CVD- und PECVD-Ofen
CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation CVD-Maschine
Artikelnummer : KT-CTF12
Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen
- Max. Temperatur
- 1200 ℃
- Konstante Arbeitstemperatur
- 1100 ℃
- Durchmesser des Ofenrohrs
- 60 mm
- Länge der Heizzone
- 1x450 mm
- Heizrate
- 0-20 ℃/min
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Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein vielseitiges und leistungsstarkes Laborgerät, das für Anwendungen der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) entwickelt wurde. Er verfügt über eine geteilte Ofenkammer, die einen einfachen Zugang zu den Reaktionsproben und eine schnelle Abkühlung ermöglicht. Das Ofenrohr besteht aus Hochtemperatur-Quarz und hat einen Durchmesser von 60 mm. Das System umfasst einen 4-Kanal-MFC-Massendurchflussmesser mit den Quellgasen CH4, H2, O2 und N2, der eine präzise Steuerung der Gasdurchflussraten ermöglicht. Die Vakuumstation verfügt über eine 4L/S-Drehschieber-Vakuumpumpe, die einen maximalen Vakuumdruck von 10 Pa erreicht. Mit seinen fortschrittlichen Funktionen und Möglichkeiten ist der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation eine ideale Wahl für verschiedene Forschungs- und Entwicklungsanwendungen in der Materialwissenschaft, der Halbleiterverarbeitung und anderen Bereichen.
Details&Teile
Anwendungen
Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein vielseitiges und fortschrittliches Gerät, das für eine Vielzahl von Anwendungen in den Bereichen Materialwissenschaft, Halbleiterherstellung sowie Forschung und Entwicklung konzipiert wurde. Diese Maschine ist besonders nützlich für Prozesse, die eine präzise Steuerung von Temperatur, Gasfluss und Vakuum erfordern, was sie zu einem unverzichtbaren Werkzeug für die hochwertige Materialsynthese und -verarbeitung macht.
- Synthese von Nanomaterialien: Der Ofen ist ideal für das Wachstum von Nanodrähten, Nanofilmen und anderen nanostrukturierten Materialien, die für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Geräte entscheidend sind.
- Vakuum-Beschichtung: Der Ofen wird in großem Umfang für die Abscheidung dünner Schichten auf verschiedenen Substraten verwendet, darunter Metallschichten, Keramikschichten und Verbundschichten, die für die Verbesserung der Eigenschaften von Materialien in Anwendungen wie Optik und Elektronik unerlässlich sind.
- Verarbeitung von Batteriematerial: Der Ofen eignet sich zum Trocknen und Sintern von Batteriematerialien, was ein entscheidender Schritt bei der Herstellung von Hochleistungsbatterien ist.
- Materialtrocknung und -sinterung: Der Ofen wird für das Hochtemperatursintern von Keramik, feuerfesten Materialien und Spezialwerkstoffen eingesetzt und gewährleistet die Verfestigung und Verdichtung dieser Materialien.
- Atmosphären- und Vakuum-Wärmebehandlung: Die Konfiguration des Vertikalrohrofens ermöglicht das Abschrecken, Glühen und Anlassen kleiner Stahlteile sowie die vertikale CVD-Beschichtung, was ihn zu einem wertvollen Instrument für metallurgische Prozesse macht.
- Forschung und Entwicklung: Der Ofen wird in Universitäten, Forschungsinstituten, Industrie- und Bergbauunternehmen zur Durchführung von Hochtemperaturexperimenten, Atmosphärensintern, reduzierenden Atmosphären und CVD/CVI-Experimenten eingesetzt und trägt so zum Fortschritt der Materialwissenschaft und -technologie bei.
Merkmale
Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein hochentwickeltes Gerät, das für fortschrittliche chemische Gasphasenabscheidung (CVD) entwickelt wurde. Dieser Ofen ist mit modernster Technologie ausgestattet, um die Effizienz und Qualität der Schichtabscheidung zu verbessern, und eignet sich daher ideal für Forschung und industrielle Anwendungen. Hier sind die wichtigsten Merkmale und ihre Vorteile:
- Hohe Schichtabscheidungsrate: Durch den Einsatz von Hochfrequenz-Glühtechnik steigert dieser Ofen die Abscheidungsrate erheblich und erreicht bis zu 10Å/S. Diese schnelle Abscheidung ist entscheidend für Produktion und Forschung mit hohem Durchsatz, spart Zeit und erhöht die Produktivität.
- Großflächige Gleichmäßigkeit: Mit der fortschrittlichen Mehrpunkt-HF-Zuführungstechnologie und der speziellen Gaswegverteilung gewährleistet der Ofen eine Schichtgleichmäßigkeit von bis zu 8 %. Diese Gleichmäßigkeit ist entscheidend für die Erzeugung gleichmäßiger und hochwertiger Beschichtungen auf großen Substraten und erhöht die Zuverlässigkeit der hergestellten Materialien.
- Konsistente Beschichtung: Das Design beinhaltet fortschrittliche Konzepte der Halbleiterindustrie, was zu einer Abweichung von weniger als 2 % zwischen den Substraten führt. Dieses hohe Maß an Konsistenz ist entscheidend für Anwendungen, die präzise und wiederholbare Ergebnisse erfordern, wie z. B. bei der Herstellung von elektronischen Bauteilen.
- Stabile Prozesskontrolle: Die hohe Stabilität der Anlage gewährleistet die Kontinuität und Konsistenz des CVD-Prozesses. Diese Zuverlässigkeit ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Prozessintegrität und die Verringerung des Risikos von Defekten oder Ausfällen während des Betriebs.
- Intelligentes Steuerungssystem: Das von Bonage patentierte integrierte Steuersystem umfasst ein hochleistungsfähiges Temperaturregelsystem, das einen geschlossenen Regelkreis mit negativer Rückkopplung verwendet. Dieses System, kombiniert mit hochwertigen importierten elektrischen Komponenten, verbessert die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit des Geräts und macht es praktisch wartungsfrei.
- Vielseitige Anwendungen: Der Ofen eignet sich für die Abscheidung verschiedener Filmtypen, darunter Metall-, Keramik- und Verbundfilme. Er unterstützt kontinuierliche Wachstumsprozesse und kann leicht um zusätzliche Funktionen wie Plasmareinigung und Ätzen erweitert werden. Diese Vielseitigkeit macht ihn zu einem wertvollen Hilfsmittel für verschiedene Forschungs- und Produktionsanforderungen.
Prinzip
Der CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation ist ein Hochtemperatur-Vakuumofen, der für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) eingesetzt wird. CVD ist ein Verfahren, bei dem eine dünne Materialschicht durch die chemische Reaktion eines Gases oder Dampfes auf einem Substrat abgeschieden wird. Die CVD-Maschine mit geteilter Ofenkammer und Vakuumstation verfügt über eine geteilte Ofenkammer, die einen einfachen Zugang zum Substrat während des CVD-Prozesses ermöglicht. Die Vakuumstation dient zur Erzeugung eines Vakuums in der Ofenkammer, das dazu beiträgt, Verunreinigungen zu entfernen und die Qualität der abgeschiedenen Schicht zu verbessern.
Vorteile
- Intuitive Probenbeobachtung und schnelle Abkühlung: Die geteilte Ofenkammer ermöglicht eine direkte Beobachtung der Reaktionsproben und eine schnelle Abkühlung.
- Hohe Temperaturbeständigkeit: Maximale Arbeitstemperatur von bis zu 1200℃ für vielseitige Anwendungen.
- Präzise Gassteuerung: 4-Kanal-MFC-Massendurchflussmesser mit CH4-, H2-, O2- und N2-Quellen gewährleistet eine genaue und stabile Gaszufuhr.
- Vakuum-Kompatibilität: Die Vakuumstation mit einer 4L/S-Drehschieber-Vakuumpumpe erreicht einen maximalen Vakuumdruck von bis zu 10Pa und ermöglicht verschiedene Vakuumprozesse.
- Hochgeschwindigkeitsheizen und -kühlen: Das Gleitsystem der Ofenkammer ermöglicht ein schnelles Aufheizen und Abkühlen für eine effiziente Probenverarbeitung.
- Fortschrittliche Temperaturregelung: Programmierbare PID-Temperaturregelung mit hervorragender Genauigkeit, Fernsteuerung und zentraler Kontrollmöglichkeit.
- Benutzerfreundliche Schnittstelle: Der CTF Pro-Controller mit 7-Zoll-TFT-Touchscreen ermöglicht eine intuitive Programmeinstellung und Datenanalyse.
- Vielseitiger Vakuumaufbau: Der Edelstahl-Vakuumflansch mit anpassbaren Anschlüssen ermöglicht den Einsatz verschiedener Vakuumpumpstände für individuelle Vakuumumgebungen.
- Energieeffizient: Das Wasserkühlsystem und die Gasnachströmung minimieren den Energieverbrauch.
- Breite Anwendbarkeit: Geeignet für CVD, Diffusion und andere Thermobehandlungen unter Vakuum und Schutzatmosphäre.
Sicherheitsvorteil
- Der Kindle Tech Rohrofen verfügt über eine Überstromschutz- und Übertemperaturalarmfunktion, der Ofen schaltet sich automatisch ab
- Der Ofen verfügt über eine Funktion zur Erkennung von thermischen Kopplungen, der Ofen stoppt die Heizung und ein Alarm wird ausgelöst, sobald ein Bruch oder eine Störung erkannt wird.
- KT-CTF12 Pro unterstützt die Neustartfunktion bei Stromausfall, der Ofen nimmt das Heizprogramm wieder auf, wenn die Stromversorgung nach dem Ausfall wiederhergestellt ist
Technische Daten
| Modell des Ofens | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| Max. Temperatur | 1200℃ |
| Konstante Arbeitstemperatur | 1100℃ |
| Material des Ofenrohrs | Hochreiner Quarz |
| Durchmesser des Ofenrohrs | 60 mm |
| Länge der Heizzone | 1x450mm |
| Material der Kammer | Japanische Tonerdefaser |
| Heizelement | Cr2Al2Mo2-Drahtschlange |
| Heizrate | 0-20℃/min |
| Thermisches Paar | Eingebauter K-Typ |
| Temperaturregler | Digitaler PID-Regler/PID-Regler mit Touchscreen |
| Genauigkeit der Temperaturregelung | ±1℃ |
| Schiebeabstand | 600mm |
| Gasgenaue Steuereinheit | |
| Durchflussmesser | MFC-Massendurchflussmesser |
| Gas-Kanäle | 4 Kanäle |
| Durchflussmenge | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0- 100SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linearität | ±0,5% F.S. |
| Reproduzierbarkeit | ±0,2% V.E. |
| Rohrleitung und Ventil | Rostfreier Stahl |
| Maximaler Betriebsdruck | 0,45MPa |
| Steuerung des Durchflussmessers | Digitaler Drehknopf-Controller/Touchscreen-Controller |
| Standard-Vakuumeinheit (optional) | |
| Vakuumpumpe | Drehschieber-Vakuumpumpe |
| Durchflussmenge der Pumpe | 4L/S |
| Vakuum-Sauganschluss | KF25 |
| Vakuummeter | Pirani/Resistance Silikon-Vakuummeter |
| Nennvakuumdruck | 10Pa |
| Hochvakuumeinheit (optional) | |
| Vakuumpumpe | Drehschieberpumpe+Molekularpumpe |
| Durchflussmenge der Pumpe | 4L/S+110L/S |
| Vakuum-Sauganschluss | KF25 |
| Vakuummeter | Zusammengesetztes Vakuummeter |
| Nennvakuumdruck | 6x10-5Pa |
| Die oben genannten Spezifikationen und Konfigurationen können angepasst werden | |
Standard-Paket
| Nr. | Beschreibung | Menge |
|---|---|---|
| 1 | Ofen | 1 |
| 2 | Quarzrohr | 1 |
| 3 | Vakuumflansch | 2 |
| 4 | Thermoblock der Röhre | 2 |
| 5 | Rohr Thermoblockhaken | 1 |
| 6 | Hitzebeständiger Handschuh | 1 |
| 7 | Präzise Gassteuerung | 1 |
| 8 | Vakuumeinheit | 1 |
| 9 | Betriebsanleitung | 1 |
Optionale Einrichtung
- Erkennung und Überwachung von Gasen im Rohr, wie H2, O2 und so weiter
- Unabhängige Überwachung und Aufzeichnung der Ofentemperatur
- RS 485 Kommunikationsanschluss für PC-Fernsteuerung und Datenexport
- Kontrolle der Gaszufuhr, wie Massedurchflussmesser und Schwebekörper-Durchflussmesser
- Touchscreen-Temperaturregler mit vielseitigen bedienerfreundlichen Funktionen
- Hochvakuum-Pumpenstation, z. B. Flügelzellen-Vakuumpumpe, Molekularpumpe, Diffusionspumpe
Warnungen
Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.
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FAQ
Was ist ein CVD-Ofen?
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.
Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.
Was ist eine Laborpresse?
Wie funktioniert ein CVD-Ofen?
Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.
Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.
Was ist die PECVD-Methode?
Was ist Mpcvd?
Was ist RF-PECVD?
Mit welchen Methoden werden dünne Schichten abgeschieden?
Wozu dient eine hydraulische Presse im Labor?
Welches Gas wird im CVD-Prozess verwendet?
Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.
Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.
Wofür wird PECVD verwendet?
Was ist das Grundprinzip von CVD?
Was ist eine Mpcvd-Maschine?
PACVD ist PECVD?
Was ist eine Anlage zur Dünnschichtabscheidung?
Welche verschiedenen Arten von Laborpressen gibt es?
Was ist der Vorteil des CVD-Systems?
- Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
- Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
- Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
- Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
- Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
- Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
- Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten
Was sind die Vorteile von PECVD?
Welche verschiedenen Arten von CVD-Methoden gibt es?
Was sind die Vorteile von Mpcvd?
Was ist die Dünnschicht-Abscheidungstechnologie?
Wofür steht PECVD?
PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.
Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.
Was ist der Unterschied zwischen ALD und PECVD?
Sind CVD-Diamanten echt oder gefälscht?
Was ist der Unterschied zwischen CVD und PECVD?
Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.
Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.
Was ist der Unterschied zwischen PECVD und Sputtern?
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Revolutionierung der Qualitätskontrolle: Der ultimative Leitfaden für Handheld-Legierungsanalysatoren
Entdecken Sie die fortschrittlichen Funktionen und Vorteile von Handheld-Legierungsanalysatoren, darunter schnelle Analysen, Datenmanagement in Echtzeit und kostengünstige Lösungen für die industrielle Qualitätskontrolle. Entdecken Sie, wie diese Geräte Ihre Produktionsprozesse verbessern und eine 100%ige Qualitätssicherung gewährleisten können.
Einbau eines Rohrofen-T-Stücks
Es wird vor allem die Installationsmethode für das T-Stück der Rohrofenverschraubung vorgestellt.
Ein umfassender Leitfaden zur MPCVD: Diamantsynthese und -anwendungen
Entdecken Sie die Grundlagen, Vorteile und Anwendungen der Mikrowellen-Plasma-Chemischen Gasphasenabscheidung (MPCVD) in der Diamantsynthese. Erfahren Sie mehr über seine einzigartigen Fähigkeiten und wie es im Vergleich zu anderen Diamantwachstumsmethoden abschneidet.