Bei der Aufbringung von diamantähnlichen Kohlenstoffschichten (DLC) spielt die Temperatur eine entscheidende Rolle.
DLC-Schichten werden in der Regel bei Temperaturen unter 200 °C aufgebracht.
Die spezielle Abscheidungstechnologie von HEF ermöglicht das Aufbringen von DLC-Schichten bei etwa 170°C.
DLC-Schichten können mit dem RF-PECVD-Verfahren (radio frequency plasma-assisted chemical vapor deposition) abgeschieden werden.
Diese Methode ermöglicht die Abscheidung von Kohlenstoffschichten mit einer breiten Palette von optischen und elektrischen Eigenschaften.
Die Schichten haften gut auf vielen Substraten und können bei relativ niedrigen Temperaturen abgeschieden werden.
Allerdings werden Schichten mit hohem Gehalt an sp3-Kohlenstoff, bekannt als polykristalliner Diamant, in der Regel durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bei hohen Temperaturen hergestellt.
Diamantähnliche Kohlenstoffschichten (DLC) in ihren verschiedenen Formen können bei noch niedrigeren Temperaturen von etwa 300 °C mit hoher Haftfestigkeit unter Verwendung geeigneter Bindeschichten abgeschieden werden.
Die plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) kann ebenfalls zur Herstellung von DLC-Schichten verwendet werden.
Diese Schichten sind hart, kratzfest und haben gute Barriereeigenschaften.
PECVD bietet Vorteile wie niedrigere Temperaturen, chemische Stabilität, weniger giftige Nebenprodukte, kurze Verarbeitungszeiten und hohe Abscheideraten.
Insgesamt können DLC-Beschichtungen bei verschiedenen Temperaturen abgeschieden werden, je nach der spezifischen Abscheidungsmethode und den gewünschten Eigenschaften.
Bei welcher Temperatur wird DLC aufgetragen? 5 wichtige Punkte, die man wissen sollte
1. Typische Abscheidungstemperatur
DLC-Beschichtungen werden in der Regel bei Temperaturen unter 200 °C aufgebracht.
2. HEFs spezielle Beschichtungstechnologie
Die Technologie von HEF ermöglicht die Aufbringung von DLC-Beschichtungen bei etwa 170°C.
3. RF-PECVD-Verfahren
DLC-Schichten können mit dem RF-PECVD-Verfahren (Radio Frequency Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition) abgeschieden werden.
4. Abscheidung bei niedriger Temperatur
Die Schichten haften gut auf vielen Substraten und können bei relativ niedrigen Temperaturen abgeschieden werden.
5. PECVD-Vorteile
Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) bietet Vorteile wie niedrigere Temperaturen, chemische Stabilität, weniger toxische Nebenprodukte, kurze Verarbeitungszeiten und hohe Abscheideraten.
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