Das Verständnis der Unterschiede zwischen der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) und der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) ist für jeden, der sich mit der Abscheidung von Dünnschichten befasst, von entscheidender Bedeutung.
5 wichtige Punkte, die es zu verstehen gilt
1. Methode der Dampferzeugung
Bei der PVD wird der Dampf durch physikalische Verfahren wie Erhitzen oder Sputtern erzeugt.
Beim CVD-Verfahren wird durch chemische Reaktionen von gasförmigen Ausgangsstoffen auf der Substratoberfläche eine dünne Schicht erzeugt.
2. Art des Abscheidungsverfahrens
Bei der PVD werden Gasmoleküle ionisiert, die dann in Atome dissoziieren und zu einem dünnen Film kondensieren.
Bei der CVD wird ein Gas in eine Reaktionskammer eingeleitet, wo es mit einem festen Material chemisch reagiert und eine dünne Schicht bildet.
3. Hauptaspekte der einzelnen Verfahren
Der Hauptaspekt der PVD ist, dass die Dampferzeugung und die Abscheidung rein physikalische Prozesse sind, ohne dass chemische Reaktionen beteiligt sind.
Das entscheidende Merkmal der CVD ist die chemische Reaktion, die auf der Substratoberfläche stattfindet und zur Bildung der Schicht führt.
4. Eignung für bestimmte Anwendungen
CVD wird in der Regel für dünne Schichten im Bereich von einigen Nanometern bis zu einigen Mikrometern verwendet und ist für dickere Schichten oder dreidimensionale Strukturen nicht gut geeignet.
PVD kann vielseitiger sein, je nach der verwendeten spezifischen Technik.
5. Techniken unter PVD und CVD
Zu den PVD-Techniken gehören die Verdampfung mit einer elektronischen Pistole, die Verdampfung mit einem kathodischen Lichtbogen, die Sputtertechnik und die Molekularstrahlepitaxie.
Zu den CVD-Techniken gehören thermische (konventionelle) CVD und plasmaaktivierte (PECVD).
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