MPCVD
915MHz MPCVD Diamant-Maschine
Artikelnummer : MP-CVD-101
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Die MPCVD-Diamantenmaschine ist eine revolutionäre Technologie, die die chemische Gasphasenabscheidung mit Mikrowellenplasma (MPCVD) zur Synthese von Diamanten nutzt. Diese fortschrittliche Methode ermöglicht ein schnelleres Kristallwachstum, eine höhere Produktionskapazität und eine verbesserte Qualität der Diamanten im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren.
Die MPCVD-Diamantenmaschine ermöglicht eine präzise Steuerung der Mikrowellenleistung und der Reaktionstemperatur und beseitigt damit Probleme, die bei anderen CVD-Verfahren auftreten. Durch die Optimierung des Designs der Reaktionskammer und der Prozessparameter wird eine stabile Plasmaentladung erreicht, die für die Herstellung hochwertiger, großformatiger einkristalliner Diamanten entscheidend ist.
Die Vielseitigkeit der MPCVD-Diamantenmaschine erstreckt sich auch auf die Herstellung von Diamanten in verschiedenen Farben, darunter weiß, gelb, rosa und blau. Darüber hinaus bietet sie eine anpassbare Produktion, um den spezifischen Marktanforderungen gerecht zu werden.
Anwendung
MPCVD-Diamantmaschinen werden aufgrund der einzigartigen Eigenschaften von Diamanten, wie Härte, Steifigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Wärmeausdehnung, Strahlungshärte und chemische Inertheit, in verschiedenen Branchen eingesetzt. Hier sind einige der wichtigsten Anwendungsbereiche von MPCVD-Diamantmaschinen:
- Diamant-Edelsteine: MPCVD ist die wichtigste Anlage für die Züchtung von hochwertigen, großformatigen Diamantsteinen.
- Diamantfilme: MPCVD wird für die Züchtung von Diamantschichten für eine Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter großformatige Diamantsubstrate für die Halbleiterindustrie und Diamantschneid- oder Bohrwerkzeuge.
- Industrielle Anwendungen: MPCVD wird zur Herstellung von Diamantbeschichtungen für Schneidwerkzeuge, Bohrer und andere industrielle Anwendungen verwendet, bei denen extreme Härte und Haltbarkeit erforderlich sind.
- Biomedizinische Anwendungen: MPCVD wird zur Herstellung von Diamantbeschichtungen für medizinische Implantate wie künstliche Gelenke und Zahnimplantate verwendet, bei denen es auf Biokompatibilität und Haltbarkeit ankommt.
- Optoelektronik: MPCVD wird zur Herstellung von Diamantfenstern und -substraten für optoelektronische Geräte wie Hochleistungslaser und -detektoren verwendet, bei denen hohe Wärmeleitfähigkeit und geringe Wärmeausdehnung entscheidend sind.
Detail & Teile
Prinzip
Die chemische Gasphasenabscheidung mittels Mikrowellenplasma (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition, MPCVD) ist ein chemischer Gasphasenabscheidungsprozess, bei dem eine kontinuierliche Mikrowellenquelle zur Erzeugung und Aufrechterhaltung eines hochreaktiven Plasmas eingesetzt wird, das aus reagierenden Chemikalien und wichtigen Katalysatoren besteht. MPCVD wird häufig zur Abscheidung von Diamantschichten eingesetzt - Methan und Wasserstoff werden eingeführt und genutzt, um neuen Diamant auf einem mit Diamanten besetzten Substrat zu züchten.
Merkmale
Die MPCVD-Diamantmaschine bietet mehrere Vorteile, von denen die Kunden profitieren:
- Schnellere Kristallzüchtung: 10-100 mal schneller als herkömmliche Methoden, was zu einer höheren Produktionseffizienz führt.
- Mehr Produktionskapazität: Ermöglicht eine höhere Produktionskapazität in einer einzigen Charge, was die Diamantsynthese in größerem Maßstab ermöglicht.
- Höhere Qualitätsleistung: Erzeugt Diamanten mit höherer Härte und Zähigkeit als natürliche Diamanten, was Haltbarkeit und Langlebigkeit gewährleistet.
- Bessere Farbvielfalt: Ermöglicht die Herstellung von Diamanten in einer Reihe von Farben, darunter weiß, gelb, rosa und blau, um die unterschiedlichen Marktanforderungen zu erfüllen.
- Höhere Reinheit der Diamanten: Produziert Diamanten mit höherem Reinheitsgrad als natürliche Diamanten des Typs II, was außergewöhnliche optische Eigenschaften und die Eignung für verschiedene Anwendungen gewährleistet.
- Multistil-Anpassung: Bietet anpassbare Designs, um spezifische Marktanforderungen zu erfüllen, und bietet maßgeschneiderte Lösungen für verschiedene Branchen.
Technische Daten
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Mikrowellensystem (je nach optionaler Stromversorgung) |
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Vakuumsystem und Reaktionskammer |
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Probenhalter-System |
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Gasanlage |
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Kühlung des Systems |
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Verfahren zur Temperaturmessung |
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SL901A Geräteschlüssel-Teileliste
| Seriennummer | Name des Moduls | Bemerkung |
|---|---|---|
| 1 | Mikrowellen-Stromversorgung | Standard-Inlandsmagnetron: Yingjie Electric / Distinguish-Stromversorgung Inländische Halbleiterquelle: Watson (+30.000) Importiertes Magnetron: MKS/Pastoral (+100.000) |
| 2 | Hohlleiter, drei Stifte, Modenwandler, oberer Resonator | Selbst gemacht |
| 3 | Vakuumreaktionskammer (obere Kammer, untere Kammer, Anschlüsse) | Selbst hergestellt |
| 4 | Infrarot-Thermometer, optische Verschiebungselemente, Halterungen | Infrarot-Thermometer, optische Verschiebungselemente, Fuji Gold Siemens + Schneider Halterungen |
| 5 | Wasserkühlung von Komponenten für Tischbewegungen (Zylinder, Werkstücke usw.) | |
| 6 | Keramisches Dünnschicht-Vakuummeter, Pirani-Vakuummeter | Inficon |
| 7 | Komponenten für Vakuumventile (Ultrahochvakuum-Schieberventil, pneumatisches Präzisionsventil*2, elektromagnetisches Vakuumdifferenzialventil) | Fujikin + Zhongke + Himat |
| 8 | Vakuumpumpe und Anschlussleitungen, T-Stück, KF25-Faltenbalg*2, Adapter | Pumpe: Flyover 16L |
| 9 | Metall-Mikrowellen-Dichtungsring*2; Metall-Vakuum-Dichtungsring*1; Quarzplatte | Quarz: Shanghai FeilihuaSemiconductor Grade High Purity Quartz |
| 10 | Komponenten für zirkulierendes Wasser (Gelenke, Umlenkblöcke, Durchflussdetektoren) | Japanisches SMC/CKD |
| 11 | Pneumatisches Teil (CKD-Filter, Airtac-Mehrwege-Magnetventil, Rohrverbindungen und Adapter) | |
| 12 | Gasanschluss, EP-Gasleitung, VCR-Anschluss, Filter 0,0023μm *1, Filter 10μm*2 | Fujikin |
| 13 | Maschinengehäuse, Tisch aus rostfreiem Stahl, Universalräder, Füße, Befestigungsschrauben für die Halterung, usw. | Sonderanfertigung |
| 14 | Gasdurchflussmesser*6 (einschließlich einer Druckregelung) | Standard Sieben-Sterne, optional Fuji Gold ( +34.000 ) / Alicat (42.000) |
| 15 | Gasplattenverarbeitung (5-Wege-Gas, Filter*5, Pneumatikventil*5, Handventil*6, Rohrleitungsschweißen) | Fuji Gold |
| 16 | Automatische PLC-Steuerung | Siemens und Schneider |
| 17 | Molybdän-Tisch | |
Vorteile
- Schnellere Kristallzüchtung - 10-100 mal schneller als herkömmliche Methoden
- Mehr Produktionskapazität - mehr Produktionskapazität in einer einzigen Charge
- Höhere Qualitätsleistung - höhere Härte und Zähigkeit als bei natürlichen Diamanten
- Größere Farbvielfalt - weiß, gelb, rosa, blau usw.
- Höhere Diamantenreinheit - reiner als natürliche Diamanten Typ
- Multi-Style-Anpassung kann entsprechend den verschiedenen Märkten angepasst werden
FAQ
Was ist ein CVD-Ofen?
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.
Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.
Wie funktioniert ein CVD-Ofen?
Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.
Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.
Was ist Mpcvd?
Was ist eine CVD-Diamantmaschine?
Welche Arten von Diamantwachstumsmaschinen gibt es?
Mit welchen Methoden werden dünne Schichten abgeschieden?
Welches Gas wird im CVD-Prozess verwendet?
Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.
Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.
Was ist eine Mpcvd-Maschine?
Was sind die Vorteile von im Labor gezüchteten Diamanten?
Was ist das Grundprinzip von CVD?
Was ist eine Anlage zur Dünnschichtabscheidung?
Was ist der Vorteil des CVD-Systems?
- Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
- Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
- Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
- Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
- Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
- Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
- Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten
Was sind die Vorteile von Mpcvd?
Was kostet eine CVD-Wachstumsmaschine?
Welche verschiedenen Arten von CVD-Methoden gibt es?
Was ist die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?
Wofür steht PECVD?
PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.
Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.
Sind CVD-Diamanten echt oder gefälscht?
Was ist der Unterschied zwischen CVD und PECVD?
Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.
Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.
4.8
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I'm marvelled by the MPCVD machine's ability to produce high-purity diamonds with minimal energy consumption.
4.9
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4.7
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