Zu den Nachteilen des DC-Magnetron-Sputterns gehören:
1. Geringe Schicht-/Substrathaftung: Beim DC-Magnetron-Sputtern kann die Haftung zwischen der abgeschiedenen Schicht und dem Substrat gering sein. Dies kann zu minderwertigen Beschichtungen führen, die sich leicht vom Substrat ablösen oder delaminieren.
2. Niedrige Metallionisierungsrate: Die Ionisierung der gesputterten Metallatome ist beim DC-Magnetron-Sputtern nicht sehr effizient. Dies kann die Abscheidungsrate einschränken und zu minderwertigen Beschichtungen mit geringerer Dichte und Haftung führen.
3. Niedrige Abscheidungsrate: Das DC-Magnetron-Sputtern kann im Vergleich zu anderen Sputterverfahren niedrigere Abscheidungsraten aufweisen. Dies kann ein Nachteil sein, wenn Hochgeschwindigkeits-Beschichtungsprozesse erforderlich sind.
4. Ungleichmäßige Erosion des Targets: Beim DC-Magnetron-Sputtern wird das Target ungleichmäßig erodiert, da eine gute Gleichmäßigkeit der Abscheidung erforderlich ist. Dies kann zu einer kürzeren Lebensdauer des Targets führen und dazu, dass es häufiger ausgetauscht werden muss.
5. Einschränkungen bei der Zerstäubung von schlecht leitenden und isolierenden Materialien: Das DC-Magnetron-Sputtern eignet sich nicht für das Sputtern von schlecht leitenden oder isolierenden Materialien. Der Strom kann nicht durch diese Materialien fließen, was zu Ladungsansammlungen und ineffizienter Zerstäubung führt. Das HF-Magnetronsputtern wird häufig als Alternative für das Sputtern dieser Materialtypen verwendet.
6. Lichtbogenbildung und Schäden an der Stromversorgung: Bei der Gleichstromzerstäubung von dielektrischen Materialien können die Kammerwände mit einem nichtleitenden Material beschichtet werden, was zum Auftreten von kleinen und großen Lichtbögen während des Abscheidungsprozesses führt. Diese Lichtbögen können die Stromversorgung beschädigen und zu einer ungleichmäßigen Entfernung von Atomen aus dem Zielmaterial führen.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das Gleichstrom-Magnetronsputtern Nachteile hat, wie z. B. eine geringe Schicht-/Substrathaftung, eine niedrige Metallionisierungsrate, eine niedrige Abscheidungsrate, eine ungleichmäßige Targeterosion, Einschränkungen beim Sputtern bestimmter Materialien und das Risiko von Lichtbögen und Schäden an der Stromversorgung im Falle von dielektrischen Materialien. Diese Einschränkungen haben zur Entwicklung alternativer Sputterverfahren, wie dem HF-Magnetronsputtern, geführt, um diese Nachteile zu überwinden und den Beschichtungsprozess zu verbessern.
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