Wissen Was ist das konventionelle Sputtering-Verfahren? Die 6 wichtigsten Schritte werden erklärt
Autor-Avatar

Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 1 Woche

Was ist das konventionelle Sputtering-Verfahren? Die 6 wichtigsten Schritte werden erklärt

Sputtern ist eine Technik zur Abscheidung von Dünnschichten.

Dabei werden durch den Beschuss mit hochenergetischen Teilchen, in der Regel Ionen, Atome aus einem festen Zielmaterial herausgeschleudert.

Diese ausgestoßenen Atome werden dann auf einem Substrat abgeschieden, um einen dünnen Film zu bilden.

Dieses Verfahren wird in verschiedenen Industriezweigen für Anwendungen wie Halbleiterverarbeitung, Präzisionsoptik und Oberflächenbearbeitung eingesetzt.

Was ist das herkömmliche Sputtering-Verfahren? Die 6 wichtigsten Schritte werden erklärt

Was ist das konventionelle Sputtering-Verfahren? Die 6 wichtigsten Schritte werden erklärt

1. Aufbau der Vakuumkammer

Das Targetmaterial, die Quelle der abzuscheidenden Atome, und das Substrat, auf dem die Abscheidung erfolgt, befinden sich in einer Vakuumkammer.

Diese Umgebung ist von entscheidender Bedeutung, da sie Verunreinigungen minimiert und eine präzise Steuerung des Abscheidungsprozesses ermöglicht.

2. Einleiten von Gas

Eine kontrollierte Gasmenge, in der Regel Argon, wird in die Kammer eingeleitet.

Argon wird wegen seiner chemischen Inertheit gewählt, die unerwünschte chemische Reaktionen während des Sputterprozesses verhindert.

3. Erzeugung des Plasmas

Zwischen dem Target und dem Substrat wird eine Spannung angelegt, wodurch das Target zur Kathode wird.

Diese elektrische Potentialdifferenz ionisiert das Argongas, wodurch ein Plasma entsteht.

In diesem Plasma verlieren die Argonatome Elektronen und werden zu positiv geladenen Ionen.

4. Ionenbombardement und Sputtern

Die positiv geladenen Argon-Ionen werden durch das elektrische Feld auf das negativ geladene Target beschleunigt.

Beim Aufprall haben diese Ionen genügend Energie, um Atome oder Moleküle von der Oberfläche des Targets abzulösen.

Dieser Vorgang wird als Sputtern bezeichnet.

5. Abscheidung eines Dünnfilms

Das ausgestoßene Targetmaterial bildet einen Dampf, der durch die Kammer wandert und sich auf dem Substrat ablagert.

Durch diese Abscheidung entsteht ein dünner Film mit hervorragender Gleichmäßigkeit, Dichte und Adhäsionseigenschaften.

6. Arten des Sputterns

Es gibt verschiedene Arten von Sputtertechniken, darunter kathodisches Sputtern, Diodensputtern, HF- oder DC-Sputtern, Ionenstrahlsputtern und reaktives Sputtern.

Diese Methoden unterscheiden sich vor allem in der Art und Weise, wie das Plasma erzeugt und gesteuert wird, aber der grundlegende Prozess des Atomausstoßes und der Abscheidung bleibt derselbe.

Erforschen Sie weiter, fragen Sie unsere Experten

Erschließen Sie sich die Spitzenpräzision der Dünnschichttechnologie mit den Sputtering-Systemen von KINTEK SOLUTION.

Von der anspruchsvollen Halbleiterverarbeitung bis hin zur hochmodernen Oberflächenveredelung - unsere fortschrittlichen Sputterlösungen gewährleisten Schichten höchster Qualität mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit und Haftung.

Entdecken Sie den Unterschied mit KINTEK - wo Innovation auf die einzigartigen Anforderungen Ihrer Branche trifft.

Erkunden Sie unser Angebot und verbessern Sie Ihre Dünnschichtanwendungen noch heute!

Ähnliche Produkte

Spark-Plasma-Sinterofen SPS-Ofen

Spark-Plasma-Sinterofen SPS-Ofen

Entdecken Sie die Vorteile von Spark-Plasma-Sinteröfen für die schnelle Materialvorbereitung bei niedrigen Temperaturen. Gleichmäßige Erwärmung, niedrige Kosten und umweltfreundlich.

Vakuuminduktionsschmelzspinnsystem Lichtbogenschmelzofen

Vakuuminduktionsschmelzspinnsystem Lichtbogenschmelzofen

Entwickeln Sie mühelos metastabile Materialien mit unserem Vakuum-Schmelzspinnsystem. Ideal für Forschung und experimentelle Arbeiten mit amorphen und mikrokristallinen Materialien. Bestellen Sie jetzt für effektive Ergebnisse.

RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung

RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung

RF-PECVD ist eine Abkürzung für "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". Damit werden DLC-Schichten (diamantähnliche Kohlenstoffschichten) auf Germanium- und Siliziumsubstrate aufgebracht. Es wird im Infrarot-Wellenlängenbereich von 3-12 um eingesetzt.

Ziehdüse mit Nano-Diamantbeschichtung, HFCVD-Ausrüstung

Ziehdüse mit Nano-Diamantbeschichtung, HFCVD-Ausrüstung

Das Ziehwerkzeug für die Nano-Diamant-Verbundbeschichtung verwendet Sinterkarbid (WC-Co) als Substrat und nutzt die chemische Gasphasenmethode (kurz CVD-Methode), um die herkömmliche Diamant- und Nano-Diamant-Verbundbeschichtung auf die Oberfläche des Innenlochs der Form aufzubringen.

Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)

Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)

Verbessern Sie Ihr Beschichtungsverfahren mit PECVD-Beschichtungsanlagen. Ideal für LED, Leistungshalbleiter, MEMS und mehr. Beschichtet hochwertige feste Schichten bei niedrigen Temperaturen.

Zylindrischer Resonator MPCVD-Diamant-Maschine für Labor-Diamant Wachstum

Zylindrischer Resonator MPCVD-Diamant-Maschine für Labor-Diamant Wachstum

Informieren Sie sich über die MPCVD-Maschine mit zylindrischem Resonator, das Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung mit Mikrowellenplasma, das für die Herstellung von Diamantsteinen und -filmen in der Schmuck- und Halbleiterindustrie verwendet wird. Entdecken Sie die kosteneffektiven Vorteile gegenüber den traditionellen HPHT-Methoden.


Hinterlassen Sie Ihre Nachricht