CVD- und PECVD-Ofen
Schräg rotierende Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage (PECVD) Röhrenofenmaschine
Artikelnummer : KT-PE16
Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen
- Maximale Temperatur
- 1600 ℃
- Konstante Arbeitstemperatur
- 1550 ℃
- Ofenrohrdurchmesser
- 60 mm
- Heizzonenlänge
- 2x300 mm
- Aufheizrate
- 0-10 ℃/min
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Einleitung
Die schräg rotierende Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage (PECVD) ist ein plasma-unterstütztes, rotierendes chemisches Gasphasenabscheidungssystem, das eine rotierende Ofenröhre und einen Plasma-Generator verwendet, um chemische Reaktionen in einer Gasentladung zu induzieren. Dieser Prozess erzeugt eine Vielzahl von chemischen Spezies, die zur Bildung fester Ablagerungen auf Materialien verwendet werden können. Die Maschine ist mit einem Drei-Wege-Massendurchflussmesser und einer Gas-Mischvorrichtung ausgestattet, die eine präzise Steuerung der im Prozess verwendeten Gase ermöglicht. Die rotierende Ofenröhre sorgt für gleichmäßige Erwärmung und Mischung der Materialien, während der Plasma-Generator die für chemische Reaktionen erforderliche Aktivierungsenergie liefert. Die Maschine ist außerdem mit einer Hochleistungs-Vakuumpumpe ausgestattet, die die Ofenröhre schnell evakuieren kann.
Anwendungen
PECVD-Röhrenofenmaschinen werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:
- Halbleiterfertigung:** PECVD wird zur Abscheidung von Dünnschichten aus Materialien wie Siliziumnitrid, Siliziumdioxid und Polysilizium auf Halbleiterwafern verwendet.
- Solarzellenfertigung:** PECVD wird zur Abscheidung von Dünnschichten aus Materialien wie Cadmiumtellurid und Kupfer-Indium-Gallium-Selenid auf Solarzellen verwendet.
- Flachbildschirmherstellung:** PECVD wird zur Abscheidung von Dünnschichten aus Materialien wie Indium-Zinn-Oxid und Zinkoxid auf Flachbildschirmen verwendet.
- Optische Beschichtung:** PECVD wird zur Abscheidung von Dünnschichten aus Materialien wie Titandioxid und Siliziumnitrid auf optischen Komponenten verwendet.
- Herstellung von Medizinprodukten:** PECVD wird zur Abscheidung von Dünnschichten aus Materialien wie Hydroxylapatit und Titannitrid auf Medizinprodukten verwendet.
Prinzip
Die schräg rotierende Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage (PECVD) ist ein plasma-unterstütztes, rotierendes chemisches Gasphasenabscheidungssystem. Die Ofenröhre verfügt über ein Design mit variablem Durchmesser und eine Mischleitblech, das eine gleichmäßige Erwärmung und effiziente Mischung der Materialien ermöglicht. Der über induktive Kopplung angeschlossene Plasma-Generator deckt die Ofenröhre ab und liefert erhöhte Aktivierungsenergie, senkt die Reaktionstemperatur und verbessert die Effizienz. Die Anlage verwendet einen Drei-Wege-Massendurchflussmesser und eine Gas-Mischvorrichtung zur präzisen Gassteuerung. Darüber hinaus ermöglicht eine Hochleistungs-Vakuumpumpe eine schnelle Evakuierung der Ofenröhre, wodurch eine Vakuumumgebung geschaffen wird, die für verschiedene CVD-Prozesse geeignet ist.
Merkmale
Die schräg rotierende Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage (PECVD) verfügt über eine Reihe modernster Funktionen, die es Forschern und Ingenieuren ermöglichen, beispiellose Ergebnisse bei ihren Materialbearbeitungsbemühungen zu erzielen:
- Präzise Temperaturregelung: Die programmierbare PID-Temperaturregelung gewährleistet außergewöhnliche Genauigkeit und Stabilität und ermöglicht präzise Heiz- und Kühlzyklen für optimale Materialeigenschaften.
- Vielseitige Plasmaquelle: Die HF-Plasmaquelle mit einem breiten Leistungsbereich von 5-500 W bietet Flexibilität und Kontrolle über die Plasmaerzeugung und fördert eine effiziente und maßgeschneiderte Materialabscheidung.
- Gleichmäßige Mischung und Erwärmung: Die rotierende Ofenröhre mit variablem Durchmesser und Mischleitblech sorgt für gründliche Mischung der Materialien und gleichmäßige Erwärmung, was zu konsistenten und qualitativ hochwertigen Abscheidungsergebnissen führt.
- Automatisiertes Schiebesystem: Das Schiebesystem der Ofenkammer ermöglicht schnelles Aufheizen und Abkühlen, minimiert die Verarbeitungszeit und erhöht die Produktivität.
- Präzise Gassteuerung: Hochpräzise MFC-Massendurchflussmesser und eine Gas-Mischvorrichtung ermöglichen eine präzise Steuerung der Gaszusammensetzung und des Gasdurchsatzes und optimieren Abscheideprozesse für spezifische Materialien und Anwendungen.
- Robuste Konstruktion: Der Vakuumflansch aus Edelstahl mit anpassbaren Anschlüssen gewährleistet eine zuverlässige Abdichtung und hohe Vakuumwerte und erhält eine makellose Abscheidungsumgebung.
- Intuitive Benutzeroberfläche: Der CTF Pro-Controller mit einem 7-Zoll-TFT-Touchscreen bietet benutzerfreundliche Programmeinstellungen, Datenanalyse und Fernsteuerungsfunktionen und optimiert so den Betrieb und die Datenverwaltung.
Vorteile
- HF-Plasma-Automatik-Anpassungsquelle, breiter Leistungsbereich von 5-500 W mit stabiler Ausgabe
- Schiebesystem der Ofenkammer für schnelles Aufheizen und schnelles Abkühlen, optional sind schnelles Abkühlen und automatische Schiebebewegungen verfügbar
- PID programmierbare Temperaturregelung, ausgezeichnete Regelgenauigkeit und Unterstützung für Fern- und Zentralsteuerung
- Hochpräzise MFC-Massendurchflussmessersteuerung, Vormischung der Quellgase und stabile Gasversorgungsgeschwindigkeit
- Vakuumflansch aus Edelstahl mit verschiedenen Anpassungsanschlüssen zur Anpassung an verschiedene Vakuumpumpenkonfigurationen, gute Abdichtung und hoher Vakuumgrad
- CTF Pro verwendet einen 7-Zoll-TFT-Touchscreen-Controller, benutzerfreundlichere Programmeinstellungen und Analyse historischer Daten
- Geringer Wartungsaufwand; Einfache Installation; Stabiles Design; Spitzenleistung; Längere Lebensdauer.
Sicherheitsvorteil
- Die Röhrenöfen von Kindle Tech verfügen über Überstromschutz und Übertemperaturalarmfunktion, der Ofen schaltet die Stromversorgung automatisch ab.
- Der Ofen verfügt über eine eingebaute Thermoelement-Erfassungsfunktion. Der Ofen stoppt die Heizung und ein Alarm wird ausgelöst, sobald ein Bruch oder ein Fehler erkannt wird.
- PE Pro unterstützt die Funktion zum Neustart nach Stromausfall. Der Ofen setzt das Heizprogramm des Ofens fort, wenn nach einem Ausfall wieder Strom anliegt.
Technische Spezifikationen
| Ofenmodell | PE-1600-60 |
|---|---|
| Max. Temperatur | 1600℃ |
| Konstante Arbeitstemperatur | 1550℃ |
| Material der Ofenröhre | Hochreine Al2O3-Röhre |
| Durchmesser der Ofenröhre | 60mm |
| Länge der Heizzone | 2x300mm |
| Kammer material | Japanische Aluminiumoxidfaser |
| Heizelement | Molybdändisilizid |
| Aufheizrate | 0-10℃/min |
| Thermoelement | Typ B |
| Temperaturregler | Digitaler PID-Regler/Touchscreen-PID-Regler |
| Temperaturregelgenauigkeit | ±1℃ |
| HF-Plasmaeinheit | |
| Ausgangsleistung | 5 -500W einstellbar mit ± 1% Stabilität |
| HF-Frequenz | 13,56 MHz ±0,005% Stabilität |
| Reflektierte Leistung | Max. 350W |
| Anpassung | Automatisch |
| Rauschen | <50 dB |
| Kühlung | Luftkühlung. |
| Präzise Gassteuerungseinheit | |
| Durchflussmesser | MFC-Massendurchflussmesser |
| Gaskanäle | 4 Kanäle |
| Durchflussrate | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linearität | ±0,5% F.S. |
| Wiederholgenauigkeit | ±0,2% F.S. |
| Rohrleitung und Ventil | Edelstahl |
| Maximaler Betriebsdruck | 0,45 MPa |
| Durchflussmesserregler | Digitaler Drehknopfregler/Touchscreen-Regler |
| Standard-Vakuumeinheit (optional) | |
| Vakuumpumpe | Rotationsschieber-Vakuumpumpe |
| Pumpenflussrate | 4L/S |
| Vakuumanschluss | KF25 |
| Vakuummeter | Pirani/Widerstands-Silizium-Vakuummeter |
| Nenndruck Vakuum | 10Pa |
| Hochvakuum-Einheit (optional) | |
| Vakuumpumpe | Rotationsschieberpumpe + Molekularpumpe |
| Pumpenflussrate | 4L/S+110L/S |
| Vakuumanschluss | KF25 |
| Vakuummeter | Compound-Vakuummeter |
| Nenndruck Vakuum | 6x10-5Pa |
| Obige Spezifikationen und Konfigurationen können angepasst werden | |
Standardpaket
| Nr. | Beschreibung | Menge |
|---|---|---|
| 1 | Ofen | 1 |
| 2 | Quarzrohr | 1 |
| 3 | Vakuumflansch | 2 |
| 4 | Rohr-Wärmeblock | 2 |
| 5 | Haken für Rohr-Wärmeblock | 1 |
| 6 | Hitzebeständige Handschuhe | 1 |
| 7 | HF-Plasmaquelle | 1 |
| 8 | Präzise Gassteuerung | 1 |
| 9 | Vakuumeinheit | 1 |
| 10 | Bedienungsanleitung | 1 |
Optionale Einrichtung
- In-Rohr-Gaserfassung und -überwachung, wie H2, O2 und so weiter
- Unabhängige Überwachung und Aufzeichnung der Ofentemperatur
- RS 485-Kommunikationsport für PC-Fernsteuerung und Datenspeicherung
- Einführung der Gaszuführungsdurchflussregelung, wie Massendurchflussmesser und Schwimmkörperdurchflussmesser
- Touchscreen-Temperaturregler mit vielseitigen, benutzerfreundlichen Funktionen
- Hochvakuum-Pumpenstationen, wie Drehschieberpumpe, Molekularpumpe, Diffusionspumpe
Warnungen
Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.
Für Sie entworfen
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FAQ
Was Ist Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)?
Was Ist Die PECVD-Methode?
Mit Welchen Methoden Werden Dünne Schichten Abgeschieden?
Was Ist Mpcvd?
Was Ist Magnetronsputtern?
Wofür Wird PECVD Verwendet?
Was Ist Eine Anlage Zur Dünnschichtabscheidung?
Was Ist Eine Mpcvd-Maschine?
Warum Magnetronsputtern?
Was Ist Das Grundprinzip Von CVD?
Was Sind Die Vorteile Von PECVD?
Was Ist Die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?
Was Sind Die Vorteile Von Mpcvd?
Welche Materialien Werden Bei Der Dünnschichtabscheidung Verwendet?
Bei der Dünnschichtabscheidung werden üblicherweise Metalle, Oxide und Verbindungen als Materialien verwendet, von denen jedes seine eigenen Vor- und Nachteile hat. Metalle werden aufgrund ihrer Haltbarkeit und einfachen Abscheidung bevorzugt, sind jedoch relativ teuer. Oxide sind sehr langlebig, halten hohen Temperaturen stand und können bei niedrigen Temperaturen abgeschieden werden, können jedoch spröde und schwierig zu verarbeiten sein. Verbindungen bieten Festigkeit und Haltbarkeit, können bei niedrigen Temperaturen aufgetragen und auf bestimmte Eigenschaften zugeschnitten werden.
Die Auswahl des Materials für eine Dünnfilmbeschichtung hängt von den Anwendungsanforderungen ab. Metalle sind ideal für die thermische und elektrische Leitung, während Oxide einen wirksamen Schutz bieten. Die Verbindungen können individuell auf die jeweiligen Anforderungen zugeschnitten werden. Letztendlich hängt das beste Material für ein bestimmtes Projekt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab.
Welche Verschiedenen Arten Von CVD-Methoden Gibt Es?
Was Ist Der Unterschied Zwischen ALD Und PECVD?
Sind CVD-Diamanten Echt Oder Gefälscht?
Welche Methoden Gibt Es, Um Eine Optimale Dünnschichtabscheidung Zu Erreichen?
Um dünne Filme mit den gewünschten Eigenschaften zu erzielen, sind hochwertige Sputtertargets und Verdampfungsmaterialien unerlässlich. Die Qualität dieser Materialien kann durch verschiedene Faktoren wie Reinheit, Korngröße und Oberflächenbeschaffenheit beeinflusst werden.
Die Reinheit von Sputtertargets oder Verdampfungsmaterialien spielt eine entscheidende Rolle, da Verunreinigungen zu Defekten im resultierenden Dünnfilm führen können. Auch die Korngröße beeinflusst die Qualität des dünnen Films, wobei größere Körner zu schlechten Filmeigenschaften führen. Darüber hinaus ist die Oberflächenbeschaffenheit von entscheidender Bedeutung, da raue Oberflächen zu Defekten in der Folie führen können.
Um Sputtertargets und Verdampfungsmaterialien von höchster Qualität zu erhalten, ist es entscheidend, Materialien auszuwählen, die eine hohe Reinheit, kleine Korngröße und glatte Oberflächen aufweisen.
Verwendungsmöglichkeiten Der Dünnschichtabscheidung
Dünnfilme auf Zinkoxidbasis
ZnO-Dünnfilme finden in verschiedenen Branchen Anwendung, beispielsweise in der thermischen, optischen, magnetischen und elektrischen Industrie. Ihre Hauptanwendung liegt jedoch in Beschichtungen und Halbleiterbauelementen.
Dünnschichtwiderstände
Dünnschichtwiderstände sind für die moderne Technologie von entscheidender Bedeutung und werden in Funkempfängern, Leiterplatten, Computern, Hochfrequenzgeräten, Monitoren, WLAN-Routern, Bluetooth-Modulen und Mobiltelefonempfängern verwendet.
Magnetische Dünnfilme
Magnetische Dünnfilme werden in der Elektronik, Datenspeicherung, Radiofrequenzidentifikation, Mikrowellengeräten, Displays, Leiterplatten und Optoelektronik als Schlüsselkomponenten eingesetzt.
Optische Dünnfilme
Optische Beschichtungen und Optoelektronik sind Standardanwendungen optischer Dünnschichten. Durch Molekularstrahlepitaxie können optoelektronische Dünnschichtbauelemente (Halbleiter) hergestellt werden, bei denen epitaktische Filme Atom für Atom auf dem Substrat abgeschieden werden.
Polymer-Dünnfilme
Polymerdünnfilme werden in Speicherchips, Solarzellen und elektronischen Geräten verwendet. Chemische Abscheidungstechniken (CVD) ermöglichen eine präzise Kontrolle von Polymerfilmbeschichtungen, einschließlich Konformität und Beschichtungsdicke.
Dünnschichtbatterien
Dünnschichtbatterien versorgen elektronische Geräte wie implantierbare medizinische Geräte mit Strom, und die Lithium-Ionen-Batterie hat dank der Verwendung dünner Schichten erhebliche Fortschritte gemacht.
Dünnschichtbeschichtungen
Dünnschichtbeschichtungen verbessern die chemischen und mechanischen Eigenschaften von Zielmaterialien in verschiedenen Industrien und Technologiebereichen. Gängige Beispiele sind Antireflexbeschichtungen, Anti-Ultraviolett- oder Anti-Infrarot-Beschichtungen, Anti-Kratz-Beschichtungen und Linsenpolarisation.
Dünnschichtsolarzellen
Dünnschichtsolarzellen sind für die Solarenergieindustrie unverzichtbar und ermöglichen die Produktion relativ günstiger und sauberer Elektrizität. Photovoltaikanlagen und Wärmeenergie sind die beiden wichtigsten anwendbaren Technologien.
Was Ist Der Unterschied Zwischen PECVD Und Sputtern?
Faktoren Und Parameter, Die Die Abscheidung Dünner Schichten Beeinflussen
Abscheidungsrate:
Die Geschwindigkeit, mit der die Folie produziert wird, typischerweise gemessen in Dicke dividiert durch Zeit, ist entscheidend für die Auswahl einer für die Anwendung geeigneten Technologie. Für dünne Filme genügen mäßige Abscheideraten, für dicke Filme sind schnelle Abscheideraten erforderlich. Es ist wichtig, ein Gleichgewicht zwischen Geschwindigkeit und präziser Filmdickensteuerung zu finden.
Gleichmäßigkeit:
Die Konsistenz des Films über das Substrat wird als Gleichmäßigkeit bezeichnet, die sich normalerweise auf die Filmdicke bezieht, sich aber auch auf andere Eigenschaften wie den Brechungsindex beziehen kann. Es ist wichtig, die Anwendung gut zu verstehen, um eine Unter- oder Überspezifikation der Einheitlichkeit zu vermeiden.
Füllfähigkeit:
Die Füllfähigkeit oder Stufenabdeckung bezieht sich darauf, wie gut der Abscheidungsprozess die Topographie des Substrats abdeckt. Die verwendete Abscheidungsmethode (z. B. CVD, PVD, IBD oder ALD) hat einen erheblichen Einfluss auf die Stufenabdeckung und -füllung.
Filmeigenschaften:
Die Eigenschaften des Films hängen von den Anforderungen der Anwendung ab, die in photonische, optische, elektronische, mechanische oder chemische Anforderungen eingeteilt werden können. Die meisten Filme müssen Anforderungen in mehr als einer Kategorie erfüllen.
Prozesstemperatur:
Die Filmeigenschaften werden erheblich von der Prozesstemperatur beeinflusst, die durch die Anwendung eingeschränkt sein kann.
Schaden:
Jede Abscheidungstechnologie birgt das Potenzial, das Material, auf dem sie abgeschieden wird, zu beschädigen, wobei kleinere Strukturen anfälliger für Prozessschäden sind. Zu den potenziellen Schadensquellen zählen Umweltverschmutzung, UV-Strahlung und Ionenbeschuss. Es ist wichtig, die Grenzen der Materialien und Werkzeuge zu verstehen.
4.8
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I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.
4.7
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The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.
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The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.
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The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.
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The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.
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The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.
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The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.
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The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.
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The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.
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The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.
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The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.
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The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.
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The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.
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Schräg rotierende Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage (PECVD) Röhrenofenmaschine
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