Die beiden wichtigsten Abscheidungsmethoden sind die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) und die chemische Gasphasenabscheidung (CVD).
1. Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD): Beim PVD-Verfahren wird durch Erhitzen oder Sputtern eines festen Materials ein Dampf erzeugt, der auf einem Substrat kondensiert und eine dünne Schicht bildet. Der Dampf besteht aus Atomen und Molekülen, die einfach auf dem Substrat kondensieren, ohne eine chemische Reaktion einzugehen. Zu den PVD-Verfahren gehören Verdampfen und Sprühen.
2. Chemische Gasphasenabscheidung (CVD): Bei der CVD-Beschichtung wird ein Dampf auf der Substratoberfläche einer chemischen Reaktion unterzogen, um eine dünne Schicht zu bilden. Die Reaktion wird in der Regel durch die Reaktion einer Vorläuferflüssigkeit mit dem Substrat eingeleitet. Zu den CVD-Verfahren gehören die chemische Badabscheidung, die Galvanisierung, die Molekularstrahlepitaxie, die thermische Oxidation und die plasmaunterstützte CVD (PECVD).
Sowohl PVD als auch CVD werden eingesetzt, um dünne Schichten aus verschiedenen Materialien auf unterschiedlichen Substraten zu erzeugen. Die Wahl zwischen den beiden Verfahren hängt von Faktoren wie Kosten, Schichtdicke, Verfügbarkeit des Ausgangsmaterials und Kontrolle der Zusammensetzung ab. PVD eignet sich für Situationen, in denen eine einfache Kondensation von Atomen oder Molekülen ausreicht, während CVD bevorzugt wird, wenn eine chemische Reaktion erforderlich ist, um die gewünschte dünne Schicht zu bilden.
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