Die chemische Methode zur Abscheidung dünner Schichten wird als chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bezeichnet.
Bei der CVD wird ein Substrat in eine Vakuumkammer gelegt.
Zwei chemische Grundstoffe werden erhitzt, wodurch sie verdampfen.
Wenn diese verdampften Grundstoffe auf der Substratoberfläche aufeinander treffen, kommt es zu einer chemischen Reaktion.
Diese Reaktion führt zur Bildung einer dünnen Beschichtung.
CVD ist eine weit verbreitete Technik zur Herstellung von Hochleistungs-Dünnschichten mit spezifischen Materialeigenschaften.
Es wird häufig in der Halbleiterherstellung und in anderen Industriezweigen eingesetzt, in denen eine genaue Kontrolle der Schichtzusammensetzung und -dicke erforderlich ist.
Was ist die chemische Methode zur Dünnschichtabscheidung? 5 wichtige Punkte, die Sie wissen sollten
1. Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
CVD ist die chemische Methode für die Abscheidung dünner Schichten.
2. Platzierung des Substrats
Das Substrat wird während des Prozesses in einer Vakuumkammer platziert.
3. Erhitzung und Verdampfung
Zwei chemische Grundstoffe werden erhitzt und verdampfen.
4. Chemische Reaktion
Wenn die verdampften Grundstoffe auf die Substratoberfläche treffen, kommt es zu einer chemischen Reaktion.
5. Bildung eines dünnen Films
Diese Reaktion führt zur Bildung eines dünnen Films.
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