Die typische Abscheidetemperatur für DLC-Beschichtungen liegt unter 200 °C. Die spezielle Abscheidungstechnologie von HEF ermöglicht die Abscheidung von DLC-Schichten bei etwa 170°C. DLC-Schichten können mit dem Hochfrequenzplasma-unterstützten chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren (RF PECVD) abgeschieden werden, das die Abscheidung von Kohlenstoffschichten mit einer breiten Palette von optischen und elektrischen Eigenschaften ermöglicht. Die Schichten haften gut auf vielen Substraten und können bei relativ niedrigen Temperaturen abgeschieden werden. Allerdings werden Schichten mit hohem Gehalt an sp3-Kohlenstoff, bekannt als polykristalliner Diamant, in der Regel durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bei hohen Temperaturen hergestellt. Diamantähnliche Kohlenstoffschichten (DLC) in ihren verschiedenen Formen können bei noch niedrigeren Temperaturen von etwa 300 °C mit hoher Haftfestigkeit unter Verwendung geeigneter Bindeschichten abgeschieden werden. Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) kann ebenfalls zur Herstellung von DLC-Schichten verwendet werden, die hart und kratzfest sind und gute Barriereeigenschaften aufweisen. PECVD bietet Vorteile wie niedrigere Temperaturen, chemische Stabilität, weniger toxische Nebenprodukte, kurze Verarbeitungszeiten und hohe Abscheideraten. Insgesamt können DLC-Beschichtungen bei verschiedenen Temperaturen abgeschieden werden, je nach der spezifischen Abscheidungsmethode und den gewünschten Eigenschaften.
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