Wissen Was ist die Physik hinter dem Magnetronsputtern? Die 4 wichtigsten Mechanismen erklärt
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Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 3 Wochen

Was ist die Physik hinter dem Magnetronsputtern? Die 4 wichtigsten Mechanismen erklärt

Magnetronsputtern ist ein Verfahren zur physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD).

Sie nutzt ein Magnetfeld, um die Effizienz der Plasmaerzeugung zu erhöhen.

Dies führt zur Abscheidung dünner Schichten auf Substraten.

Die Physik hinter diesem Prozess umfasst mehrere Schlüsselmechanismen.

4 Schlüsselmechanismen des Magnetronsputterns

Was ist die Physik hinter dem Magnetronsputtern? Die 4 wichtigsten Mechanismen erklärt

1. Der Sputtering-Prozess

Sputtern ist ein physikalischer Prozess.

Atome oder Moleküle werden aus einem festen Zielmaterial herausgeschleudert.

Dies geschieht durch den Beschuss mit hochenergetischen Teilchen, in der Regel Ionen.

Wenn Ionen auf das Target treffen, übertragen sie kinetische Energie auf die Atome des Targets.

Wenn diese Energie ausreicht, um die Bindungsenergie der Target-Atome zu überwinden, werden diese Atome aus der Oberfläche herausgeschleudert.

Das herausgeschleuderte Material kann dann auf einem nahegelegenen Substrat abgeschieden werden und einen dünnen Film bilden.

2. Die Rolle des Magnetfelds

Beim Magnetronsputtern wird ein geschlossenes Magnetfeld über die Oberfläche des Targets gelegt.

Dieses Magnetfeld ist von entscheidender Bedeutung.

Es erhöht die Wahrscheinlichkeit von Zusammenstößen zwischen Elektronen und Argonatomen in der Nähe der Target-Oberfläche.

Das Magnetfeld fängt die Elektronen ein und veranlasst sie, entlang der magnetischen Flusslinien in der Nähe des Targets zu wandern.

Dieser Einschluss der Elektronen in der Nähe des Targets erhöht die Plasmaerzeugung und -dichte.

Die eingefangenen Elektronen haben mehr Möglichkeiten, das Sputtergas (normalerweise Argon) zu ionisieren und mit dem Targetmaterial in Wechselwirkung zu treten.

3. Erzeugung von Plasma

Die verstärkte Plasmaerzeugung durch das Magnetfeld führt zu einer höheren Ionisierungsrate des Sputtergases und des Targetmaterials.

Diese erhöhte Ionisierungsrate führt zu einem höheren Ionenfluss, der das Target beschießt.

Dadurch wird die Sputterrate erhöht.

Das Plasma, das durch das Magnetfeld in der Nähe des Targets eingeschlossen ist, zerstäubt das Targetmaterial effizient.

Dies geschieht, ohne die auf dem Substrat abgeschiedene Dünnschicht wesentlich zu beschädigen.

4. Erhöhter Wirkungsgrad

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Physik des Magnetronsputterns die Nutzung eines Magnetfeldes beinhaltet.

Dieses Feld fängt die Elektronen in der Nähe des Targets ein und hält sie dort fest.

Dadurch wird die Effizienz der Plasmaerzeugung erhöht.

Dieses verbesserte Plasma bombardiert das Target mit einem höheren Ionenfluss.

Dies führt zu einem effizienteren Ausstoß des Zielmaterials und zur Abscheidung dünner Schichten.

Der Vorteil dieser Technik liegt in der hohen Geschwindigkeit, der geringen Beschädigung und den niedrigeren Temperaturanforderungen im Vergleich zu anderen Sputterverfahren.

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