CVD- und PECVD-Ofen

Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)

Name: Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)
Brand: Kintek Solution
SKU: KT-PED
Rating: 4.81 (19 reviews)

Artikelnummer : KT-PED

Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen

Heiztemperatur des Probenhalters: ≤800℃
Kanäle für die Gasspülung: 4 Kanäle
Vakuumkammer Kammergröße: Φ500mm × 550 mm

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Beschreibung
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Einführung

Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten im Vakuum, bei dem Dämpfe oder Gase als Ausgangsstoffe für die Herstellung einer Beschichtung verwendet werden. PECVD ist eine Variante der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei der Plasma anstelle von Wärme zur Aktivierung des Ausgangsgases oder -dampfes verwendet wird. Da hohe Temperaturen vermieden werden können, erweitert sich die Palette möglicher Substrate auf Materialien mit niedrigem Schmelzpunkt - in einigen Fällen sogar auf Kunststoffe. Darüber hinaus wächst auch die Palette der abscheidbaren Beschichtungsmaterialien. PECVD wird für die Abscheidung einer Vielzahl von Materialien verwendet, darunter Dielektrika, Halbleiter, Metalle und Isolatoren. PECVD-Beschichtungen werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter Solarzellen, Flachbildschirme und Mikroelektronik.

Anwendungen

PECVD-Beschichtungsanlagen (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) bieten eine vielseitige Lösung für verschiedene Branchen und Anwendungen:

LED-Beleuchtung:** Abscheidung hochwertiger dielektrischer und Halbleiterschichten für Leuchtdioden (LEDs).
Leistungshalbleiter:** Herstellung von Isolierschichten, Gate-Oxiden und anderen kritischen Komponenten in Leistungshalbleiter-Bauelementen.
MEMS:** Herstellung von Dünnschichten für mikroelektromechanische Systeme (MEMS) wie Sensoren und Aktuatoren.
Optische Beschichtungen:** Abscheidung von Antireflexionsschichten, optischen Filtern und anderen optischen Komponenten.
Dünnschicht-Solarzellen:** Herstellung von amorphen und mikrokristallinen Silizium-Dünnschichten für Solarzellengeräte.
Oberflächenmodifizierung:** Verbesserung von Oberflächeneigenschaften, wie Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit und Biokompatibilität.
Nanotechnologie:** Synthese von Nanomaterialien, einschließlich Nanopartikeln, Nanodrähten und dünnen Schichten.

Details der PECVD-Beschichtungsanlage mit plasmagestützter Verdampfung

Merkmale

Die PECVD-Beschichtungsanlage (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) bietet zahlreiche Vorteile, die die Produktivität steigern und außergewöhnliche Ergebnisse liefern:

Abscheidung bei niedriger Temperatur: Ermöglicht die Bildung hochwertiger Schichten bei deutlich niedrigeren Temperaturen als bei herkömmlichen CVD-Methoden und eignet sich daher für empfindliche Substrate.
Hohe Abscheideraten: Maximiert die Effizienz durch die schnelle Abscheidung von Schichten, reduziert die Produktionszeit und erhöht den Ausstoß.
Gleichmäßige und rissbeständige Schichten: Sorgt für gleichmäßige Filmeigenschaften und minimiert das Risiko von Rissen, was zu zuverlässigen und langlebigen Beschichtungen führt.
Ausgezeichnete Haftung auf Substraten: Sorgt für eine starke Verbindung zwischen der Folie und dem Substrat, was eine lang anhaltende Leistung gewährleistet und eine Delaminierung verhindert.
Vielseitige Beschichtungsmöglichkeiten: Ermöglicht die Abscheidung einer breiten Palette von Materialien, einschließlich SiO2, SiNx und SiOxNy, um unterschiedliche Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
Individuelle Anpassung für komplexe Geometrien: Geeignet für Substrate mit komplizierten Formen, die eine gleichmäßige Beschichtung und optimale Leistung gewährleisten.
Geringer Wartungsaufwand und einfache Installation: Minimiert Ausfallzeiten und vereinfacht die Einrichtung, wodurch Produktivität und Kosteneffizienz gesteigert werden.

Technische Daten

Probenhalter	Größe	1-6 Zoll
	Rotationsgeschwindigkeit	0-20rpm einstellbar
	Temperatur der Heizung	≤800℃
	Regelgenauigkeit	±0,5℃ SHIMADEN PID-Regler
Gasspülung	Durchflussmesser	MASSE-DURCHFLUSSMESSER-REGLER (MFC)
	Kanäle	4 Kanäle
	Methode der Kühlung	Wasserumlaufkühlung
Vakuumkammer	Größe der Kammer	Φ500mm X 550mm
	Beobachtungsöffnung	Vollsichtöffnung mit Ablenkplatte
	Material der Kammer	316 rostfreier Stahl
	Tür-Typ	Nach vorne offene Tür
	Material des Deckels	304 rostfreier Stahl
	Anschluss für Vakuumpumpe	CF200-Flansch
	Anschluss für Gaseinlass	φ6 VCR-Anschluss
Plasma-Leistung	Leistung der Quelle	DC-Strom oder RF-Strom
	Kopplungsmodus	Induktiv gekoppelt oder plattenkapazitiv
	Ausgangsleistung	500W-1000W
	Bias-Leistung	500v
Vakuumpumpe	Vor-Pumpe	15L/S Flügelzellen-Vakuumpumpe
	Anschluss Turbopumpe	CF150/CF200 620L/S-1600L/S
	Entlastungsanschluss	KF25
	Drehzahl der Pumpe	Flügelzellenpumpe:15L/s, Turbopumpe:1200l/s或1600l/s
	Vakuumgrad	≤5×10-5Pa
	Vakuum-Sensor	Ionisation/Widerstandsvakuummeter/Filmmeter
Anlage	Elektrische Versorgung	AC 220V /380 50Hz
	Nennleistung	5kW
	Abmessungen	900mm X 820mm X870mm
	Gewicht	200kg

Prinzip

Bei der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) wird ein Plasma zur Stimulierung chemischer Reaktionen während der Abscheidung eingesetzt, so dass hochwertige feste Schichten bei niedrigen Temperaturen gebildet werden können. Durch den Einsatz von Hochenergieplasma erhöhen PECVD-Maschinen die Reaktionsgeschwindigkeit und senken die Reaktionstemperaturen. Diese Technik ist in der LED-Beleuchtung, bei Leistungshalbleitern und MEMS weit verbreitet. Sie ermöglicht die Abscheidung von SiO2-, SiNx-, SiOxNy- und anderen Medienschichten sowie die Hochgeschwindigkeitsabscheidung von SiO-Dickschichten auf Verbundsubstraten. PECVD bietet eine hervorragende Schichtbildungsqualität, minimiert Pinholes und reduziert die Rissbildung, so dass es sich für die Herstellung von Solarzellen aus amorphem und mikrokristallinem Silizium eignet.

Vorteil

Fähigkeit zur Abscheidung verschiedener Materialien: Mit PECVD kann eine breite Palette von Materialien abgeschieden werden, darunter diamantartiger Kohlenstoff, Siliziumverbindungen und Metalloxide, was die Herstellung von Schichten mit maßgeschneiderten Eigenschaften ermöglicht.
Betrieb bei niedrigen Temperaturen: PECVD arbeitet bei niedrigen Temperaturen (in der Regel 300-450 °C) und eignet sich daher für hitzeempfindliche Substrate.
Hochwertige dünne Schichten: PECVD erzeugt dünne Schichten mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit, Dickenkontrolle und Rissbeständigkeit.
Hervorragende Adhäsion: Die durch PECVD abgeschiedenen Schichten weisen eine starke Haftung auf dem Substrat auf, was Haltbarkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet.
Konforme Beschichtung: PECVD ermöglicht die Beschichtung komplexer Geometrien und bietet eine gleichmäßige Abdeckung und Schutz.
Hohe Abscheideraten: PECVD bietet hohe Abscheideraten, was die Produktivität erhöht und die Produktionszeit verkürzt.
Geringer Wartungsaufwand: PECVD-Anlagen sind wartungsarm, was die Ausfallzeiten minimiert und die Betriebszeit maximiert.
Einfache Installation: PECVD-Anlagen sind relativ einfach zu installieren und in bestehende Produktionslinien zu integrieren.
Robuste Konstruktion: PECVD-Anlagen sind robust konstruiert und gewährleisten Stabilität und dauerhafte Leistung.
Verlängerte Betriebsdauer: PECVD-Anlagen sind auf Langlebigkeit ausgelegt und bieten eine kosteneffiziente Lösung für langfristige Anforderungen an die Dünnschichtabscheidung.

Warnungen

Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.

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FAQ

Was Ist Die PECVD-Methode?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) ist ein Verfahren, das in der Halbleiterfertigung zur Abscheidung dünner Filme auf mikroelektronischen Geräten, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet wird. Beim PECVD wird ein Vorläufer in gasförmigem Zustand in die Reaktionskammer eingeführt und mithilfe von plasmareaktiven Medien dissoziiert der Vorläufer bei viel niedrigeren Temperaturen als beim CVD. PECVD-Systeme bieten eine hervorragende Filmgleichmäßigkeit, eine Verarbeitung bei niedriger Temperatur und einen hohen Durchsatz. Sie werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt und werden in der Halbleiterindustrie eine immer wichtigere Rolle spielen, da die Nachfrage nach fortschrittlichen elektronischen Geräten weiter wächst.

Was Ist Mpcvd?

MPCVD steht für Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition und ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Filme auf einer Oberfläche. Es nutzt eine Vakuumkammer, einen Mikrowellengenerator und ein Gaszufuhrsystem, um ein Plasma aus reagierenden Chemikalien und notwendigen Katalysatoren zu erzeugen. MPCVD wird im ANFF-Netzwerk häufig zur Abscheidung von Diamantschichten unter Verwendung von Methan und Wasserstoff eingesetzt, um neuen Diamanten auf einem mit Diamanten bestückten Substrat wachsen zu lassen. Es handelt sich um eine vielversprechende Technologie zur Herstellung kostengünstiger, hochwertiger großer Diamanten und wird in großem Umfang in der Halbleiter- und Diamantschleifindustrie eingesetzt.

Wofür Wird PECVD Verwendet?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) wird in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung integrierter Schaltkreise sowie in den Bereichen Photovoltaik, Tribologie, Optik und Biomedizin eingesetzt. Es wird zur Abscheidung dünner Schichten für mikroelektronische Geräte, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet. Mit PECVD können einzigartige Verbindungen und Filme hergestellt werden, die mit herkömmlichen CVD-Techniken allein nicht hergestellt werden können, sowie Filme, die eine hohe Lösungsmittel- und Korrosionsbeständigkeit sowie chemische und thermische Stabilität aufweisen. Es wird auch zur Herstellung homogener organischer und anorganischer Polymere auf großen Oberflächen sowie von diamantähnlichem Kohlenstoff (DLC) für tribologische Anwendungen verwendet.

Was Ist Eine Mpcvd-Maschine?

Die MPCVD-Maschine (Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition) ist eine Laborausrüstung zur Züchtung hochwertiger Diamantfilme. Mithilfe eines kohlenstoffhaltigen Gases und eines Mikrowellenplasmas wird über dem Diamantsubstrat eine Plasmakugel erzeugt, die es auf eine bestimmte Temperatur erhitzt. Die Plasmakugel berührt die Hohlraumwand nicht, wodurch der Diamantwachstumsprozess frei von Verunreinigungen ist und die Qualität des Diamanten verbessert wird. Das MPCVD-System besteht aus einer Vakuumkammer, einem Mikrowellengenerator und einem Gaszufuhrsystem, das den Gasfluss in die Kammer steuert.

Was Sind Die Vorteile Von PECVD?

Die Hauptvorteile von PECVD sind die Möglichkeit, bei niedrigeren Abscheidungstemperaturen zu arbeiten, was eine bessere Konformität und Stufenabdeckung auf unebenen Oberflächen, eine genauere Kontrolle des Dünnschichtprozesses und hohe Abscheidungsraten bietet. PECVD ermöglicht erfolgreiche Anwendungen in Situationen, in denen herkömmliche CVD-Temperaturen möglicherweise das zu beschichtende Gerät oder Substrat beschädigen könnten. Durch den Betrieb bei einer niedrigeren Temperatur erzeugt PECVD weniger Spannung zwischen dünnen Filmschichten, was eine hocheffiziente elektrische Leistung und eine Verbindung nach sehr hohen Standards ermöglicht.

Was Sind Die Vorteile Von Mpcvd?

MPCVD hat gegenüber anderen Methoden der Diamantherstellung mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere Reinheit, einen geringeren Energieverbrauch und die Möglichkeit, größere Diamanten herzustellen.

Was Ist Der Unterschied Zwischen ALD Und PECVD?

ALD ist ein Dünnschichtabscheidungsverfahren, das eine Auflösung der Atomschichtdicke, eine hervorragende Gleichmäßigkeit von Oberflächen mit hohem Aspektverhältnis und lochfreie Schichten ermöglicht. Dies wird durch die kontinuierliche Bildung von Atomschichten in einer selbstlimitierenden Reaktion erreicht. PECVD hingegen beinhaltet das Mischen des Ausgangsmaterials mit einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern unter Verwendung eines Plasmas, um chemisch zu interagieren und das Ausgangsmaterial aufzubrechen. Die Prozesse verwenden Wärme mit höheren Drücken, was zu einem besser reproduzierbaren Film führt, bei dem die Filmdicke durch Zeit/Leistung gesteuert werden kann. Diese Filme sind stöchiometrischer, dichter und können Isolatorfilme höherer Qualität bilden.

Sind CVD-Diamanten Echt Oder Gefälscht?

CVD-Diamanten sind echte Diamanten und keine Fälschungen. Sie werden in einem Labor durch einen Prozess namens Chemical Vapour Deposition (CVD) gezüchtet. Im Gegensatz zu natürlichen Diamanten, die unter der Erdoberfläche abgebaut werden, werden CVD-Diamanten mithilfe fortschrittlicher Technologie in Laboren hergestellt. Diese Diamanten bestehen zu 100 % aus Kohlenstoff und sind die reinste Form von Diamanten, die als Typ-IIa-Diamanten bekannt sind. Sie haben die gleichen optischen, thermischen, physikalischen und chemischen Eigenschaften wie natürliche Diamanten. Der einzige Unterschied besteht darin, dass CVD-Diamanten in einem Labor hergestellt und nicht aus der Erde abgebaut werden.

Was Ist Der Unterschied Zwischen PECVD Und Sputtern?

PECVD und Sputtern sind beide physikalische Gasphasenabscheidungstechniken, die für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden. PECVD ist ein diffusives gasbetriebenes Verfahren, das dünne Filme von sehr hoher Qualität liefert, während es sich beim Sputtern um eine Sichtlinienabscheidung handelt. PECVD ermöglicht eine bessere Abdeckung unebener Oberflächen wie Gräben, Wände und hohe Konformität und kann einzigartige Verbindungen und Filme erzeugen. Andererseits eignet sich Sputtern gut für die Abscheidung feiner Schichten mehrerer Materialien, ideal für die Erstellung mehrschichtiger und mehrfach abgestufter Beschichtungssysteme. PECVD wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie sowie in tribologischen, optischen und biomedizinischen Bereichen eingesetzt, während Sputtern hauptsächlich für dielektrische Materialien und tribologische Anwendungen eingesetzt wird.

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