CVD- und PECVD-Ofen

CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation CVD-Maschine

Name: CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation CVD-Maschine
Brand: Kintek Solution
SKU: KT-CTF12
Rating: 4.81 (17 reviews)

Artikelnummer : KT-CTF12

Preis variiert je nach specs and customizations

Max. Temperatur: 1200 ℃
Konstante Arbeitstemperatur: 1100 ℃
Durchmesser des Ofenrohrs: 60 mm
Länge der Heizzone: 1x450 mm
Heizrate: 0-20 ℃/min

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Beschreibung
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Einführung

Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein vielseitiges und leistungsstarkes Laborgerät, das für Anwendungen der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) entwickelt wurde. Er verfügt über eine geteilte Ofenkammer, die einen einfachen Zugang zu den Reaktionsproben und eine schnelle Abkühlung ermöglicht. Das Ofenrohr besteht aus Hochtemperatur-Quarz und hat einen Durchmesser von 60 mm. Das System umfasst einen 4-Kanal-MFC-Massendurchflussmesser mit den Quellgasen CH4, H2, O2 und N2, der eine präzise Steuerung der Gasdurchflussraten ermöglicht. Die Vakuumstation verfügt über eine 4L/S-Drehschieber-Vakuumpumpe, die einen maximalen Vakuumdruck von 10 Pa erreicht. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen und Möglichkeiten ist der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation eine ideale Wahl für verschiedene Forschungs- und Entwicklungsanwendungen in der Materialwissenschaft, der Halbleiterverarbeitung und anderen Bereichen.

Details&Teile

1200C CVD-Maschine mit Turbo-Hochvakuumpumpe

1600C CVD-Ofen mit Turbo-Vakuumpumpstand — 1600C CVD-Ofen mit Turbo-Vakuumpumpstation

Hochtemperatur-CVD-Ofen mit integriertem Controller — Hochtemperatur-CVD-Ofen mit integrierter Steuerung

Anwendungen

Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein vielseitiges und fortschrittliches Gerät, das für eine Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen Materialwissenschaft, Halbleiterherstellung sowie Forschung und Entwicklung konzipiert wurde. Diese Maschine ist besonders nützlich für Prozesse, die eine präzise Steuerung von Temperatur, Gasfluss und Vakuum erfordern, was sie zu einem unverzichtbaren Werkzeug für die hochwertige Materialsynthese und -verarbeitung macht.

Synthese von Nanomaterialien: Der Ofen ist ideal für das Wachstum von Nanodrähten, Nanofilmen und anderen nanostrukturierten Materialien, die für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Geräte entscheidend sind.
Vakuum-Beschichtung: Der Ofen wird in großem Umfang für die Abscheidung dünner Schichten auf verschiedenen Substraten verwendet, darunter Metallschichten, Keramikschichten und Verbundschichten, die für die Verbesserung der Eigenschaften von Materialien in Anwendungen wie Optik und Elektronik unerlässlich sind.
Verarbeitung von Batteriematerial: Der Ofen eignet sich zum Trocknen und Sintern von Batteriematerialien, was ein entscheidender Schritt bei der Herstellung von Hochleistungsbatterien ist.
Materialtrocknung und -sinterung: Der Ofen wird für das Hochtemperatursintern von Keramik, feuerfesten Materialien und Spezialwerkstoffen eingesetzt und gewährleistet die Verfestigung und Verdichtung dieser Materialien.
Atmosphären- und Vakuum-Wärmebehandlung: Die Konfiguration des Vertikalrohrofens ermöglicht das Abschrecken, Glühen und Anlassen kleiner Stahlteile sowie die vertikale CVD-Beschichtung, was ihn zu einem wertvollen Instrument für metallurgische Prozesse macht.
Forschung und Entwicklung: Der Ofen wird in Universitäten, Forschungsinstituten, Industrie- und Bergbauunternehmen zur Durchführung von Hochtemperaturexperimenten, Atmosphärensintern, reduzierenden Atmosphären und CVD/CVI-Experimenten eingesetzt und trägt so zum Fortschritt der Materialwissenschaft und -technologie bei.

Merkmale

Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein hochentwickeltes Gerät, das für fortschrittliche chemische Gasphasenabscheidung (CVD) entwickelt wurde. Dieser Ofen ist mit modernster Technologie ausgestattet, um die Effizienz und Qualität der Schichtabscheidung zu verbessern, und eignet sich daher ideal für Forschung und industrielle Anwendungen. Hier sind die wichtigsten Merkmale und ihre Vorteile:

Hohe Schichtabscheidungsrate: Durch den Einsatz von Hochfrequenz-Glühtechnik steigert dieser Ofen die Abscheidungsrate erheblich und erreicht bis zu 10Å/S. Diese schnelle Abscheidung ist entscheidend für Produktion und Forschung mit hohem Durchsatz, spart Zeit und erhöht die Produktivität.
Großflächige Gleichmäßigkeit: Mit der fortschrittlichen Mehrpunkt-HF-Zuführungstechnologie und der speziellen Gaswegverteilung gewährleistet der Ofen eine Schichtgleichmäßigkeit von bis zu 8 %. Diese Gleichmäßigkeit ist entscheidend für die Erzeugung gleichmäßiger und hochwertiger Beschichtungen auf großen Substraten und erhöht die Zuverlässigkeit der hergestellten Materialien.
Konsistente Beschichtung: Das Design beinhaltet fortschrittliche Konzepte der Halbleiterindustrie, was zu einer Abweichung von weniger als 2 % zwischen den Substraten führt. Dieses hohe Maß an Konsistenz ist entscheidend für Anwendungen, die präzise und wiederholbare Ergebnisse erfordern, wie z. B. bei der Herstellung von elektronischen Bauteilen.
Stabile Prozesskontrolle: Die hohe Stabilität der Anlage gewährleistet die Kontinuität und Konsistenz des CVD-Prozesses. Diese Zuverlässigkeit ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Prozessintegrität und die Verringerung des Risikos von Defekten oder Ausfällen während des Betriebs.
Intelligentes Steuerungssystem: Das von Bonage patentierte integrierte Steuersystem umfasst ein hochleistungsfähiges Temperaturregelsystem, das einen geschlossenen Regelkreis mit negativer Rückkopplung verwendet. Dieses System, kombiniert mit hochwertigen importierten elektrischen Komponenten, verbessert die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit des Geräts und macht es praktisch wartungsfrei.
Vielseitige Anwendungen: Der Ofen eignet sich für die Abscheidung verschiedener Filmtypen, darunter Metall-, Keramik- und Verbundfilme. Er unterstützt kontinuierliche Wachstumsprozesse und kann leicht um zusätzliche Funktionen wie Plasmareinigung und Ätzen erweitert werden. Diese Vielseitigkeit macht ihn zu einem wertvollen Hilfsmittel für verschiedene Forschungs- und Produktionsanforderungen.

Prinzip

Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein Hochtemperatur-Vakuumofen, der für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) eingesetzt wird. CVD ist ein Verfahren, bei dem eine dünne Materialschicht durch die chemische Reaktion eines Gases oder Dampfes auf einem Substrat abgeschieden wird. Die CVD-Maschine mit geteilter Ofenkammer und Vakuumstation verfügt über eine geteilte Ofenkammer, die einen einfachen Zugang zum Substrat während des CVD-Prozesses ermöglicht. Die Vakuumstation dient zur Erzeugung eines Vakuums in der Ofenkammer, das dazu beiträgt, Verunreinigungen zu entfernen und die Qualität der abgeschiedenen Schicht zu verbessern.

Vorteile

Intuitive Probenbeobachtung und schnelle Abkühlung: Die geteilte Ofenkammer ermöglicht eine direkte Beobachtung der Reaktionsproben und eine schnelle Abkühlung.
Hohe Temperaturbeständigkeit: Maximale Arbeitstemperatur von bis zu 1200℃ für vielseitige Anwendungen.
Präzise Gassteuerung: 4-Kanal-MFC-Massendurchflussmesser mit CH4-, H2-, O2- und N2-Quellen gewährleistet eine genaue und stabile Gaszufuhr.
Vakuum-Kompatibilität: Die Vakuumstation mit einer 4L/S-Drehschieber-Vakuumpumpe erreicht einen maximalen Vakuumdruck von bis zu 10Pa und ermöglicht verschiedene Vakuumprozesse.
Hochgeschwindigkeitsheizen und -kühlen: Das Gleitsystem der Ofenkammer ermöglicht ein schnelles Aufheizen und Abkühlen für eine effiziente Probenverarbeitung.
Fortschrittliche Temperaturregelung: Programmierbare PID-Temperaturregelung mit hervorragender Genauigkeit, Fernsteuerung und zentraler Kontrollmöglichkeit.
Benutzerfreundliche Schnittstelle: Der CTF Pro-Controller mit 7-Zoll-TFT-Touchscreen ermöglicht eine intuitive Programmeinstellung und Datenanalyse.
Vielseitiger Vakuumaufbau: Der Edelstahl-Vakuumflansch mit anpassbaren Anschlüssen ermöglicht den Einsatz verschiedener Vakuumpumpstände für individuelle Vakuumumgebungen.
Energieeffizient: Das Wasserkühlsystem und die Gasnachströmung minimieren den Energieverbrauch.
Breite Anwendbarkeit: Geeignet für CVD, Diffusion und andere Thermobehandlungen unter Vakuum und Schutzatmosphäre.

Sicherheitsvorteil

Der Kindle Tech Rohrofen verfügt über eine Überstromschutz- und Übertemperaturalarmfunktion, der Ofen schaltet sich automatisch ab
Der Ofen verfügt über eine Funktion zur Erkennung von thermischen Kopplungen, der Ofen stoppt die Heizung und ein Alarm wird ausgelöst, sobald ein Bruch oder eine Störung erkannt wird.
KT-CTF12 Pro unterstützt die Neustartfunktion bei Stromausfall, der Ofen nimmt das Heizprogramm wieder auf, wenn die Stromversorgung nach dem Ausfall wiederhergestellt ist

Technische Daten

Modell des Ofens	KT-CTF12-60
Max. Temperatur	1200℃
Konstante Arbeitstemperatur	1100℃
Material des Ofenrohrs	Hochreiner Quarz
Durchmesser des Ofenrohrs	60 mm
Länge der Heizzone	1x450mm
Material der Kammer	Japanische Tonerdefaser
Heizelement	Cr2Al2Mo2-Drahtschlange
Heizrate	0-20℃/min
Thermisches Paar	Eingebauter K-Typ
Temperaturregler	Digitaler PID-Regler/PID-Regler mit Touchscreen
Genauigkeit der Temperaturregelung	±1℃
Schiebeabstand	600mm
Gasgenaue Steuereinheit
Durchflussmesser	MFC-Massendurchflussmesser
Gas-Kanäle	4 Kanäle
Durchflussmenge	MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2
Linearität	±0,5% F.S.
Reproduzierbarkeit	±0,2% V.E.
Rohrleitung und Ventil	Rostfreier Stahl
Maximaler Betriebsdruck	0,45MPa
Steuerung des Durchflussmessers	Digitaler Drehknopf-Controller/Touchscreen-Controller
Standard-Vakuumeinheit (optional)
Vakuumpumpe	Drehschieber-Vakuumpumpe
Durchflussmenge der Pumpe	4L/S
Vakuum-Sauganschluss	KF25
Vakuummeter	Pirani/Resistance Silikon-Vakuummeter
Nennvakuumdruck	10Pa
Hochvakuumeinheit (optional)
Vakuumpumpe	Drehschieberpumpe+Molekularpumpe
Durchflussmenge der Pumpe	4L/S+110L/S
Vakuum-Sauganschluss	KF25
Vakuummeter	Zusammengesetztes Vakuummeter
Nennvakuumdruck	6x10-5Pa
Die oben genannten Spezifikationen und Konfigurationen können angepasst werden

Standard-Paket

Nr.	Beschreibung	Menge
1	Ofen	1
2	Quarzrohr	1
3	Vakuumflansch	2
4	Thermoblock der Röhre	2
5	Rohr Thermoblockhaken	1
6	Hitzebeständiger Handschuh	1
7	Präzise Gassteuerung	1
8	Vakuumeinheit	1
9	Betriebsanleitung	1

Optionale Einrichtung

Erkennung und Überwachung von Gasen im Rohr, wie H2, O2 und so weiter
Unabhängige Überwachung und Aufzeichnung der Ofentemperatur
RS 485 Kommunikationsanschluss für PC-Fernsteuerung und Datenexport
Kontrolle der Gaszufuhr, wie Massedurchflussmesser und Schwebekörper-Durchflussmesser
Touchscreen-Temperaturregler mit vielseitigen bedienerfreundlichen Funktionen
Hochvakuum-Pumpenstation, z. B. Flügelzellen-Vakuumpumpe, Molekularpumpe, Diffusionspumpe

Warnungen

Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.

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FAQ

Was ist ein Rohrofen?

Der Laborrohrofen ist ein klassischer Hochtemperatur-Rohrofen mit externer Heizung, auch Heißwandheizofen genannt.

Abhängig von der unterschiedlichen Arbeitstemperatur kann das Ofenrohrmaterial normalerweise aus transparenten Quarzrohren, hochreinen Aluminiumoxid-Keramikrohren und hochfesten Metalllegierungsrohren bestehen.

Um unterschiedliche thermische Forschungszwecke zu erfüllen, können Rohröfen mit mehreren Heizzonen ausgestattet werden, um eine flexible Steuerung des Temperaturgradienten in der Rohrarbeitskammer zu ermöglichen. Das Ofenrohr kann in einer Arbeitsumgebung mit kontrollierter Atmosphäre oder in einer Hochvakuum-Arbeitsumgebung betrieben werden.

Was ist ein CVD-Ofen?

Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.

Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.

Wie funktioniert ein Rohrofen?

Die Heizelemente des Rohrofens sind um den zylindrischen Hohlraum herum angeordnet. Der Ofen kann die Proben im zylindrischen Hohlraum nur durch indirekte Wärmestrahlung erwärmen, da das Ofenrohr verhindern kann, dass das Probenmaterial mit den Heizelementen und Isoliermaterialien des Ofens in Kontakt kommt, sodass der Rohrofen eine saubere Isolierung schafft Wärmekammer und verringern das Risiko einer Kontamination des Probenmaterials durch den Ofen.

Wie funktioniert ein CVD-Ofen?

Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.

Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.

Mit welchen Methoden werden dünne Schichten abgeschieden?

Die beiden wichtigsten Methoden zur Abscheidung dünner Filme sind die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD). Bei der CVD werden Reaktionsgase in eine Kammer eingeleitet, wo sie auf der Oberfläche des Wafers reagieren und einen festen Film bilden. PVD beinhaltet keine chemischen Reaktionen; Stattdessen entstehen im Inneren der Kammer Dämpfe der Bestandteile, die dann auf der Waferoberfläche kondensieren und einen festen Film bilden. Zu den gängigen PVD-Typen gehören Aufdampfen und Sputtern. Die drei Arten von Aufdampftechniken sind thermische Verdampfung, Elektronenstrahlverdampfung und induktive Erwärmung.

Was ist die Anwendung für Rohröfen?

Rohröfen werden hauptsächlich in der Metallurgie, Glas, Wärmebehandlung, Lithiumanoden- und -kathodenmaterialien, neuen Energien, Schleifmitteln und anderen Industrien eingesetzt und sind eine professionelle Ausrüstung zur Messung von Materialien unter bestimmten Temperaturbedingungen.

Der Rohrofen zeichnet sich durch einfache Struktur, einfache Bedienung, einfache Steuerung und kontinuierliche Produktion aus.

Rohröfen werden auch häufig in CVD-Systemen (chemische Gasphasenabscheidung) und plasmaunterstützten CVD-Systemen eingesetzt.

Welches Gas wird im CVD-Prozess verwendet?

Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.

Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.

Welche Drehofentypen gibt es?

Zu den Drehofentypen gehören Dreh- und Kippöfen, die sich drehen und kippen lassen und so eine gleichmäßige Trocknung und Beschichtung ermöglichen. KINTEK-Öfen steigern die Effizienz, indem sie Mehrzonen-Heizoptionen bieten, Aluminiumoxidfasern für feuerfeste Auskleidungen verwenden und Temperaturregler verwenden. Diese Öfen eignen sich für kontinuierliche Verarbeitung und Chargenbetrieb. Darüber hinaus können sie geöffnet werden, um verschiedene Rohre oder Reaktoren zu verwenden. Die mit einer verzinkten Beschichtung überzogene, mit Epoxidharz lackierte Struktur sorgt für eine längere Lebensdauer und Ästhetik. Insgesamt sind Dreh- und Kippöfen für die Materialherstellung, Trocknung, Alterung und Oxidation beliebt.

Was ist das Grundprinzip von CVD?

Das Grundprinzip der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) besteht darin, ein Substrat einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern auszusetzen, die auf seiner Oberfläche reagieren oder sich zersetzen, um eine dünne Filmabscheidung zu erzeugen. Dieses Verfahren kann für verschiedene Anwendungen eingesetzt werden, beispielsweise zur Strukturierung von Filmen, Isoliermaterialien und leitenden Metallschichten. CVD ist ein vielseitiges Verfahren, mit dem Beschichtungen, Pulver, Fasern, Nanoröhren und monolithische Komponenten synthetisiert werden können. Es ist auch in der Lage, die meisten Metalle und Metalllegierungen sowie deren Verbindungen, Halbleiter und Nichtmetallsysteme herzustellen. Charakteristisch für den CVD-Prozess ist die Ablagerung eines Feststoffs auf einer erhitzten Oberfläche durch eine chemische Reaktion in der Dampfphase.

Was ist eine Anlage zur Dünnschichtabscheidung?

Unter Dünnschicht-Abscheidungsgeräten versteht man die Werkzeuge und Methoden, die zum Erstellen und Abscheiden dünner Filmbeschichtungen auf einem Substratmaterial verwendet werden. Diese Beschichtungen können aus verschiedenen Materialien bestehen und unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, die die Leistung des Substrats verbessern oder verändern können. Die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) ist eine beliebte Technik, bei der ein festes Material im Vakuum verdampft und dann auf einem Substrat abgeschieden wird. Andere Methoden umfassen Verdampfen und Sputtern. Anlagen zur Dünnschichtabscheidung werden unter anderem bei der Herstellung optoelektronischer Geräte, medizinischer Implantate und Präzisionsoptiken eingesetzt.

Wie viele verschiedene Arten von Rohröfen gibt es?

Rohröfen können mit verschiedenen mechanischen Funktionen reibungslos arbeiten, daher gibt es viele verschiedene Rohrofenvarianten für verschiedene Versuchszwecke. Typische Ofenöfen sind wie folgt:

Horizontaler Rohrofen
Vertikaler Rohrofen
Geteilter Rohrofen
Drehrohrofen
Kipprohrofen
Schieberohrofen
Schneller Heiz- und Kühlrohrofen
Kontinuierlicher Zufuhr- und Abfuhrrohrofen

Was ist der Vorteil des CVD-Systems?

Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten

Was sind die Vorteile eines Rotorofens?

Drehrohröfen bieten gegenüber statischen Verfahren mehrere Vorteile. Durch die kontinuierliche Bewegung der Probe wird sichergestellt, dass die gesamte Oberfläche während der Verarbeitung der Atmosphäre ausgesetzt ist, was die Gasdiffusion verbessert, den Gasverbrauch reduziert und die Effizienz der Wärmebehandlung erhöht. Darüber hinaus wird das Material kontinuierlich durch einen heißen Ofen geleitet, der ein konstantes Temperaturprofil aufrechterhält und so die Homogenität des Produkts verbessert. Rotationsöfen bieten im Vergleich zu anderen Formen kontinuierlicher Hochtemperaturanlagen auch erhebliche Vorteile hinsichtlich Durchsatz und Energieeffizienz und sind damit die neueste Technologie für die Hochtemperaturverarbeitung von pulverförmigen Materialien.

Welche verschiedenen Arten von CVD-Methoden gibt es?

Zu den verschiedenen Arten von CVD-Methoden gehören Atmosphärendruck-CVD (APCVD), Niederdruck-CVD (LPCVD), Ultrahochvakuum-CVD, durch Aerosole unterstütztes CVD, CVD mit direkter Flüssigkeitseinspritzung, Heißwand-CVD, Kaltwand-CVD, Mikrowellen-Plasma-CVD, Plasma-CVD. Enhanced CVD (PECVD), Remote Plasma Enhanced CVD, Low Energy Plasma Enhanced CVD, Atomic Layer CVD, Combustion CVD und Hot Filament CVD. Diese Methoden unterscheiden sich im Mechanismus, durch den chemische Reaktionen ausgelöst werden, und in den Betriebsbedingungen.

Was ist die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?

Bei der Dünnschichtabscheidungstechnologie wird ein sehr dünner Materialfilm mit einer Dicke von einigen Nanometern bis 100 Mikrometern auf eine Substratoberfläche oder auf zuvor aufgebrachte Beschichtungen aufgetragen. Diese Technologie wird bei der Herstellung moderner Elektronik eingesetzt, darunter Halbleiter, optische Geräte, Solarmodule, CDs und Festplatten. Die beiden großen Kategorien der Dünnschichtabscheidung sind die chemische Abscheidung, bei der eine chemische Veränderung eine chemisch abgeschiedene Beschichtung erzeugt, und die physikalische Gasphasenabscheidung, bei der ein Material aus einer Quelle freigesetzt und mithilfe mechanischer, elektromechanischer oder thermodynamischer Prozesse auf einem Substrat abgeschieden wird.

Wofür steht PECVD?

PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.

Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.

Wie hoch ist der Wirkungsgrad eines Drehrohrofens?

Drehrohröfen sind äußerst effizient bei der Wärmeübertragung über einen kurzen Zeitraum, während kontinuierlich Materialchargen verarbeitet werden. Außerdem minimieren sie den Materialtransport und eignen sich daher ideal für die Pulververarbeitung. KINTEK bietet maßgeschneiderte Drehrohröfen an, die nach spezifischen Anforderungen an maximale Temperaturkontrolle, Arbeitsraumgröße, Verweilzeit, Rohrrotationsrate, Rohrneigungswinkel, Temperaturprofil, Atmosphärendurchflussrate, Pulverbetttiefe und Vorschubgeschwindigkeit gebaut werden können. Bei der Auswahl eines Rohrs für den Ofen sind Drehgeschwindigkeit, Materialmenge, Rohrdurchmesser, Aufhängelänge und Rohrdicke wichtige Faktoren. Auch die Wahl des Rohrmaterials sollte sich an den Einsatzmöglichkeiten orientieren.

Was ist der Unterschied zwischen CVD und PECVD?

Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.

Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.

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