Die chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD) ist ein Verfahren zur Herstellung hochwertiger, leistungsstarker fester Materialien.
Es umfasst in der Regel die Reaktion gasförmiger Vorläuferstoffe unter Vakuumbedingungen.
Das Verfahren wird in erster Linie für die Abscheidung von dünnen Schichten und Beschichtungen auf verschiedenen Substraten verwendet.
Zu diesen Substraten gehören Halbleiter, Solarzellen und andere Materialien.
5 wichtige Punkte werden erklärt
1. Einführung von flüchtigen Vorläufern
Das Verfahren beginnt mit der Einführung flüchtiger Vorläuferstoffe in eine Reaktionskammer.
Die Reaktionskammer wird unter Vakuumbedingungen gehalten.
2. Erhitzung und Reaktion
Die Grundstoffe werden auf eine bestimmte Reaktionstemperatur erhitzt.
Durch die Erhitzung reagieren oder zersetzen sie sich und bilden den gewünschten Beschichtungsstoff.
3. Bindung an das Substrat
Dieses Material verbindet sich dann mit der Oberfläche des Substrats.
Er baut sich mit der Zeit gleichmäßig auf.
4. Arten von CVD-Verfahren
Es gibt mehrere Arten von CVD-Verfahren.
Dazu gehören die Standard-CVD, die plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) und die induktiv gekoppelte plasmachemische Gasphasenabscheidung (ICPCVD).
Jede Methode hat ihre eigenen Vorteile und Anwendungen.
5. Vielseitigkeit und Kontrolle
CVD ist ein vielseitiges Verfahren für die Abscheidung hochwertiger dünner Schichten und Überzüge.
Durch sorgfältige Steuerung der Reaktionsbedingungen und der Ausgangsstoffe kann mit CVD eine breite Palette von Materialien hergestellt werden.
Zu diesen Materialien gehören Metalle, Halbleiter und Dielektrika.
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