Die chemische Methode zur Abscheidung von Dünnschichten wird als chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bezeichnet. Bei der CVD-Beschichtung wird ein Substrat in eine Vakuumkammer gelegt, und zwei chemische Grundstoffe werden erhitzt, so dass sie verdampfen. Wenn diese verdampften Grundstoffe auf der Substratoberfläche aufeinander treffen, kommt es zu einer chemischen Reaktion, die zur Bildung einer Dünnschicht führt. CVD ist eine weit verbreitete Technik zur Herstellung von Hochleistungs-Dünnschichten mit spezifischen Materialeigenschaften. Sie wird häufig in der Halbleiterherstellung und in anderen Industriezweigen eingesetzt, in denen eine genaue Kontrolle der Schichtzusammensetzung und -dicke erforderlich ist.
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