Beim AC-Sputtern, insbesondere beim planaren AC-Magnetron-Sputtern, wird eine Wechselstrom- (AC) anstelle einer Gleichstrom- (DC) Stromversorgung verwendet.
Dieser Wechsel der Stromversorgungsart bringt mehrere wesentliche Unterschiede und Vorteile für den Sputterprozess mit sich.
5 Hauptvorteile des AC-Sputterns
1. Änderung der Stromzufuhr
Beim AC-Sputtern wird die Gleichstromversorgung, die beim herkömmlichen planaren Magnetron-Sputtern verwendet wird, durch eine Wechselstromversorgung ersetzt.
Diese Änderung ist von grundlegender Bedeutung, da sie die Wechselwirkung des Targets mit dem Plasma verändert.
Das Targetpotenzial beim AC-Sputtern ist keine konstante negative Spannung wie beim DC-Sputtern, sondern es erfährt eine Reihe von abwechselnden positiven und negativen Impulsen.
Dieses dynamische Potenzial trägt dazu bei, die Plasmaumgebung effektiver zu steuern.
2. Beseitigung abnormer Entladungen
Die Wechselspannung, die an das Target angelegt wird, trägt dazu bei, anormale Entladungsphänomene zu verringern oder zu beseitigen.
Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung eines stabilen und effizienten Sputterprozesses.
Abnormale Entladungen können die Gleichmäßigkeit und Qualität des Abscheidungsprozesses stören, und ihre Verringerung oder Beseitigung durch das AC-Sputtern erhöht die Zuverlässigkeit des Gesamtprozesses.
3. Erhöhte Plasmadichte
Die Verwendung von Wechselstrom führt auch zu einer Erhöhung der Plasmadichte in der Nähe des Substrats.
Dies ist vorteilhaft, da eine höhere Plasmadichte den Ionenbeschuss des Targets erhöhen kann, was zu einer höheren Abscheiderate führt.
Diese Steigerung erfolgt ohne zusätzliche Kühlungsmaßnahmen für das Target, da die auf die Targetoberfläche aufgebrachte durchschnittliche Leistung konstant bleibt.
4. Vorteile des AC-Sputterns
Mit dem AC-Sputtern können Materialien wie ZAO-Targets (mit Aluminium dotiertes Zinkoxid) und andere Halbleitertargets effektiv gesputtert werden.
Im Vergleich zum Hochfrequenzsputtern (RF) ist es weniger schädlich für das Bedienpersonal.
Es kann den Abscheidungsprozess stabilisieren, indem es das Problem der Vergiftung des Targetmaterials beseitigt, das beim Reaktionssputtern von Verbundschichten auftreten kann.
Die Prozessparameter beim AC-Sputtern sind leicht steuerbar, und die Schichtdicke kann gleichmäßiger gestaltet werden.
5. Auswirkungen des Magnetfeldes
Das Vorhandensein eines Magnetfeldes beim planaren AC-Magnetron-Sputtern trägt zur Konzentration der Elektronen bei und erhöht damit die Elektronendichte.
Diese erhöhte Elektronendichte verbessert die Ionisierung von Argon, was zu einer höheren Rate von Argon-Ionen führt, die das Target beschießen, wodurch die Abscheidungsrate erhöht wird.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das AC-Sputtern, insbesondere im Zusammenhang mit dem planaren Magnetronsputtern, erhebliche Verbesserungen gegenüber dem herkömmlichen DC-Sputtern bietet, da es die Prozessstabilität, die Effizienz und die Fähigkeit, eine Vielzahl von Targetmaterialien zu verarbeiten, erhöht.
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