Wissen Wie hoch ist die Spannung in gesputterten dünnen Schichten? 5 zu berücksichtigende Schlüsselfaktoren
Autor-Avatar

Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 2 Monaten

Wie hoch ist die Spannung in gesputterten dünnen Schichten? 5 zu berücksichtigende Schlüsselfaktoren

Das Verständnis der Spannungen in gesputterten Dünnschichten ist für die Gewährleistung ihrer Integrität und Leistung entscheidend.

Die Spannung in diesen Schichten wird in erster Linie durch mehrere Faktoren beeinflusst, darunter die Parameter des Abscheidungsprozesses, die Materialeigenschaften und die Wechselwirkung zwischen der Schicht und dem Substrat.

5 zu berücksichtigende Schlüsselfaktoren

Wie hoch ist die Spannung in gesputterten dünnen Schichten? 5 zu berücksichtigende Schlüsselfaktoren

1. Materialeigenschaften

Die Spannung in dünnen Schichten kann mit der folgenden Formel berechnet werden:

σ = E x α x (T - T0)

  • σ ist die Spannung des dünnen Films.
  • E ist der Elastizitätsmodul des Dünnschichtmaterials, der die Steifigkeit des Materials misst.
  • α ist der Wärmeausdehnungskoeffizient des Dünnschichtmaterials, der angibt, wie stark sich das Material bei Temperaturänderungen ausdehnt oder zusammenzieht.
  • T ist die Substrattemperatur während der Abscheidung.
  • T0 ist der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substratmaterials.

Diese Formel zeigt, dass die Spannung in der Dünnschicht direkt proportional zum Produkt aus dem Elastizitätsmodul und dem Unterschied in der Wärmeausdehnung zwischen der Schicht und dem Substrat ist, skaliert durch den Temperaturunterschied während der Abscheidung.

2. Parameter des Abscheidungsprozesses

Der Abscheidungsprozess selbst spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung des Spannungsniveaus in den dünnen Schichten.

Da es sich beim Sputtern um ein plasmagestütztes Verfahren handelt, treffen nicht nur neutrale Atome, sondern auch geladene Stoffe auf die Oberfläche der wachsenden Schicht.

Das Verhältnis von Ionenfluss zu Atomfluss (Ji/Ja) wirkt sich erheblich auf die Mikrostruktur und Morphologie der Schicht aus, was wiederum die Eigenspannung beeinflusst.

Ein hoher Ionenbeschuss kann aufgrund der zusätzlichen Energie, die auf die Schicht einwirkt, zu erhöhten Spannungen führen.

3. Abscheidungsrate

Die Abscheidungsrate, die durch Parameter wie Leistung und Druck gesteuert wird, wirkt sich auf die Gleichmäßigkeit und Dicke der Schicht aus, was wiederum die Spannung beeinflussen kann.

Eine hohe Abscheiderate kann aufgrund des schnellen Schichtaufbaus und möglicher Gitterfehlanpassungen an das Substrat zu höheren Spannungen führen.

4. Filmdefekte

Filmdefekte wie Einschlüsse von unerwünschten Gasen oder unregelmäßiges Kornwachstum können ebenfalls zu Spannungen beitragen.

Diese Defekte können örtlich begrenzte Spannungspunkte erzeugen, die zu Rissen oder Delaminationen führen können, wenn sie nicht richtig behandelt werden.

5. Wechselwirkung zwischen Folie und Substrat

Die Wechselwirkung zwischen der Folie und dem Substrat ist ein weiterer kritischer Faktor.

Die Beherrschung dieser Faktoren durch eine sorgfältige Auswahl der Abscheidungseinstellungen und Nachbehandlungen ist entscheidend für die Kontrolle der Spannungen und die Gewährleistung der Integrität und Leistung der dünnen Schichten.

Erforschen Sie weiter, konsultieren Sie unsere Experten

Entdecken Sie, wieKINTEK SOLUTION's KINTEK SOLUTION Ihnen helfen kann, Spannungen in dünnen Schichten mit Präzision und Vertrauen zu minimieren.

Unsere spezialisierten Werkzeuge und unser Wissen gewährleisten optimale Abscheidungseinstellungen, von der Steuerung von Leistung und Druck bis hin zur Beherrschung der Wärmeausdehnung und der Wechselwirkungen mit dem Substrat.

Machen Sie den ersten Schritt zur Perfektionierung Ihrer Dünnschichtintegrität - kontaktieren Sie uns noch heute und verbessern Sie Ihre Forschungs- und Herstellungsprozesse.

Ähnliche Produkte

Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)

Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)

Verbessern Sie Ihr Beschichtungsverfahren mit PECVD-Beschichtungsanlagen. Ideal für LED, Leistungshalbleiter, MEMS und mehr. Beschichtet hochwertige feste Schichten bei niedrigen Temperaturen.

Spark-Plasma-Sinterofen SPS-Ofen

Spark-Plasma-Sinterofen SPS-Ofen

Entdecken Sie die Vorteile von Spark-Plasma-Sinteröfen für die schnelle Materialvorbereitung bei niedrigen Temperaturen. Gleichmäßige Erwärmung, niedrige Kosten und umweltfreundlich.

RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung

RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung

RF-PECVD ist eine Abkürzung für "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". Damit werden DLC-Schichten (diamantähnliche Kohlenstoffschichten) auf Germanium- und Siliziumsubstrate aufgebracht. Es wird im Infrarot-Wellenlängenbereich von 3-12 um eingesetzt.

Hochreines Zinn (Sn) Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat

Hochreines Zinn (Sn) Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat

Suchen Sie nach hochwertigen Zinn (Sn)-Materialien für den Laborgebrauch? Unsere Experten bieten anpassbare Zinn (Sn)-Materialien zu angemessenen Preisen. Schauen Sie sich noch heute unser Angebot an Spezifikationen und Größen an!

Zinksulfid (ZnS) Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat

Zinksulfid (ZnS) Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat

Erhalten Sie erschwingliche Materialien aus Zinksulfid (ZnS) für Ihren Laborbedarf. Wir produzieren und passen ZnS-Materialien unterschiedlicher Reinheit, Form und Größe an. Wählen Sie aus einer breiten Palette an Sputtertargets, Beschichtungsmaterialien, Pulvern und mehr.

Zinnsulfid (SnS2) Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat

Zinnsulfid (SnS2) Sputtertarget/Pulver/Draht/Block/Granulat

Finden Sie hochwertige Zinnsulfid-Materialien (SnS2) für Ihr Labor zu erschwinglichen Preisen. Unsere Experten produzieren und passen Materialien an Ihre spezifischen Bedürfnisse an. Schauen Sie sich unser Sortiment an Sputtertargets, Beschichtungsmaterialien, Pulvern und mehr an.

Fenster/Salzplatte aus Zinksulfid (ZnS).

Fenster/Salzplatte aus Zinksulfid (ZnS).

Optikfenster aus Zinksulfid (ZnS) haben einen ausgezeichneten IR-Übertragungsbereich zwischen 8 und 14 Mikrometern. Hervorragende mechanische Festigkeit und chemische Inertheit für raue Umgebungen (härter als ZnSe-Fenster).

Ziehdüse mit Nano-Diamantbeschichtung, HFCVD-Ausrüstung

Ziehdüse mit Nano-Diamantbeschichtung, HFCVD-Ausrüstung

Das Ziehwerkzeug für die Nano-Diamant-Verbundbeschichtung verwendet Sinterkarbid (WC-Co) als Substrat und nutzt die chemische Gasphasenmethode (kurz CVD-Methode), um die herkömmliche Diamant- und Nano-Diamant-Verbundbeschichtung auf die Oberfläche des Innenlochs der Form aufzubringen.

Infrarot-Transmissionsbeschichtung, Saphirfolie/Saphirsubstrat/Saphirfenster

Infrarot-Transmissionsbeschichtung, Saphirfolie/Saphirsubstrat/Saphirfenster

Das aus Saphir gefertigte Substrat verfügt über beispiellose chemische, optische und physikalische Eigenschaften. Seine bemerkenswerte Beständigkeit gegenüber Thermoschocks, hohen Temperaturen, Sanderosion und Wasser zeichnet es aus.

CVD-Diamantbeschichtung

CVD-Diamantbeschichtung

CVD-Diamantbeschichtung: Überlegene Wärmeleitfähigkeit, Kristallqualität und Haftung für Schneidwerkzeuge, Reibung und akustische Anwendungen

Vakuumrohr-Heißpressofen

Vakuumrohr-Heißpressofen

Reduzieren Sie den Formdruck und verkürzen Sie die Sinterzeit mit dem Vakuumrohr-Heißpressofen für hochdichte, feinkörnige Materialien. Ideal für refraktäre Metalle.

Elektronenstrahlverdampfungsbeschichtungs-Wolframtiegel / Molybdäntiegel

Elektronenstrahlverdampfungsbeschichtungs-Wolframtiegel / Molybdäntiegel

Tiegel aus Wolfram und Molybdän werden aufgrund ihrer hervorragenden thermischen und mechanischen Eigenschaften häufig in Elektronenstrahlverdampfungsprozessen eingesetzt.

Vakuum-Drucksinterofen

Vakuum-Drucksinterofen

Vakuum-Drucksinteröfen sind für Hochtemperatur-Heißpressanwendungen beim Sintern von Metall und Keramik konzipiert. Seine fortschrittlichen Funktionen gewährleisten eine präzise Temperaturregelung, zuverlässige Druckhaltung und ein robustes Design für einen reibungslosen Betrieb.

Elektronenstrahlverdampfungs-Graphittiegel

Elektronenstrahlverdampfungs-Graphittiegel

Eine Technologie, die hauptsächlich im Bereich der Leistungselektronik eingesetzt wird. Dabei handelt es sich um eine Graphitfolie, die durch Materialabscheidung mittels Elektronenstrahltechnologie aus Kohlenstoffquellenmaterial hergestellt wird.


Hinterlassen Sie Ihre Nachricht