MPCVD

Zylindrischer Resonator MPCVD-Diamant-Maschine für Labor-Diamant Wachstum

Name: Zylindrischer Resonator MPCVD-Diamant-Maschine für Labor-Diamant Wachstum
Brand: Kintek Solution
SKU: KTWB315
Rating: 4.85 (8 reviews)

Artikelnummer : KTWB315

Preis variiert je nach specs and customizations

Mikrowellenleistung: Mikrowellenfrequenz 2450±15MHZ
Ausgangsleistung: 1～10 KW stufenlos einstellbar
Mikrowellen-Leckage: ≤2MW/cm2
Ausgang Wellenleiterschnittstelle: WR340, 430 mit FD-340, 430 Standardflansch
Probenhalter: Durchmesser des Probentischs≥72mm, effektive Nutzfläche≥66 mm

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Beschreibung
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MPCVD steht für Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition. Es handelt sich um eine Methode zur Herstellung hochwertiger Diamantschichten im Labor unter Verwendung eines kohlenstoffhaltigen Gases und eines Mikrowellenplasmas.

KinTek MPCVD

MPCVD-Anlage

Das MPCVD-System (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten auf einer Substratoberfläche. Das System besteht aus einer Vakuumkammer, in der der Abscheidungsprozess stattfindet, einem Mikrowellengenerator und einem Gaszufuhrsystem. Der Mikrowellengenerator dient zur Erzeugung eines Plasmas in der Vakuumkammer, das zur Zersetzung und Abscheidung der Gasspezies auf dem Substrat verwendet wird.

Der Mikrowellengenerator ist in der Regel ein Magnetron oder Klystron, das Mikrowellen im Bereich von 2,45 GHz erzeugt. Die Mikrowellen werden durch ein Quarzfenster in die Vakuumkammer eingekoppelt.

Das Gaszufuhrsystem besteht aus Massenflussreglern (MFCs), die den Gasfluss in die Vakuumkammer steuern. Die MFCs sind in Standard-Kubikzentimeter pro Minute (sccm) kalibriert.

Die Temperatur des Substrats wird durch die Position des Plasmas gesteuert und durch ein Thermoelement gemessen. Das Plasma wird zur Erwärmung des Substrats verwendet, und die Temperatur wird durch das Thermoelement überwacht, um sicherzustellen, dass das Substrat während des Abscheidungsprozesses die gewünschte Temperatur hat.

Anwendungen

MPCVD ist eine vielversprechende Technologie für die Herstellung kostengünstiger, hochwertiger großer Diamanten.

Die einzigartigen Eigenschaften des Diamanten, darunter seine Härte, Steifigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Wärmeausdehnung, Strahlungshärte und chemische Inertheit, machen ihn zu einem wertvollen Material.

Trotz seines großen Potenzials haben die hohen Kosten, die begrenzte Größe und die Schwierigkeiten bei der Kontrolle von Verunreinigungen bei natürlichen und synthetischen Hochdruck- und Hochtemperaturdiamanten ihre Anwendungen eingeschränkt.

MPCVD ist das wichtigste Verfahren zur Herstellung von Diamantsteinen und -filmen.

Die Züchtung von Diamantfilmen kann sowohl ein- als auch polykristallin sein und wird in der Halbleiterindustrie für großformatige Diamantsubstrate sowie in der Diamantschneid- und Bohrwerkzeugindustrie eingesetzt.

Im Vergleich zur HPHT-Methode für im Labor gezüchtete Diamanten ist die Mikrowellen-CVD-Methode vorteilhaft für die Züchtung großformatiger Diamanten bei geringeren Kosten, was sie zu einer idealen Lösung für Anwendungen in der Halbleiterindustrie, für die Züchtung optischer Diamanten und für den Bedarf des Marktes für große Schmuckdiamanten macht.

KINTEK MPCVD-Maschinen — KINTEK MPCVD-Diamantmaschinen

Neues Modell der KINTEK MPCVD-Diamantanlage

Rohdiamanten gezüchtet mit KINTEK MPCVD — Rohdiamanten, gezüchtet mit KINTEK MPCVD

In der KinTek MPCVD-Maschine wachsen die Diamanten

In der KinTek MPCVD-Maschine wachsen Diamanten

In der KinTek MPCVD-Anlage wachsen Diamanten

Rohdiamant aus der KINTEK MPCVD-Maschine

Rohdiamant aus einer KINTEK MPCVD-Anlage

MPCVD-gezüchtete Diamanten nach dem Polieren

Vorteile von MPCVD

MPCVD ist eine Diamantsynthesemethode, die mehrere Vorteile gegenüber anderen Methoden wie HFCVD und DC-PJ CVD aufweist. Es vermeidet die Verunreinigung von Diamanten durch heiße Drähte und ermöglicht die Verwendung mehrerer Gase, um unterschiedlichen industriellen Anforderungen gerecht zu werden. Im Vergleich zur DC-PJ-CVD ermöglicht sie eine sanfte und kontinuierliche Anpassung der Mikrowellenleistung und eine stabile Steuerung der Reaktionstemperatur, wodurch vermieden wird, dass Kristallkeime aufgrund von Lichtbogenbildung und Flammenausfall vom Substrat fallen. Aufgrund der großen Fläche des stabilen Entladungsplasmas gilt die MPCVD-Methode als die vielversprechendste Diamantsynthesemethode für industrielle Anwendungen.

Die mit der MPCVD-Methode hergestellten Diamanten sind im Vergleich zu den mit der HPHT-Methode hergestellten Diamanten von höherer Reinheit, und der Produktionsprozess verbraucht weniger Energie. Außerdem ermöglicht die MPCVD-Methode die Herstellung größerer Diamanten.

Vorteile unseres MPCVD-Systems

Wir sind seit vielen Jahren in der Branche tätig und haben daher einen großen Kundenstamm, der unseren Anlagen vertraut und sie nutzt. Unsere MPCVD-Anlage läuft seit über 40.000 Stunden ununterbrochen und beweist dabei außergewöhnliche Stabilität, Zuverlässigkeit, Wiederholbarkeit und Kosteneffizienz. Weitere Vorteile unserer MPCVD-Anlage sind:

3-Zoll-Substratwachstumsfläche, max. Chargenbelastung bis zu 45 Stück Diamanten
1-10Kw einstellbare Mikrowellenleistung für weniger Stromverbrauch
Reichhaltiges erfahrenes Forschungsteam mit Unterstützung für bahnbrechende Diamant-Züchtungsrezepte
Exklusives technisches Unterstützungsprogramm für das Null-Diamanten-Zuchtteam

Durch den Einsatz unserer hochentwickelten Technologie haben wir unser MPCVD-System in mehreren Runden aufgerüstet und verbessert, was zu einer deutlich verbesserten Effizienz und geringeren Kosten geführt hat. Das Ergebnis ist, dass unsere MPCVD-Anlagen an der Spitze des technologischen Fortschritts stehen und zu einem wettbewerbsfähigen Preis angeboten werden. Wir freuen uns auf ein Gespräch mit Ihnen.

Arbeitsprozess

Die MPCVD-Anlage steuert die Strömung der einzelnen Gaswege und den Druck in der Kavität, während die Reaktionsgase (wie CH4, H2, Ar, O2, N2 usw.) unter einem bestimmten Druck in die Kavität eingeleitet werden. Nach der Stabilisierung des Luftstroms erzeugt der 6KW-Festkörpermikrowellengenerator Mikrowellen, die dann durch den Wellenleiter in die Kavität eingeleitet werden.

Das Reaktionsgas geht unter dem Mikrowellenfeld in einen Plasmazustand über und bildet einen Plasmaball, der über dem Diamantsubstrat schwebt. Die hohe Temperatur des Plasmas heizt das Substrat auf eine bestimmte Temperatur auf. Die in der Kavität erzeugte überschüssige Wärme wird durch die Wasserkühleinheit abgeführt.

Um optimale Wachstumsbedingungen während des MPCVD-Züchtungsprozesses von einkristallinem Diamant zu gewährleisten, passen wir Faktoren wie Leistung, Zusammensetzung der Gasquelle und Hohlraumdruck an. Da die Plasmakugel nicht mit der Kavitätenwand in Berührung kommt, ist der Wachstumsprozess frei von Verunreinigungen, was die Qualität des Diamanten verbessert.

Details & Teile

Mikrowellenanlage

Reaktionskammer

Gasfluss-System

Vakuum- und Sensorsystem

Technische Daten

Mikrowellen-System	Mikrowellenfrequenz 2450±15MHZ, Ausgangsleistung 1～10 KW stufenlos einstellbar Stabilität der Mikrowellenausgangsleistung: <±1% Mikrowellenstreuung ≤2MW/cm2 Ausgangswellenleiter-Schnittstelle: WR340, 430 mit FD-340, 430 Standardflansch Kühlwasserdurchfluss: 6-12L/min Stehwellenkoeffizient des Systems: VSWR ≤ 1,5 Manueller 3-Pin-Mikrowelleneinsteller, Erregerkavität, Hochleistungslast Eingangsstromversorgung: 380VAC/50Hz ± 10%, dreiphasig
Reaktionskammer	Vakuum-Leckagerate<5 × 10-9 Pa .m3/s Der Grenzdruck ist kleiner als 0,7 Pa (Standardeinstellung mit Pirani-Vakuummeter) Der Druckanstieg der Kammer darf 50 Pa nach 12 Stunden Druckhaltung nicht überschreiten Arbeitsmodus der Reaktionskammer: TM021 oder TM023 Modus Art des Hohlraums: Zylindrischer Resonanzhohlraum, mit einer maximalen Tragkraft von 10KW, hergestellt aus Edelstahl 304, mit wassergekühlter Zwischenschicht und hochreinem Quarzplatten-Dichtungsverfahren. Lufteinlass-Modus: Oberer ringförmiger gleichmäßiger Lufteinlass Vakuumversiegelung: Der untere Anschluss der Hauptkammer und die Injektionsklappe sind mit Gummiringen abgedichtet, die Vakuumpumpe und der Faltenbalg sind mit KF abgedichtet, die Quarzplatte ist mit einem Metall-C-Ring abgedichtet, und der Rest ist mit CF abgedichtet Fenster zur Beobachtung und Temperaturmessung: 8 Beobachtungsöffnungen Probenladeöffnung an der Vorderseite der Kammer Stabile Entladung innerhalb des Druckbereichs von 0,7KPa~30KPa (der Leistungsdruck muss angepasst werden)
Probenhalter	Durchmesser des Probentisches≥72mm, effektive Nutzfläche≥66 mm Grundplattenplattform in wassergekühlter Sandwichbauweise Probenhalter kann gleichmäßig elektrisch im Hohlraum angehoben und abgesenkt werden
Gasfluss-System	Ganzmetall-Schweißluftscheibe Für alle internen Gaskreisläufe des Geräts sind Schweiß- oder VCR-Verbindungen zu verwenden. 5 Kanäle MFC-Durchflussmesser, H2/CH4/O2/N/Ar. H2: 1000 sccm; CH4: 100 sccm; O2: 2 sccm; N2: 2 sccm; Ar: 10 sccm Arbeitsdruck 0,05-0,3MPa, Genauigkeit ±2% Unabhängige pneumatische Ventilsteuerung für jeden Kanal-Durchflussmesser
Kühlsystem	3 Linien Wasserkühlung, Echtzeit-Überwachung von Temperatur und Durchfluss. Der Kühlwasserdurchfluss des Systems ist ≤ 50L/min Der Kühlwasserdruck ist <4KG, und die Wassereintrittstemperatur ist 20-25 ℃.
Temperatursensor	Das externe Infrarot-Thermometer hat einen Temperaturbereich von 300-1400 ℃. Genauigkeit der Temperaturregelung < 2 ℃ oder 2%
Steuerungssystem	Siemens smart 200 PLC und Touchscreen-Steuerung sind angenommen. Das System verfügt über eine Vielzahl von Programmen, die das automatische Gleichgewicht der Wachstumstemperatur, die genaue Kontrolle des Wachstums Luftdruck, automatische Temperaturerhöhung, automatische Temperaturabfall und andere Funktionen realisieren können. Durch die Überwachung von Wasserdurchfluss, Temperatur, Druck und anderen Parametern kann ein stabiler Betrieb der Anlage und ein umfassender Schutz der Anlage erreicht werden, und die Zuverlässigkeit und Sicherheit des Betriebs kann durch funktionale Verriegelung gewährleistet werden.
Optionale Funktion	Zentrales Überwachungssystem Substrat basierende Leistung

Warnungen

Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.

Für Sie entworfen

KinTek bietet umfassenden, maßgeschneiderten Service und Ausrüstung für Kunden auf der ganzen Welt. Unsere spezialisierte Teamarbeit und unsere erfahrenen Ingenieure sind in der Lage, die kundenspezifischen Hardware- und Software-Ausrüstungsanforderungen zu erfüllen und unseren Kunden beim Aufbau der exklusiven und personalisierten Ausrüstung und Lösung zu helfen!

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FAQ

Was ist ein CVD-Ofen?

Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.

Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.

Wie funktioniert ein CVD-Ofen?

Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.

Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.

Was ist Mpcvd?

MPCVD steht für Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition und ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Filme auf einer Oberfläche. Es nutzt eine Vakuumkammer, einen Mikrowellengenerator und ein Gaszufuhrsystem, um ein Plasma aus reagierenden Chemikalien und notwendigen Katalysatoren zu erzeugen. MPCVD wird im ANFF-Netzwerk häufig zur Abscheidung von Diamantschichten unter Verwendung von Methan und Wasserstoff eingesetzt, um neuen Diamanten auf einem mit Diamanten bestückten Substrat wachsen zu lassen. Es handelt sich um eine vielversprechende Technologie zur Herstellung kostengünstiger, hochwertiger großer Diamanten und wird in großem Umfang in der Halbleiter- und Diamantschleifindustrie eingesetzt.

Was ist eine CVD-Diamantmaschine?

Eine CVD-Diamantmaschine ist ein Gerät zur Herstellung synthetischer Diamanten durch einen Prozess namens Chemical Vapour Deposition (CVD). Bei diesem Prozess werden chemische Dämpfe abgeschieden, um einen Diamanten zu erzeugen, dessen Eigenschaften denen natürlicher Diamanten entsprechen. CVD-Diamantmaschinen, einschließlich filamentunterstützter thermischer CVD, plasmaunterstützter CVD und verbrennungsflammenunterstützter CVD usw. Die resultierenden CVD-Diamanten sind aufgrund ihrer hohen Härte und langen Werkzeuglebensdauer in der Schneidwerkzeugindustrie nützlich, was sie zu einem wichtigen Werkzeug macht und kostengünstiges Werkzeug zum Schneiden von Nichteisenmaterialien.

Welche Arten von Diamantwachstumsmaschinen gibt es?

Für die Züchtung künstlicher Diamanten stehen mehrere Maschinen zur Verfügung, darunter Heißfaden-CVD, Gleichstrom-Plasmaflammen-CVD, mikrowellenplasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung (MPCVD) und Mikroplasma-CVD (MPCVD). Unter diesen wird MPCVD aufgrund seiner homogenen Erwärmung durch Mikrowellen häufig verwendet. Darüber hinaus kann die Wachstumsrate von Diamant durch Erhöhung der Plasmadichte erhöht werden, und Stickstoff kann hinzugefügt werden, um die Wachstumsrate von Diamant zu verbessern. Um eine ebene Oberfläche zu erreichen, können verschiedene Poliertechniken, darunter mechanisches und chemomechanisches Polieren, eingesetzt werden. Das Wachstum großer Diamanten kann durch Mosaikwachstum oder heteroepitaktisches Wachstum erreicht werden.

Mit welchen Methoden werden dünne Schichten abgeschieden?

Die beiden wichtigsten Methoden zur Abscheidung dünner Filme sind die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD). Bei der CVD werden Reaktionsgase in eine Kammer eingeleitet, wo sie auf der Oberfläche des Wafers reagieren und einen festen Film bilden. PVD beinhaltet keine chemischen Reaktionen; Stattdessen entstehen im Inneren der Kammer Dämpfe der Bestandteile, die dann auf der Waferoberfläche kondensieren und einen festen Film bilden. Zu den gängigen PVD-Typen gehören Aufdampfen und Sputtern. Die drei Arten von Aufdampftechniken sind thermische Verdampfung, Elektronenstrahlverdampfung und induktive Erwärmung.

Welches Gas wird im CVD-Prozess verwendet?

Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.

Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.

Was ist eine Mpcvd-Maschine?

Die MPCVD-Maschine (Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition) ist eine Laborausrüstung zur Züchtung hochwertiger Diamantfilme. Mithilfe eines kohlenstoffhaltigen Gases und eines Mikrowellenplasmas wird über dem Diamantsubstrat eine Plasmakugel erzeugt, die es auf eine bestimmte Temperatur erhitzt. Die Plasmakugel berührt die Hohlraumwand nicht, wodurch der Diamantwachstumsprozess frei von Verunreinigungen ist und die Qualität des Diamanten verbessert wird. Das MPCVD-System besteht aus einer Vakuumkammer, einem Mikrowellengenerator und einem Gaszufuhrsystem, das den Gasfluss in die Kammer steuert.

Was sind die Vorteile von im Labor gezüchteten Diamanten?

Zu den Vorteilen von im Labor gezüchteten Diamanten gehören die Kenntnis ihrer Herkunft, ein niedrigerer Preis, eine höhere Umweltfreundlichkeit und die Möglichkeit, farbige Diamanten einfacher herzustellen. Im Labor gezüchtete Diamanten sind sich ihrer Herkunft fast zu 100 % sicher, sodass sie frei von Konflikten, Kinderausbeutung oder Krieg sind. Sie sind außerdem mindestens 20 % günstiger als natürliche Diamanten gleicher Größe, Reinheit und Schliff. Im Labor gezüchtete Diamanten sind nachhaltiger, da kein Abbau erforderlich ist und sie weniger Auswirkungen auf die Umwelt haben. Schließlich sind synthetische farbige Diamanten einfacher in einer breiten Farbpalette herzustellen und zu einem deutlich günstigeren Preis erhältlich.

Was ist das Grundprinzip von CVD?

Das Grundprinzip der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) besteht darin, ein Substrat einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern auszusetzen, die auf seiner Oberfläche reagieren oder sich zersetzen, um eine dünne Filmabscheidung zu erzeugen. Dieses Verfahren kann für verschiedene Anwendungen eingesetzt werden, beispielsweise zur Strukturierung von Filmen, Isoliermaterialien und leitenden Metallschichten. CVD ist ein vielseitiges Verfahren, mit dem Beschichtungen, Pulver, Fasern, Nanoröhren und monolithische Komponenten synthetisiert werden können. Es ist auch in der Lage, die meisten Metalle und Metalllegierungen sowie deren Verbindungen, Halbleiter und Nichtmetallsysteme herzustellen. Charakteristisch für den CVD-Prozess ist die Ablagerung eines Feststoffs auf einer erhitzten Oberfläche durch eine chemische Reaktion in der Dampfphase.

Was ist eine Anlage zur Dünnschichtabscheidung?

Unter Dünnschicht-Abscheidungsgeräten versteht man die Werkzeuge und Methoden, die zum Erstellen und Abscheiden dünner Filmbeschichtungen auf einem Substratmaterial verwendet werden. Diese Beschichtungen können aus verschiedenen Materialien bestehen und unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, die die Leistung des Substrats verbessern oder verändern können. Die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) ist eine beliebte Technik, bei der ein festes Material im Vakuum verdampft und dann auf einem Substrat abgeschieden wird. Andere Methoden umfassen Verdampfen und Sputtern. Anlagen zur Dünnschichtabscheidung werden unter anderem bei der Herstellung optoelektronischer Geräte, medizinischer Implantate und Präzisionsoptiken eingesetzt.

Was ist der Vorteil des CVD-Systems?

Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten

Was sind die Vorteile von Mpcvd?

MPCVD hat gegenüber anderen Methoden der Diamantherstellung mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere Reinheit, einen geringeren Energieverbrauch und die Möglichkeit, größere Diamanten herzustellen.

Was kostet eine CVD-Wachstumsmaschine?

Der Preis einer CVD-Züchtungsmaschine kann je nach Größe und Komplexität der Einheit stark variieren. Kleine Tischmodelle, die für Forschungs- und Entwicklungszwecke konzipiert sind, können etwa 50.000 US-Dollar kosten, während Maschinen im industriellen Maßstab, mit denen große Mengen hochwertiger Diamanten hergestellt werden können, über 200.000 US-Dollar kosten können. Allerdings ist der Preis von CVD-Diamanten im Allgemeinen niedriger als der von geförderten Diamanten, was sie für Verbraucher zu einer erschwinglicheren Option macht.

Welche verschiedenen Arten von CVD-Methoden gibt es?

Zu den verschiedenen Arten von CVD-Methoden gehören Atmosphärendruck-CVD (APCVD), Niederdruck-CVD (LPCVD), Ultrahochvakuum-CVD, durch Aerosole unterstütztes CVD, CVD mit direkter Flüssigkeitseinspritzung, Heißwand-CVD, Kaltwand-CVD, Mikrowellen-Plasma-CVD, Plasma-CVD. Enhanced CVD (PECVD), Remote Plasma Enhanced CVD, Low Energy Plasma Enhanced CVD, Atomic Layer CVD, Combustion CVD und Hot Filament CVD. Diese Methoden unterscheiden sich im Mechanismus, durch den chemische Reaktionen ausgelöst werden, und in den Betriebsbedingungen.

Was ist die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?

Bei der Dünnschichtabscheidungstechnologie wird ein sehr dünner Materialfilm mit einer Dicke von einigen Nanometern bis 100 Mikrometern auf eine Substratoberfläche oder auf zuvor aufgebrachte Beschichtungen aufgetragen. Diese Technologie wird bei der Herstellung moderner Elektronik eingesetzt, darunter Halbleiter, optische Geräte, Solarmodule, CDs und Festplatten. Die beiden großen Kategorien der Dünnschichtabscheidung sind die chemische Abscheidung, bei der eine chemische Veränderung eine chemisch abgeschiedene Beschichtung erzeugt, und die physikalische Gasphasenabscheidung, bei der ein Material aus einer Quelle freigesetzt und mithilfe mechanischer, elektromechanischer oder thermodynamischer Prozesse auf einem Substrat abgeschieden wird.

Wofür steht PECVD?

PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.

Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.

Sind CVD-Diamanten echt oder gefälscht?

CVD-Diamanten sind echte Diamanten und keine Fälschungen. Sie werden in einem Labor durch einen Prozess namens Chemical Vapour Deposition (CVD) gezüchtet. Im Gegensatz zu natürlichen Diamanten, die unter der Erdoberfläche abgebaut werden, werden CVD-Diamanten mithilfe fortschrittlicher Technologie in Laboren hergestellt. Diese Diamanten bestehen zu 100 % aus Kohlenstoff und sind die reinste Form von Diamanten, die als Typ-IIa-Diamanten bekannt sind. Sie haben die gleichen optischen, thermischen, physikalischen und chemischen Eigenschaften wie natürliche Diamanten. Der einzige Unterschied besteht darin, dass CVD-Diamanten in einem Labor hergestellt und nicht aus der Erde abgebaut werden.

Was ist der Unterschied zwischen CVD und PECVD?

Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.

Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.

Weitere FAQs zu diesem Produkt anzeigen

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KINTEK's MPCVD machine is a game-changer! Its 1-10Kw adjustable output microwave power feature not only saves electricity but also ensures precise control over the diamond growth process.

Harshitha Gujjar

4.8

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As a lab manager, I appreciate the stability and reliability of the KINTEK MPCVD system. It has been running non-stop for over 40,000 hours, providing us with consistent, high-quality diamond growth.

Elvin Wang

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The rich experience and frontier diamond growing recipe support from KINTEK's research team have been invaluable. Their expertise has helped us optimize our MPCVD process and achieve exceptional results.

Sophia Mitchell

4.8

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KINTEK's exclusive technical support program for teams with zero diamond growing experience is a lifesaver. Their guidance and assistance have been instrumental in our successful adoption of the MPCVD system.

Mustafa Kamal

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The 3 inches substrate growing area and max. batch load of up to 45 pieces diamonds make the KINTEK MPCVD machine a highly efficient and productive choice for our lab. We can now produce more diamonds in less time.

Isabella Garcia

4.9

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The KINTEK MPCVD system is a technological marvel. Its advanced features and continuous upgrades have kept us at the forefront of diamond growth innovation.

Oliver Chen

4.7

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5

The competitive price of the KINTEK MPCVD equipment makes it an affordable and accessible solution for labs like ours. We're grateful for the opportunity to leverage its cutting-edge technology without breaking the bank.

Aisha Khan

5.0

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The KINTEK MPCVD machine has exceeded our expectations. Its user-friendly interface, stable performance, and exceptional diamond quality have made it an indispensable tool in our lab.

Elijah Harper