Zwei der gebräuchlichsten Verfahren für die Abscheidung dünner Schichten sind die thermische Verdampfung und die Molekularstrahlepitaxie (MBE).
5 Hauptunterschiede erklärt
1. Methode der Verdampfung
Bei der thermischen Verdampfung werden die Materialien durch Wärme verdampft.
Bei der MBE hingegen wird ein Strahl hochenergetischer Teilchen verwendet, um dünne Schichten präzise abzuscheiden.
2. Materialeignung
Die thermische Verdampfung ist für Materialien mit höherem Dampfdruck und niedrigerem Schmelzpunkt geeignet.
MBE eignet sich für Materialien mit niedrigerem Dampfdruck und höherem Schmelzpunkt.
3. Präzision und Kontrolle
MBE bietet eine höhere Präzision und Kontrolle über den Abscheidungsprozess.
Die thermische Verdampfung ist zwar effektiv, bietet aber nicht das gleiche Maß an Präzision.
4. Abscheiderate und Reinheit
Die E-Beam-Verdampfung (eine Form der MBE) hat in der Regel eine höhere Abscheidungsrate und führt zu weniger dichten, reineren Schichten.
Bei der thermischen Verdampfung kann es aufgrund der Erwärmung des Tiegels eher zu Verunreinigungen kommen.
5. Anwendungsschwerpunkt
MBE ist ideal für fortgeschrittene Anwendungen in der Halbleiterfertigung.
Die thermische Verdampfung ist ein einfacheres und unkomplizierteres Verfahren für die allgemeine Dünnschichtabscheidung.
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