MPCVD
Glockenglas-Resonator-MPCVD-Maschine für Labor- und Diamantwachstum
Artikelnummer : KTMP315
Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen
- Mikrowellenengergie
- Mikrowellenfrequenz 2450 ± 15 MHz
- Ausgangsleistung
- 1~10 KW stufenlos einstellbar
- Mikrowellenleckage
- ≤2MW/cm2
- Ausgangswellenleiterschnittstelle
- WR340, 430 mit FD-340, 430 Standardflansch
- Beispiel halter
- Durchmesser des Probentisches ≥ 70 mm, effektive Nutzungsfläche ≥ 64 mm
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Holen Sie sich jetzt Ihr Angebot! Eine Nachricht hinterlassen Schnell Angebot einholen Via Online-ChatMPCVD steht für Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition. Es züchtet hochwertige Diamantfilme in Laboren unter Verwendung von Kohlenstoffgas und Mikrowellenplasma.
MPCVD-System
MPCVD ist ein System zur Abscheidung dünner Filme auf einem Substrat mithilfe einer Vakuumkammer, eines Mikrowellengenerators und eines Gaszufuhrsystems. In der Kammer wird durch ein Magnetron oder Klystron, das Mikrowellen mit 2,45 GHz erzeugt, ein Plasma erzeugt. Das Gaszufuhrsystem verfügt über in sccm kalibrierte MFCs zur Steuerung des Gasflusses. Die Substrattemperatur wird durch das Plasma gesteuert und mit einem Thermoelement gemessen. Das Plasma erhitzt das Substrat und die Temperatur wird während der Abscheidung überwacht.
Anwendungen
MPCVD verspricht die Herstellung großer, hochwertiger Diamanten zu geringen Kosten.
Die einzigartigen Eigenschaften von Diamant, wie Härte, Steifigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, geringe Wärmeausdehnung, Strahlungshärte und chemische Inertheit, machen ihn zu einem wertvollen Material. Allerdings haben die hohen Kosten, die begrenzte Größe und die Schwierigkeit, Verunreinigungen natürlicher und synthetischer Hochdruck-Hochtemperaturdiamanten zu kontrollieren, ihre Anwendungen eingeschränkt.
MPCVD ist die Hauptausrüstung für die Züchtung von Diamantedelsteinen und -filmen, die entweder einkristallin oder polykristallin sein können. Die Halbleiterindustrie nutzt das Diamantfilmwachstum in großem Umfang für großformatige Diamantsubstrate sowie die Diamantschneid- oder Bohrwerkzeugindustrie.
Im Vergleich zur HPHT-Methode für im Labor gezüchtete Diamanten ist die Mikrowellen-CVD-Methode für das Wachstum großformatiger Diamanten zu geringeren Kosten vorteilhaft und somit eine ideale Lösung für das Wachstum von Halbleiterdiamanten, Optikdiamanten und den großen Markt für Schmuckdiamanten.
Vorteile von MPCVD
MPCVD ist ein Diamantsyntheseverfahren mit Vorteilen gegenüber HFCVD und DC-PJ CVD. Es vermeidet Kontaminationen und ermöglicht den Einsatz mehrerer Gase. Es bietet eine stufenlose Einstellung der Mikrowellenleistung und eine stabile Temperaturregelung, wodurch der Verlust von Impfkristallen vermieden wird. MPCVD ist aufgrund einer großen, stabilen Plasmafläche vielversprechend für industrielle Anwendungen.
MPCVD erzeugt reinere Diamanten mit weniger Energie als HPHT. Es ermöglicht auch die Herstellung größerer Diamanten.
Vorteile unseres MPCVD-Systems
Wir engagieren uns seit vielen Jahren in der Branche und verfügen daher über einen großen Kundenstamm, der unseren Geräten vertraut und sie nutzt. Unsere MPCVD-Anlage läuft seit über 40.000 Stunden im Dauerbetrieb und beweist außergewöhnliche Stabilität, Zuverlässigkeit, Wiederholbarkeit und Kosteneffizienz. Weitere Vorteile unseres MPCVD-Systems sind:
- 3 Zoll Substratwachstumsfläche, max. Stapelladung von bis zu 45 Stück Diamanten
- 1-10 kW einstellbare Ausgangsleistung der Mikrowelle für weniger Stromverbrauch
- Umfangreiches, erfahrenes Forschungsteam mit Rezeptunterstützung für den Grenzdiamantenanbau
- Exklusives technisches Supportprogramm für das Zero Diamond Growing Experience-Team
Durch die Nutzung unserer gesammelten fortschrittlichen Technologie haben wir mehrere Runden von Upgrades und Verbesserungen an unserem MPCVD-System implementiert, was zu einer deutlich verbesserten Effizienz und geringeren Anlagenkosten führte. Daher stehen unsere MPCVD-Geräte an der Spitze des technologischen Fortschritts und werden zu einem wettbewerbsfähigen Preis angeboten. Gerne können Sie sich von uns beraten lassen.
Arbeitsverarbeitung
Die MPCVD-Maschine steuert den Fluss jedes Gaspfads und den Hohlraumdruck, während sie Reaktionsgase (wie CH4, H2, Ar, O2, N2 usw.) unter spezifischem Druck in den Hohlraum einleitet. Nach der Stabilisierung des Luftstroms erzeugt der 6-kW-Festkörper-Mikrowellengenerator Mikrowellen, die dann durch den Wellenleiter in den Hohlraum eingeleitet werden.
Das Reaktionsgas geht unter dem Mikrowellenfeld in einen Plasmazustand über und bildet eine Plasmakugel, die über dem Diamantsubstrat schwebt. Die hohe Temperatur des Plasmas erhitzt das Substrat auf eine bestimmte Temperatur. Überschüssige Wärme, die im Hohlraum entsteht, wird durch die Wasserkühleinheit abgeführt.
Um optimale Wachstumsbedingungen während des MPCVD-Einkristalldiamantwachstumsprozesses sicherzustellen, passen wir Faktoren wie Leistung, Gasquellenzusammensetzung und Hohlraumdruck an. Da die Plasmakugel außerdem nicht mit der Hohlraumwand in Kontakt kommt, verläuft der Diamantwachstumsprozess frei von Verunreinigungen, wodurch die Qualität des Diamanten verbessert wird.
Details & Teile
Mikrowellensystem
Reaktionskammer
Gasflusssystem
Vakuum- und Sensorsystem
Technische Spezifikationen
| Mikrowellensystem |
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| Reaktionskammer |
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| Beispiel halter |
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| Gasflusssystem |
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| Kühlsystem |
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| Temperatursensor |
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| Kontrollsystem |
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| Optionale Funktion |
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Warnungen
Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.
Für Sie entworfen
KinTek bietet umfassenden, maßgeschneiderten Service und Ausrüstung für Kunden auf der ganzen Welt. Unsere spezialisierte Teamarbeit und unsere erfahrenen Ingenieure sind in der Lage, die kundenspezifischen Hardware- und Software-Ausrüstungsanforderungen zu erfüllen und unseren Kunden beim Aufbau der exklusiven und personalisierten Ausrüstung und Lösung zu helfen!
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FAQ
Welche Materialien können mit einer Diamantschneidemaschine geschnitten werden?
Was ist ein CVD-Ofen?
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.
Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.
Was ist CVD (Chemical Vapor Deposition) und was sind seine Hauptvorteile?
Was ist die PECVD-Methode?
Was ist eine CVD-Diamantmaschine?
Welche Arten von Diamantwachstumsmaschinen gibt es?
Was ist Mpcvd?
Was ist RF-PECVD?
Was ist das Prinzip einer Diamantschneidemaschine?
Mit welchen Methoden werden dünne Schichten abgeschieden?
Wie funktioniert ein CVD-Ofen?
Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.
Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.
Was sind einige gängige Anwendungen von CVD-Materialien?
Wofür wird PECVD verwendet?
Was sind die Vorteile von im Labor gezüchteten Diamanten?
Was ist eine Mpcvd-Maschine?
Was ist das Grundprinzip von CVD?
PACVD ist PECVD?
Welche Vorteile bietet der Einsatz einer Diamantschneidemaschine?
Was ist eine Anlage zur Dünnschichtabscheidung?
Welches Gas wird im CVD-Prozess verwendet?
Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.
Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.
Welche Arten von CVD-Materialien gibt es?
Was sind die Vorteile von PECVD?
Was kostet eine CVD-Wachstumsmaschine?
Was sind die Vorteile von Mpcvd?
Welche verschiedenen Arten von CVD-Methoden gibt es?
Welche Arten von Diamantschneidemaschinen gibt es?
Was ist die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?
Was ist der Vorteil des CVD-Systems?
- Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
- Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
- Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
- Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
- Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
- Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
- Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten
Wie verbessert CVD-Diamant die Leistung von Schneidwerkzeugen?
Was ist der Unterschied zwischen ALD und PECVD?
Sind CVD-Diamanten echt oder gefälscht?
Wie gewährleistet eine Diamantschneidemaschine einen hochpräzisen Schnitt?
Wofür steht PECVD?
PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.
Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.
Weshalb eignen sich CVD-Diamantkalotten für Hochleistungslautsprecher?
Was ist der Unterschied zwischen PECVD und Sputtern?
Was ist der Anwendungsbereich einer Diamanttrennmaschine?
Was ist der Unterschied zwischen CVD und PECVD?
Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.
Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.
Wie verbessert CVD-Diamant das Wärmemanagement in elektronischen Geräten?
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