LPCVD steht für Low Pressure Chemical Vapor Deposition.
Diese Technik wird in der Halbleiterindustrie eingesetzt.
Mit ihrer Hilfe werden dünne Schichten aus verschiedenen Materialien auf ein Substrat aufgebracht.
Bei diesem Verfahren werden reaktive Gase bei niedrigem Druck verwendet.
Diese Drücke liegen in der Regel unter 133 Pa.
Das Verfahren wird in einer Umgebung mit hoher Temperatur durchgeführt.
Diese Methode ermöglicht eine hervorragende Schichtgleichmäßigkeit.
Es gewährleistet auch die Gleichmäßigkeit des Widerstandes und die Fähigkeit, Gräben zu füllen.
Dies ist auf den erhöhten Gasdiffusionskoeffizienten und den mittleren freien Bereich innerhalb der Reaktionskammer zurückzuführen.
Die LPCVD wird häufig für die Abscheidung von Materialien wie Polysilizium, Siliziumnitrid und Siliziumdioxid eingesetzt.
Es wird bevorzugt, weil es im Vergleich zu thermisch gewachsenen Schichten weniger Defekte und eine höhere Stufenbedeckung aufweist.
Das Verfahren zeichnet sich auch durch seine Präzision bei der Temperaturregelung aus.
Dies trägt zu einer hohen Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen Schichten über verschiedene Wafer und Serien hinweg bei.
Wofür steht LPCVD? Die 5 wichtigsten Punkte werden erklärt
1. Definition von LPCVD
LPCVD steht für Low Pressure Chemical Vapor Deposition (Chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck).
2. Anwendung in der Halbleiterindustrie
Diese Technik wird in der Halbleiterindustrie eingesetzt, um dünne Schichten aus verschiedenen Materialien auf ein Substrat aufzubringen.
3. Einzelheiten zum Prozess
Das Verfahren umfasst die Verwendung reaktiver Gase bei niedrigem Druck, in der Regel unter 133 Pa, und wird in einer Umgebung mit hoher Temperatur durchgeführt.
4. Vorteile der LPCVD
Dieses Verfahren ermöglicht aufgrund des erhöhten Gasdiffusionskoeffizienten und des mittleren freien Bereichs innerhalb der Reaktionskammer eine hervorragende Gleichmäßigkeit der Schichten, des spezifischen Widerstands und der Fähigkeit zur Grabenabdeckung.
5. Abgeschiedene Materialien
Das LPCVD-Verfahren ist für die Abscheidung von Materialien wie Polysilizium, Siliziumnitrid und Siliziumdioxid weit verbreitet und wird wegen seiner Fähigkeit, Schichten mit weniger Defekten und höherer Stufenbedeckung im Vergleich zu thermisch gewachsenen Schichten herzustellen, bevorzugt.
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