CVD- und PECVD-Ofen
Geteilter Kammer-CVD-Röhrenofen mit Vakuumpumpe, Anlage für chemische Gasphasenabscheidung
Artikelnummer : KT-CTF12
Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen
- Maximale Temperatur
- 1200 ℃
- Konstante Arbeitstemperatur
- 1100 ℃
- Ofenrohrdurchmesser
- 60 mm
- Heizzonenlänge
- 1x450 mm
- Aufheizrate
- 0-20 ℃/min
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Einleitung
Der geteilte Kammer-CVD-Röhrenofen mit Vakuumpumpe ist ein vielseitiges und leistungsstarkes Laborgerät für Anwendungen der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD). Er verfügt über eine geteilte Ofenkammer, die einen einfachen Zugang zu den Reaktionsproben und eine schnelle Kühlung ermöglicht. Das Ofenrohr besteht aus hochtemperaturbeständigem Quarz und hat einen Durchmesser von 60 mm. Das System umfasst einen 4-Kanal-MFC-Massendurchflussmesser mit den Quellgasen CH4, H2, O2 und N2, der eine präzise Steuerung der Gasflüsse ermöglicht. Die Vakuumstation ist mit einer 4L/S-Rotationsschieberpumpe ausgestattet, die einen maximalen Vakuumdruck von 10 Pa erreicht. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen und Fähigkeiten ist der geteilte Kammer-CVD-Röhrenofen mit Vakuumpumpe eine ideale Wahl für verschiedene Forschungs- und Entwicklungsanwendungen in den Materialwissenschaften, der Halbleiterverarbeitung und anderen Bereichen.
Detail&Teile
Anwendungen
Die CVD-Maschine mit geteiltem Kammer-CVD-Röhrenofen und Vakuumpumpe ist ein vielseitiges und fortschrittliches Gerät, das für eine Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen Materialwissenschaften, Halbleiterfertigung sowie Forschung und Entwicklung konzipiert ist. Diese Maschine ist besonders nützlich für Prozesse, die eine präzise Steuerung von Temperatur, Gasfluss und Vakuum erfordern, was sie zu einem unverzichtbaren Werkzeug für die Synthese und Verarbeitung hochwertiger Materialien macht.
- Synthese von Nanomaterialien: Der Ofen ist ideal für das Wachstum von Nanodrähten, Nanofilmen und anderen nanostrukturierten Materialien, die für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Geräte entscheidend sind.
- Vakuum-Beschichtung: Er wird häufig für die Abscheidung von dünnen Schichten auf verschiedenen Substraten eingesetzt, darunter Metall-, Keramik- und Verbundschichten, die für die Verbesserung der Materialeigenschaften in Anwendungen wie Optik und Elektronik unerlässlich sind.
- Verarbeitung von Batteriematerialien: Der Ofen eignet sich zum Trocknen und Sintern von Batteriematerialien, was ein entscheidender Schritt bei der Herstellung von Hochleistungsbatterien ist.
- Trocknen und Sintern von Materialien: Er wird zum Hochtemperatursintern von Keramiken, feuerfesten Materialien und Spezialmaterialien verwendet, um die Konsolidierung und Verdichtung dieser Materialien sicherzustellen.
- Wärmebehandlung unter Atmosphäre und Vakuum: Die vertikale Röhrenofenkonfiguration ermöglicht das Abschrecken, Glühen und Anlassen kleiner Stahlteile sowie die vertikale CVD-Beschichtung, was ihn zu einem wertvollen Werkzeug in metallurgischen Prozessen macht.
- Forschung und Entwicklung: Er wird häufig in Universitäten, Forschungsinstituten sowie Industrie- und Bergbauunternehmen für Hochtemperaturversuche, atmosphärisches Sintern, Reduktionsatmosphäre und CVD/CVI-Experimente eingesetzt und trägt zur Weiterentwicklung der Materialwissenschaft und -technologie bei.
Merkmale
Die CVD-Maschine mit geteiltem Kammer-CVD-Röhrenofen und Vakuumpumpe ist ein hochentwickeltes Gerät für fortschrittliche CVD-Prozesse. Dieser Ofen integriert modernste Technologie zur Steigerung der Effizienz und Qualität der Filmbeschichtung und ist somit ideal für Forschungs- und Industrieanwendungen. Hier sind die wichtigsten Merkmale und ihre Vorteile:
- Hohe Filmbeschichtungsrate: Durch den Einsatz von Hochfrequenz-Glimmentladungstechnologie steigert dieser Ofen die Filmbeschichtungsrate erheblich auf bis zu 10 Å/S. Diese schnelle Abscheidung ist entscheidend für die Hochdurchsatzproduktion und Forschung, spart Zeit und erhöht die Produktivität.
- Großflächige Gleichmäßigkeit: Mit fortschrittlicher Mehrpunkt-HF-Einspeisungstechnologie und spezieller Gaswegverteilung sorgt der Ofen für eine Filmgleichmäßigkeit von bis zu 8 %. Diese Gleichmäßigkeit ist unerlässlich für die Erzeugung konsistenter und hochwertiger Beschichtungen über große Substrate hinweg und erhöht die Zuverlässigkeit der hergestellten Materialien.
- Konsistente Abscheidung: Das Design integriert fortschrittliche Konzepte der Halbleiterindustrie, was zu einer Abweichung von weniger als 2 % zwischen den Substraten führt. Diese hohe Konsistenz ist für Anwendungen unerlässlich, die präzise und wiederholbare Ergebnisse erfordern, wie z. B. bei der Herstellung elektronischer Komponenten.
- Stabile Prozesskontrolle: Die hohe Stabilität des Geräts gewährleistet die Kontinuität und Konsistenz des CVD-Prozesses. Diese Zuverlässigkeit ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Prozessintegrität und die Reduzierung des Risikos von Defekten oder Ausfällen während des Betriebs.
- Intelligentes Steuerungssystem: Das patentierte integrierte Steuerungssystem von Bonage umfasst ein Hochleistungs-Temperaturregelsystem mit einem Closed-Loop-Negativ-Rückkopplungsmechanismus. Dieses System, kombiniert mit hochwertigen importierten elektrischen Komponenten, verbessert die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit des Geräts und macht es praktisch wartungsfrei.
- Vielseitige Anwendungen: Der Ofen eignet sich für die Abscheidung verschiedener Filmtypen, einschließlich Metall-, Keramik- und Verbundfilmen, unterstützt kontinuierliche Wachstumsprozesse und kann leicht um zusätzliche Funktionen wie Plasmareinigung und Ätzen erweitert werden. Diese Vielseitigkeit macht ihn zu einem wertvollen Werkzeug für vielfältige Forschungs- und Produktionsanforderungen.
Prinzip
Die CVD-Maschine mit geteiltem Kammer-CVD-Röhrenofen und Vakuumpumpe ist ein Hochtemperatur-Vakuumofen, der für CVD-Prozesse verwendet wird. CVD ist ein Prozess, bei dem durch die chemische Reaktion eines Gases oder Dampfes eine dünne Materialschicht auf einem Substrat abgeschieden wird. Die CVD-Maschine mit geteiltem Kammer-CVD-Röhrenofen und Vakuumpumpe verwendet eine geteilte Ofenkammer, um während des CVD-Prozesses einen einfachen Zugang zum Substrat zu ermöglichen. Die Vakuumstation wird verwendet, um ein Vakuum in der Ofenkammer zu erzeugen, was hilft, Verunreinigungen zu entfernen und die Qualität des abgeschiedenen Films zu verbessern.
Vorteile
- Intuitive Probenbeobachtung und schnelle Kühlung: Die geteilte Ofenkammer ermöglicht die direkte Beobachtung von Reaktionsproben und eine schnelle Kühlung.
- Hohe Temperaturfähigkeit: Maximale Arbeitstemperatur von bis zu 1200℃ für vielseitige Anwendungen.
- Präzise Gassteuerung: 4-Kanal-MFC-Massendurchflussmesser mit CH4-, H2-, O2- und N2-Quellen sorgt für eine genaue und stabile Gaszufuhr.
- Vakuumkompatibilität: Die Vakuumstation mit einer 4L/S-Rotationsschieberpumpe erreicht einen maximalen Vakuumdruck von bis zu 10 Pa und ermöglicht verschiedene Vakuumprozesse.
- Schnelles Aufheizen und Abkühlen: Das verschiebbare Ofenkammer-System ermöglicht schnelles Aufheizen und Abkühlen für eine effiziente Probenverarbeitung.
- Fortschrittliche Temperaturregelung: PID-programmierbare Temperaturregelung mit hervorragender Genauigkeit, Fernsteuerung und zentralen Steuerungsfunktionen.
- Benutzerfreundliche Oberfläche: Der CTF Pro-Regler mit einem 7-Zoll-TFT-Touchscreen bietet intuitive Programmeinstellungen und Datenanalysen.
- Vielseitige Vakuumkonfiguration: Der Vakuumflansch aus Edelstahl mit anpassbaren Anschlüssen ermöglicht die Aufnahme verschiedener Vakuum-Pumpstationen für maßgeschneiderte Vakuumumgebungen.
- Energieeffizienz: Wasserkühlsystem und Gasnachströmungsdesign minimieren den Energieverbrauch.
- Breite Anwendbarkeit: Geeignet für CVD, Diffusion und andere Wärmebehandlungen unter Vakuum und Schutzgasatmosphäre.
Sicherheitsvorteil
- Der Kindle Tech Röhrenofen verfügt über Überstromschutz und Übertemperaturalarmfunktion, der Ofen schaltet die Stromversorgung automatisch ab
- Eingebaute Thermoelement-Erkennungsfunktion des Ofens, der Ofen stoppt die Heizung und der Alarm wird ausgelöst, sobald ein Bruch oder Ausfall erkannt wird
- KT-CTF12 Pro unterstützt die Funktion zum Neustart nach Stromausfall, der Ofen setzt das Heizprogramm des Ofens fort, wenn nach einem Ausfall wieder Strom vorhanden ist
Technische Spezifikationen
| Ofenmodell | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| Max. Temperatur | 1200℃ |
| Konstante Arbeitstemperatur | 1100℃ |
| Ofenrohrmaterial | Hochreiner Quarz |
| Ofenrohrdurchmesser | 60mm |
| Heizzonenlänge | 1x450mm |
| Kammer matériau | Japanische Aluminiumoxidfaser |
| Heizelement | Cr2Al2Mo2 Drahtspule |
| Aufheizrate | 0-20℃/min |
| Thermoelement | Eingebauter K-Typ |
| Temperaturregler | Digitaler PID-Regler/Touchscreen-PID-Regler |
| Temperaturregelgenauigkeit | ±1℃ |
| Schiebeweg | 600mm |
| Präzise Gasregelungs-Einheit | |
| Durchflussmesser | MFC-Massendurchflussmesser |
| Gaskanäle | 4 Kanäle |
| Durchflussrate | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linearität | ±0,5 % F.S. |
| Wiederholgenauigkeit | ±0,2 % F.S. |
| Rohrleitung und Ventil | Edelstahl |
| Maximaler Betriebsdruck | 0,45 MPa |
| Durchflussmesser-Regler | Digitaler Drehknopf-Regler/Touchscreen-Regler |
| Standard-Vakuum-Einheit (Optional) | |
| Vakuumpumpe | Rotationsschieberpumpe |
| Pumpenflussrate | 4L/S |
| Vakuumansaugstutzen | KF25 |
| Vakuummeter | Pirani/Widerstands-Silizium-Vakuummeter |
| Nenn-Vakuumdruck | 10 Pa |
| Hochvakuum-Einheit (Optional) | |
| Vakuumpumpe | Rotationsschieberpumpe + Molekularpumpe |
| Pumpenflussrate | 4L/S+110L/S |
| Vakuumansaugstutzen | KF25 |
| Vakuummeter | Kombiniertes Vakuummeter |
| Nenn-Vakuumdruck | 6x10-5 Pa |
| Obige Spezifikationen und Konfigurationen können angepasst werden | |
Standardpaket
| Nr. | Beschreibung | Menge |
|---|---|---|
| 1 | Ofen | 1 |
| 2 | Quarzrohr | 1 |
| 3 | Vakuumflansch | 2 |
| 4 | Rohr-Wärmeblock | 2 |
| 5 | Haken für Rohr-Wärmeblock | 1 |
| 6 | Hitzebeständige Handschuhe | 1 |
| 7 | Präzise Gassteuerung | 1 |
| 8 | Vakuum-Einheit | 1 |
| 9 | Bedienungsanleitung | 1 |
Optionale Einrichtung
- Erkennung und Überwachung von Gasen im Rohr, wie H2, O2 und so weiter
- Unabhängige Überwachung und Aufzeichnung der Ofentemperatur
- RS 485-Kommunikationsport für PC-Fernsteuerung und Datenexport
- Einsatz von Gaszufuhrflussreglern, wie Massendurchflussmesser und Schwimmkörper-Durchflussmesser
- Touchscreen-Temperaturregler mit vielseitigen, benutzerfreundlichen Funktionen
- Hochvakuum-Pumpstationskonfigurationen, wie Schiebervakuumpumpe, Molekularpumpe, Diffusionspumpe
Warnungen
Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.
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FAQ
Was Ist Ein CVD-Ofen?
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.
Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.
Was Ist Ein Rohrofen?
Der Laborrohrofen ist ein klassischer Hochtemperatur-Rohrofen mit externer Heizung, auch Heißwandheizofen genannt.
Abhängig von der unterschiedlichen Arbeitstemperatur kann das Ofenrohrmaterial normalerweise aus transparenten Quarzrohren, hochreinen Aluminiumoxid-Keramikrohren und hochfesten Metalllegierungsrohren bestehen.
Um unterschiedliche thermische Forschungszwecke zu erfüllen, können Rohröfen mit mehreren Heizzonen ausgestattet werden, um eine flexible Steuerung des Temperaturgradienten in der Rohrarbeitskammer zu ermöglichen. Das Ofenrohr kann in einer Arbeitsumgebung mit kontrollierter Atmosphäre oder in einer Hochvakuum-Arbeitsumgebung betrieben werden.
Wozu Dient Ein Vakuumofen?
Wie Funktioniert Ein CVD-Ofen?
Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.
Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.
Wie Funktioniert Ein Rohrofen?
Die Heizelemente des Rohrofens sind um den zylindrischen Hohlraum herum angeordnet. Der Ofen kann die Proben im zylindrischen Hohlraum nur durch indirekte Wärmestrahlung erwärmen, da das Ofenrohr verhindern kann, dass das Probenmaterial mit den Heizelementen und Isoliermaterialien des Ofens in Kontakt kommt, sodass der Rohrofen eine saubere Isolierung schafft Wärmekammer und verringern das Risiko einer Kontamination des Probenmaterials durch den Ofen.
Was Ist Mpcvd?
Wie Läuft Ein Vakuumofen Ab?
Welches Gas Wird Im CVD-Prozess Verwendet?
Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.
Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.
Was Ist Die Anwendung Für Rohröfen?
Rohröfen werden hauptsächlich in der Metallurgie, Glas, Wärmebehandlung, Lithiumanoden- und -kathodenmaterialien, neuen Energien, Schleifmitteln und anderen Industrien eingesetzt und sind eine professionelle Ausrüstung zur Messung von Materialien unter bestimmten Temperaturbedingungen.
Der Rohrofen zeichnet sich durch einfache Struktur, einfache Bedienung, einfache Steuerung und kontinuierliche Produktion aus.
Rohröfen werden auch häufig in CVD-Systemen (chemische Gasphasenabscheidung) und plasmaunterstützten CVD-Systemen eingesetzt.
Was Ist Eine Mpcvd-Maschine?
Welches Gas Wird In Einem Vakuumofen Verwendet?
Was Ist Der Vorteil Des CVD-Systems?
- Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
- Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
- Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
- Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
- Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
- Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
- Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten
Wie Viele Verschiedene Arten Von Rohröfen Gibt Es?
Rohröfen können mit verschiedenen mechanischen Funktionen reibungslos arbeiten, daher gibt es viele verschiedene Rohrofenvarianten für verschiedene Versuchszwecke. Typische Ofenöfen sind wie folgt:
- Horizontaler Rohrofen
- Vertikaler Rohrofen
- Geteilter Rohrofen
- Drehrohrofen
- Kipprohrofen
- Schieberohrofen
- Schneller Heiz- und Kühlrohrofen
- Kontinuierlicher Zufuhr- und Abfuhrrohrofen
Was Sind Die Vorteile Von Mpcvd?
Welches Heizelement Wird In Einem Vakuumofen Verwendet?
Wofür Steht PECVD?
PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.
Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.
Sind CVD-Diamanten Echt Oder Gefälscht?
Was Ist Der Unterschied Zwischen CVD Und PECVD?
Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.
Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.
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Geteilter Kammer-CVD-Röhrenofen mit Vakuumpumpe, Anlage für chemische Gasphasenabscheidung
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