Wenn es um Schichtabscheidungsverfahren geht, denkt man oft an zwei Methoden: Atomlagenabscheidung (ALD) und chemische Gasphasenabscheidung (CVD).
5 Hauptunterschiede werden erklärt
1. Abscheidungsprozess
Bei der CVD werden alle Reaktanten gleichzeitig in die Reaktionskammer eingeführt, um die Schicht aufzubauen.
Bei der ALD hingegen werden zwei Vorläuferstoffe verwendet, die nacheinander auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden werden.
2. Schicht-für-Schicht-Abscheidung
ALD ist ein schichtweises Abscheideverfahren.
Jede Vorstufe wird auf der gesamten Oberfläche abgeschieden, bevor die nächste Vorstufe darüber geschichtet wird.
Diese sequentielle Abscheidung ermöglicht eine präzise Kontrolle der Schichtdicke, Dichte und Konformität.
3. Schichtdicke und Anwendungen
ALD wird in der Regel für dünne Schichten mit einer Dicke von 10-50 nm und für Strukturen mit hohem Aspektverhältnis verwendet.
Sie wird häufig für die Herstellung von Mikroelektronik, magnetischen Aufzeichnungsköpfen, MOSFET-Gate-Stacks, DRAM-Kondensatoren und nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichern verwendet.
CVD wird in der Regel für einlagige Schichten verwendet und kann im Vergleich zur ALD dickere Schichten bei höheren Abscheideraten abscheiden.
Bei CVD-Verfahren werden die Atome häufig bei hohen Temperaturen verdampft, und die Abscheidung erfolgt in der Regel isotrop, d. h. alle Oberflächen werden gleichmäßig beschichtet.
4. Temperaturbereich
ALD wird in einem kontrollierten Temperaturbereich durchgeführt.
Bei CVD werden die Atome in der Regel bei höheren Temperaturen verdampft.
5. Präzision und Abscheideraten
ALD bietet zwar eine präzise Kontrolle und eignet sich für dünne Schichten und komplexe Strukturen, erfordert aber mehr Überwachung und Fachwissen.
CVD ermöglicht schnellere Abscheidungsraten und ein breiteres Spektrum an verfügbaren Ausgangsstoffen, da die Zersetzung ein gültiger Weg ist.
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