Siliziumkarbid (SiC) kann Temperaturen von bis zu 1.400 °C standhalten und behält dabei seine mechanische Festigkeit. Es ist auch in der Lage, bei noch höheren Temperaturen zu arbeiten, weit über 1.316°C (2.400°F), insbesondere bei Anwendungen mit Strahlungsrohren.
Hohe Temperaturbeständigkeit:
Siliziumkarbid ist dafür bekannt, dass es auch bei Temperaturen von bis zu 1.400 °C eine hohe mechanische Festigkeit aufweist. Diese Eigenschaft macht es zu einem idealen Werkstoff für Anwendungen, bei denen hohe Temperaturen vorherrschen. Darüber hinaus kann SiC auch in Umgebungen mit Temperaturen von mehr als 1.093 °C (2.000 °F), wie z. B. in Strahlungsrohren, effektiv eingesetzt werden. Bei solchen Hochtemperaturanwendungen müssen die SiC-Elemente ordnungsgemäß gestützt werden, um Verformungen zu minimieren, und sollten mit einem geeigneten feuerfesten Abstandshalter im Strahlrohr zentriert werden.Verwendung in Strahlungsrohren:
In Szenarien, in denen metallische Elemente wie Chrom und Nickel aufgrund ihrer begrenzten Temperaturtoleranz ungeeignet sind, erweist sich SiC als eine praktikable Alternative. Insbesondere bei der Verwendung als Bajonettelement in einem Strahlrohr kann SiC bei Temperaturen von weit über 1.093°C (2.000°F) eingesetzt werden. Dies ist in industriellen Prozessen, die extreme Hitze erfordern, von entscheidender Bedeutung. SiC erfüllt nicht nur die thermischen Anforderungen, sondern bietet im Vergleich zu anderen Keramiken auch eine bessere Beständigkeit gegen chemische Korrosion.
Wärmeleitfähigkeit und Oxidation:
SiC verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit von 120-270 W/mK, die höher ist als die von herkömmlichen Stählen und Gusseisen. Diese hohe Wärmeleitfähigkeit trägt zu einer effizienten Verteilung der Wärme bei, was bei Hochtemperaturanwendungen von Vorteil ist. Es ist jedoch zu beachten, dass die Wärmeleitfähigkeit mit steigender Temperatur abnimmt, und dieser Faktor muss bei bestimmten Anwendungen sorgfältig berücksichtigt werden.
Was die Oxidation angeht, so kann SiC thermisch zu SiO2 oxidiert werden, ein Prozess, der Temperaturen zwischen 1.200 und 1.600 °C erfordert. Dieser Oxidationsprozess ist für bestimmte Anwendungen von entscheidender Bedeutung und zeigt einen weiteren Aspekt der Hochtemperatureigenschaften von SiC.
