Die plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist ein Verfahren, bei dem dünne Schichten bei niedrigen Temperaturen mit Hilfe von Plasma auf ein Substrat aufgebracht werden, um chemische Reaktionen zu verstärken.
Dieses Verfahren ist in der Halbleiterindustrie unerlässlich, um Materialien auf Oberflächen abzuscheiden, die hohen Temperaturen nicht standhalten.
4 Schlüsselschritte des PECVD-Arbeitsablaufs
1. Aufbau und Gaseinleitung
Eine PECVD-Anlage besteht aus zwei Elektroden: einer geerdeten und einer HF-erregten.
Zwischen diesen Elektroden werden Reaktionsgase eingeleitet.
2. Plasmaerzeugung
Die HF-Energie (in der Regel bei 13,56 MHz) erzeugt durch kapazitive Kopplung ein Plasma zwischen den Elektroden.
Durch die Ionisierung des Gases entstehen reaktive Spezies.
3. Chemische Reaktionen
Die reaktiven Spezies durchlaufen, angetrieben durch die Plasmaenergie, chemische Reaktionen.
Dadurch bildet sich ein Film auf der Substratoberfläche.
4. Filmwachstum
Die reaktiven Stoffe diffundieren durch die Hülle und erreichen das Substrat.
Sie adsorbieren und interagieren, was zum Wachstum des Films führt.
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