen Diamanten, die unter der Erdoberfläche abgebaut werden, werden CVD-Diamanten mithilfe fortschrittlicher Technologie in Laboren hergestellt. Diese Diamanten bestehen zu 100 % aus Kohlenstoff und sind die reinste Form von Diamanten, die als Typ-IIa-Diamanten bekannt sind. Sie haben die gleichen optischen, thermischen, physikalischen und chemischen Eigenschaften wie natürliche Diamanten. Der einzige Unterschied besteht darin, dass CVD-Diamanten in einem Labor hergestellt und nicht aus der Erde abgebaut werden.

Was Ist Der Unterschied Zwischen PECVD Und Sputtern?

PECVD und Sputtern sind beide physikalische Gasphasenabscheidungstechniken, die für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden. PECVD ist ein diffusives gasbetriebenes Verfahren, das dünne Filme von sehr hoher Qualität liefert, während es sich beim Sputtern um eine Sichtlinienabscheidung handelt. PECVD ermöglicht eine bessere Abdeckung unebener Oberflächen wie Gräben, Wände und hohe Konformität und kann einzigartige Verbindungen und Filme erzeugen. Andererseits eignet sich Sputtern gut für die Abscheidung feiner Schichten mehrerer Materialien, ideal für die Erstellung mehrschichtiger und mehrfach abgestufter Beschichtungssysteme. PECVD wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie sowie in tribologischen, optischen und biomedizinischen Bereichen eingesetzt, während Sputtern hauptsächlich für dielektrische Materialien und tribologische Anwendungen eingesetzt wird.

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