Die Sputtering-Beschichtung ist eine beliebte Methode zur Herstellung dünner Schichten, aber sie ist im Allgemeinen langsamer als die Aufdampfung.
Warum ist die Sputtering-Beschichtung langsamer als die Verdampfungsbeschichtung? 4 Hauptgründe werden erklärt
1. Plasmabedingte Beschädigung des Substrats
Beim Sputtern wird ein Plasma verwendet, das Hochgeschwindigkeitsatome erzeugt, die das Substrat beschießen.
Dieser Beschuss kann das Substrat beschädigen und den Abscheidungsprozess verlangsamen.
Im Gegensatz dazu werden beim Aufdampfen die Atome aus einer Quelle verdampft, was in der Regel zu einer geringeren Anzahl von Hochgeschwindigkeitsatomen führt.
2. Einführung von Verunreinigungen
Das Sputtern arbeitet in einem geringeren Vakuumbereich als die Aufdampfung, wodurch Verunreinigungen in das Substrat eingebracht werden können.
Das beim Sputtern verwendete Plasma neigt eher dazu, Verunreinigungen einzubringen, als die bei der Aufdampfung verwendeten Hochvakuumbedingungen.
3. Niedrigere Temperatur und Abscheidungsrate
Das Sputtern wird bei einer niedrigeren Temperatur als die Elektronenstrahlverdampfung durchgeführt, was sich auf die Abscheiderate auswirkt.
Sputtern hat eine geringere Abscheiderate, insbesondere bei Dielektrika.
Allerdings bietet das Sputtern eine bessere Schichtabdeckung für komplexere Substrate und ist in der Lage, hochreine dünne Schichten herzustellen.
4. Begrenzte Kontrolle der Schichtdicke
Das Sputtern ermöglicht hohe Abscheideraten ohne Begrenzung der Schichtdicke, aber es erlaubt keine genaue Kontrolle der Schichtdicke.
Die Aufdampfung hingegen ermöglicht eine bessere Kontrolle der Schichtdicke.
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