Siliciumcarbid (SiC) hat einen spezifischen Widerstand von weniger als 0,1 Ohm-cm.
Dieser niedrige spezifische Widerstand ist besonders bemerkenswert bei CVD-Siliciumcarbid mit niedrigem spezifischen Widerstand.
Diese Eigenschaft verbessert seine Eignung für verschiedene Anwendungen in der Halbleiterherstellung und in anderen Umgebungen mit hohen Temperaturen und hoher Beanspruchung erheblich.
Erläuterung des spezifischen Widerstands von Siliziumkarbid
1. Materialzusammensetzung und Struktur
Siliciumcarbid besteht aus Tetraedern aus Kohlenstoff- und Siliciumatomen mit starken Bindungen im Kristallgitter.
Diese Struktur macht SiC sehr hart und fest.
Sie beeinflusst auch seine elektrischen Eigenschaften.
Die starken kovalenten Bindungen tragen zu seinem niedrigen spezifischen Widerstand bei, indem sie die Bewegung von Ladungsträgern durch das Material erleichtern.
2. Elektrische Leitfähigkeit
Der niedrige spezifische Widerstand von SiC steht in direktem Zusammenhang mit seiner elektrischen Leitfähigkeit.
SiC mit niedrigem spezifischen Widerstand hat einen spezifischen Volumenwiderstand von weniger als 0,1 Ohm-cm.
Dieser Wert zeigt an, dass SiC ein recht guter elektrischer Leiter ist.
Dies ist von entscheidender Bedeutung für Anwendungen in Wafer-Verarbeitungskammern, Heizungen und elektrostatischen Spannvorrichtungen, bei denen die elektrische Leitfähigkeit entscheidend ist.
3. Anwendungen und Vorteile
Der niedrige spezifische Widerstand von SiC macht es ideal für den Einsatz in Umgebungen, die elektrische Leitfähigkeit, Verschleißfestigkeit und Temperaturwechselbeständigkeit erfordern.
In der Halbleiterherstellung wird SiC in Suszeptoren, Prozesskammern und Gasverteilungsplatten eingesetzt.
Seine Fähigkeit, Elektrizität effizient zu leiten, hilft bei der Steuerung und Verteilung der Energie auf dem Wafer.
Dadurch wird die Präzision und Effizienz der Abscheidungs- und Ätzprozesse verbessert.
4. Thermische und chemische Eigenschaften
Neben seinen elektrischen Eigenschaften weist SiC auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit (120-270 W/mK), eine geringe Wärmeausdehnung und eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit auf.
Diese Eigenschaften in Verbindung mit seiner chemischen Inertheit und Festigkeit bei hohen Temperaturen machen SiC zu einem vielseitigen Material für Hochtemperaturanwendungen.
Die schützende Siliziumoxidschicht, die sich bei hohen Temperaturen bildet, erhöht die Haltbarkeit und die Widerstandsfähigkeit gegen chemische Angriffe weiter.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der spezifische Widerstand von Siliciumcarbid, insbesondere in seiner niederohmigen Form, ein entscheidender Faktor ist, der zu seinem breiten Anwendungsspektrum in der High-Tech-Industrie beiträgt.
Sein niedriger spezifischer Widerstand in Verbindung mit seinen mechanischen und thermischen Eigenschaften macht SiC zu einem Material der Wahl für fortschrittliche technologische Anwendungen, die sowohl elektrische Leitfähigkeit als auch Beständigkeit bei hohen Temperaturen erfordern.
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