CVD- und PECVD-Ofen

Schräge Rotationsrohrofenmaschine für plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD).

Name: Schräge Rotationsrohrofenmaschine für plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD).
Brand: Kintek Solution
SKU: KT-PE16
Rating: 4.75 (13 reviews)

Artikelnummer : KT-PE16

Preis variiert je nach specs and customizations

Max. Temperatur: 1600 ℃
Konstante Arbeitstemperatur: 1550 ℃
Durchmesser des Ofenrohrs: 60 mm
Länge der Heizzone: 2x300 mm
Erwärmungsrate: 0-10 ℃/min

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Beschreibung
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Anwendungen

Der geneigte rotierende PECVD-Ofen KT-PE16 besteht aus einer 500-W-RF-Plasmaquelle, einem TF-1200-Röhrenofen mit zwei Zonen, einer 4-MFC-Gas-Präzisionssteuereinheit und einer Standard-Vakuumstation. Ofen max. Die Arbeitstemperatur beträgt bis zu 1600 °C. Das Ofenrohr besteht aus einem Al2O2-Keramikrohr mit einem Durchmesser von 60 mm. 4-Kanal-MFC-Massendurchflussmesser mit den Gasquellen CH4, H2, O2 und N2; Die Vakuumstation ist eine 4L/S-Drehschieber-Vakuumpumpe, max. Der Vakuumdruck beträgt bis zu 10 Pa

Vorteile

Automatische HF-Plasma-Anpassungsquelle, breiter Ausgangsleistungsbereich von 5–500 W, stabile Leistung
Es stehen ein Ofenkammer-Schiebesystem für Hochgeschwindigkeitsheizen und Kurzzeitkühlen, zusätzliches Schnellkühlen und automatische Schiebebewegung zur Verfügung
PID-programmierbare Temperaturregelung, hervorragende Regelgenauigkeit und Unterstützung für Fernsteuerung und zentrale Steuerung
Hochpräzise Steuerung des MFC-Massendurchflussmessers, Vormischung der Quellgase und stabile Gaszufuhrgeschwindigkeit
Edelstahl-Vakuumflansch mit verschiedenen Adapteranschlüssen für unterschiedliche Konfigurationen von Vakuumpumpstationen, gute Abdichtung und hoher Vakuumgrad
CTF Pro verfügt über einen 7-Zoll-TFT-Touchscreen-Controller, benutzerfreundlichere Programmeinstellungen und Verlaufsdatenanalyse

Sicherheitsvorteil

Der Kindle Tech-Röhrenofen verfügt über einen Überstromschutz und eine Übertemperatur-Alarmfunktion. Der Ofen schaltet den Strom automatisch ab
Der eingebaute Ofen verfügt über eine Funktion zur Erkennung von thermischen Paaren. Der Ofen stoppt das Heizen und der Alarm wird aktiviert, sobald ein Defekt oder ein Fehler erkannt wird
PE Pro unterstützt die Neustartfunktion bei Stromausfall. Der Ofen nimmt das Ofenheizprogramm wieder auf, wenn nach einem Stromausfall Strom anliegt

Technische Spezifikationen

Ofenmodell	PE-1600-60
Max. Temperatur	1600℃
Konstante Arbeitstemperatur	1550℃
Ofenrohrmaterial	Hochreines Al2O3-Rohr
Durchmesser des Ofenrohrs	60mm
Länge der Heizzone	2x300mm
Kammermaterial	Japanische Aluminiumoxidfaser
Heizkörper	Molybdändisilizid
Erwärmungsrate	0-10℃/min
Wärmepaar	B-Typ
Temperaturregler	Digitaler PID-Regler/Touchscreen-PID-Regler
Genauigkeit der Temperaturregelung	±1℃
RF-Plasma-Einheit
Ausgangsleistung	5–500 W einstellbar mit ± 1 % Stabilität
HF-Frequenz	13,56 MHz ±0,005 % Stabilität
Reflexionskraft	350W max.
Passend	Automatisch
Lärm	<50 dB
Kühlung	Luftkühlung.
Gaspräzises Steuergerät
Durchflussmesser	MFC-Massendurchflussmesser
Gaskanäle	4 Kanäle
Fließrate	MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2
Linearität	±0,5 % FS
Wiederholbarkeit	±0,2 % FS
Rohrleitung und Ventil	Edelstahl
Maximaler Betriebsdruck	0,45 MPa
Durchflussmesser-Controller	Digitaler Knopf-Controller/Touchscreen-Controller
Standard-Vakuumeinheit (optional)
Vakuumpumpe	Drehschieber-Vakuumpumpe
Fördermenge der Pumpe	4L/S
Vakuum-Sauganschluss	KF25
Vakuummessgerät	Pirani/Resistance-Silizium-Vakuummeter
Nennvakuumdruck	10Pa
Hochvakuumeinheit (optional)
Vakuumpumpe	Drehschieberpumpe+Molekularpumpe
Fördermenge der Pumpe	4L/S+110L/S
Vakuum-Sauganschluss	KF25
Vakuummessgerät	Verbundvakuummeter
Nennvakuumdruck	6x10-5Pa
Die oben genannten Spezifikationen und Setups können individuell angepasst werden

Standardpaket

NEIN.	Beschreibung	Menge
1	Ofen	1
2	Quarzrohr	1
3	Vakuumflansch	2
4	Rohr-Thermoblock	2
5	Rohr-Thermoblockhaken	1
6	Hitzebeständiger Handschuh	1
7	RF-Plasmaquelle	1
8	Präzise Gassteuerung	1
9	Vakuumeinheit	1
10	Bedienungsanleitung	1

Optionales Setup

Erkennung und Überwachung von Rohrgasen wie H2, O2 usw
Unabhängige Überwachung und Aufzeichnung der Ofentemperatur
RS 485-Kommunikationsanschluss für PC-Fernsteuerung und Datenexport
Fügen Sie Gase ein, die die Durchflussmenge steuern, z. B. Massendurchflussmesser und Schwebekörper-Durchflussmesser
Touchscreen-Temperaturregler mit vielseitigen, bedienerfreundlichen Funktionen
Hochvakuumpumpstationsaufbauten, wie Flügelzellenvakuumpumpe, Molekularpumpe, Diffusionspumpe

Warnungen

Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.

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FAQ

Was ist ein Rohrofen?

Der Laborrohrofen ist ein klassischer Hochtemperatur-Rohrofen mit externer Heizung, auch Heißwandheizofen genannt.

Abhängig von der unterschiedlichen Arbeitstemperatur kann das Ofenrohrmaterial normalerweise aus transparenten Quarzrohren, hochreinen Aluminiumoxid-Keramikrohren und hochfesten Metalllegierungsrohren bestehen.

Um unterschiedliche thermische Forschungszwecke zu erfüllen, können Rohröfen mit mehreren Heizzonen ausgestattet werden, um eine flexible Steuerung des Temperaturgradienten in der Rohrarbeitskammer zu ermöglichen. Das Ofenrohr kann in einer Arbeitsumgebung mit kontrollierter Atmosphäre oder in einer Hochvakuum-Arbeitsumgebung betrieben werden.

Was ist ein CVD-Ofen?

Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.

Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.

Wie funktioniert ein Rohrofen?

Die Heizelemente des Rohrofens sind um den zylindrischen Hohlraum herum angeordnet. Der Ofen kann die Proben im zylindrischen Hohlraum nur durch indirekte Wärmestrahlung erwärmen, da das Ofenrohr verhindern kann, dass das Probenmaterial mit den Heizelementen und Isoliermaterialien des Ofens in Kontakt kommt, sodass der Rohrofen eine saubere Isolierung schafft Wärmekammer und verringern das Risiko einer Kontamination des Probenmaterials durch den Ofen.

Wie funktioniert ein CVD-Ofen?

Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.

Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.

Was ist die PECVD-Methode?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) ist ein Verfahren, das in der Halbleiterfertigung zur Abscheidung dünner Filme auf mikroelektronischen Geräten, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet wird. Beim PECVD wird ein Vorläufer in gasförmigem Zustand in die Reaktionskammer eingeführt und mithilfe von plasmareaktiven Medien dissoziiert der Vorläufer bei viel niedrigeren Temperaturen als beim CVD. PECVD-Systeme bieten eine hervorragende Filmgleichmäßigkeit, eine Verarbeitung bei niedriger Temperatur und einen hohen Durchsatz. Sie werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt und werden in der Halbleiterindustrie eine immer wichtigere Rolle spielen, da die Nachfrage nach fortschrittlichen elektronischen Geräten weiter wächst.

Mit welchen Methoden werden dünne Schichten abgeschieden?

Die beiden wichtigsten Methoden zur Abscheidung dünner Filme sind die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD). Bei der CVD werden Reaktionsgase in eine Kammer eingeleitet, wo sie auf der Oberfläche des Wafers reagieren und einen festen Film bilden. PVD beinhaltet keine chemischen Reaktionen; Stattdessen entstehen im Inneren der Kammer Dämpfe der Bestandteile, die dann auf der Waferoberfläche kondensieren und einen festen Film bilden. Zu den gängigen PVD-Typen gehören Aufdampfen und Sputtern. Die drei Arten von Aufdampftechniken sind thermische Verdampfung, Elektronenstrahlverdampfung und induktive Erwärmung.

Was ist die Anwendung für Rohröfen?

Rohröfen werden hauptsächlich in der Metallurgie, Glas, Wärmebehandlung, Lithiumanoden- und -kathodenmaterialien, neuen Energien, Schleifmitteln und anderen Industrien eingesetzt und sind eine professionelle Ausrüstung zur Messung von Materialien unter bestimmten Temperaturbedingungen.

Der Rohrofen zeichnet sich durch einfache Struktur, einfache Bedienung, einfache Steuerung und kontinuierliche Produktion aus.

Rohröfen werden auch häufig in CVD-Systemen (chemische Gasphasenabscheidung) und plasmaunterstützten CVD-Systemen eingesetzt.

Welches Gas wird im CVD-Prozess verwendet?

Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.

Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.

Was ist das Grundprinzip von CVD?

Das Grundprinzip der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) besteht darin, ein Substrat einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern auszusetzen, die auf seiner Oberfläche reagieren oder sich zersetzen, um eine dünne Filmabscheidung zu erzeugen. Dieses Verfahren kann für verschiedene Anwendungen eingesetzt werden, beispielsweise zur Strukturierung von Filmen, Isoliermaterialien und leitenden Metallschichten. CVD ist ein vielseitiges Verfahren, mit dem Beschichtungen, Pulver, Fasern, Nanoröhren und monolithische Komponenten synthetisiert werden können. Es ist auch in der Lage, die meisten Metalle und Metalllegierungen sowie deren Verbindungen, Halbleiter und Nichtmetallsysteme herzustellen. Charakteristisch für den CVD-Prozess ist die Ablagerung eines Feststoffs auf einer erhitzten Oberfläche durch eine chemische Reaktion in der Dampfphase.

Wofür wird PECVD verwendet?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) wird in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung integrierter Schaltkreise sowie in den Bereichen Photovoltaik, Tribologie, Optik und Biomedizin eingesetzt. Es wird zur Abscheidung dünner Schichten für mikroelektronische Geräte, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet. Mit PECVD können einzigartige Verbindungen und Filme hergestellt werden, die mit herkömmlichen CVD-Techniken allein nicht hergestellt werden können, sowie Filme, die eine hohe Lösungsmittel- und Korrosionsbeständigkeit sowie chemische und thermische Stabilität aufweisen. Es wird auch zur Herstellung homogener organischer und anorganischer Polymere auf großen Oberflächen sowie von diamantähnlichem Kohlenstoff (DLC) für tribologische Anwendungen verwendet.

PACVD ist PECVD?

Ja, PACVD (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) ist ein anderer Begriff für PECVD (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung). Bei diesem Verfahren wird ein in einem elektrischen Feld gebildetes energiereiches Plasma verwendet, um die CVD-Reaktion bei niedrigeren Temperaturen als beim thermischen CVD zu aktivieren, was es ideal für Substrate oder abgeschiedene Filme mit einem geringen Wärmebudget macht. Durch Variation des Plasmas können die Eigenschaften des abgeschiedenen Films zusätzlich gesteuert werden. Die meisten PECVD-Prozesse werden bei niedrigem Druck durchgeführt, um das Entladungsplasma zu stabilisieren.

Was ist eine Anlage zur Dünnschichtabscheidung?

Unter Dünnschicht-Abscheidungsgeräten versteht man die Werkzeuge und Methoden, die zum Erstellen und Abscheiden dünner Filmbeschichtungen auf einem Substratmaterial verwendet werden. Diese Beschichtungen können aus verschiedenen Materialien bestehen und unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, die die Leistung des Substrats verbessern oder verändern können. Die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) ist eine beliebte Technik, bei der ein festes Material im Vakuum verdampft und dann auf einem Substrat abgeschieden wird. Andere Methoden umfassen Verdampfen und Sputtern. Anlagen zur Dünnschichtabscheidung werden unter anderem bei der Herstellung optoelektronischer Geräte, medizinischer Implantate und Präzisionsoptiken eingesetzt.

Wie viele verschiedene Arten von Rohröfen gibt es?

Rohröfen können mit verschiedenen mechanischen Funktionen reibungslos arbeiten, daher gibt es viele verschiedene Rohrofenvarianten für verschiedene Versuchszwecke. Typische Ofenöfen sind wie folgt:

Horizontaler Rohrofen
Vertikaler Rohrofen
Geteilter Rohrofen
Drehrohrofen
Kipprohrofen
Schieberohrofen
Schneller Heiz- und Kühlrohrofen
Kontinuierlicher Zufuhr- und Abfuhrrohrofen

Was ist der Vorteil des CVD-Systems?

Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten

Welche verschiedenen Arten von CVD-Methoden gibt es?

Zu den verschiedenen Arten von CVD-Methoden gehören Atmosphärendruck-CVD (APCVD), Niederdruck-CVD (LPCVD), Ultrahochvakuum-CVD, durch Aerosole unterstütztes CVD, CVD mit direkter Flüssigkeitseinspritzung, Heißwand-CVD, Kaltwand-CVD, Mikrowellen-Plasma-CVD, Plasma-CVD. Enhanced CVD (PECVD), Remote Plasma Enhanced CVD, Low Energy Plasma Enhanced CVD, Atomic Layer CVD, Combustion CVD und Hot Filament CVD. Diese Methoden unterscheiden sich im Mechanismus, durch den chemische Reaktionen ausgelöst werden, und in den Betriebsbedingungen.

Was sind die Vorteile von PECVD?

Die Hauptvorteile von PECVD sind die Möglichkeit, bei niedrigeren Abscheidungstemperaturen zu arbeiten, was eine bessere Konformität und Stufenabdeckung auf unebenen Oberflächen, eine genauere Kontrolle des Dünnschichtprozesses und hohe Abscheidungsraten bietet. PECVD ermöglicht erfolgreiche Anwendungen in Situationen, in denen herkömmliche CVD-Temperaturen möglicherweise das zu beschichtende Gerät oder Substrat beschädigen könnten. Durch den Betrieb bei einer niedrigeren Temperatur erzeugt PECVD weniger Spannung zwischen dünnen Filmschichten, was eine hocheffiziente elektrische Leistung und eine Verbindung nach sehr hohen Standards ermöglicht.

Was ist die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?

Bei der Dünnschichtabscheidungstechnologie wird ein sehr dünner Materialfilm mit einer Dicke von einigen Nanometern bis 100 Mikrometern auf eine Substratoberfläche oder auf zuvor aufgebrachte Beschichtungen aufgetragen. Diese Technologie wird bei der Herstellung moderner Elektronik eingesetzt, darunter Halbleiter, optische Geräte, Solarmodule, CDs und Festplatten. Die beiden großen Kategorien der Dünnschichtabscheidung sind die chemische Abscheidung, bei der eine chemische Veränderung eine chemisch abgeschiedene Beschichtung erzeugt, und die physikalische Gasphasenabscheidung, bei der ein Material aus einer Quelle freigesetzt und mithilfe mechanischer, elektromechanischer oder thermodynamischer Prozesse auf einem Substrat abgeschieden wird.

Wofür steht PECVD?

PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.

Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.

Was ist der Unterschied zwischen ALD und PECVD?

ALD ist ein Dünnschichtabscheidungsverfahren, das eine Auflösung der Atomschichtdicke, eine hervorragende Gleichmäßigkeit von Oberflächen mit hohem Aspektverhältnis und lochfreie Schichten ermöglicht. Dies wird durch die kontinuierliche Bildung von Atomschichten in einer selbstlimitierenden Reaktion erreicht. PECVD hingegen beinhaltet das Mischen des Ausgangsmaterials mit einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern unter Verwendung eines Plasmas, um chemisch zu interagieren und das Ausgangsmaterial aufzubrechen. Die Prozesse verwenden Wärme mit höheren Drücken, was zu einem besser reproduzierbaren Film führt, bei dem die Filmdicke durch Zeit/Leistung gesteuert werden kann. Diese Filme sind stöchiometrischer, dichter und können Isolatorfilme höherer Qualität bilden.

Was ist der Unterschied zwischen CVD und PECVD?

Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.

Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.

Was ist der Unterschied zwischen PECVD und Sputtern?

PECVD und Sputtern sind beide physikalische Gasphasenabscheidungstechniken, die für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden. PECVD ist ein diffusives gasbetriebenes Verfahren, das dünne Filme von sehr hoher Qualität liefert, während es sich beim Sputtern um eine Sichtlinienabscheidung handelt. PECVD ermöglicht eine bessere Abdeckung unebener Oberflächen wie Gräben, Wände und hohe Konformität und kann einzigartige Verbindungen und Filme erzeugen. Andererseits eignet sich Sputtern gut für die Abscheidung feiner Schichten mehrerer Materialien, ideal für die Erstellung mehrschichtiger und mehrfach abgestufter Beschichtungssysteme. PECVD wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie sowie in tribologischen, optischen und biomedizinischen Bereichen eingesetzt, während Sputtern hauptsächlich für dielektrische Materialien und tribologische Anwendungen eingesetzt wird.

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