Sputtern und Verdampfen sind bei PVD (Physical Vapor Deposition) nicht dasselbe.
Es handelt sich um unterschiedliche Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten, die jeweils ihre eigenen Mechanismen und Merkmale aufweisen.
5 Hauptunterschiede werden erklärt
1. Mechanismus des Materialabtrags
Beim Sputtern wird das Material durch Impulsübertragung von energiereichen Ionen vom Target entfernt.
Bei der Verdampfung wird das Material durch Überwindung der Bindungskräfte im Material durch Erhitzung entfernt.
2. Energie der abgeschiedenen Atome
Gesputterte Atome haben im Allgemeinen eine höhere kinetische Energie als verdampfte Atome.
Dies kann sich auf die Haftung und die Mikrostruktur der abgeschiedenen Schicht auswirken.
3. Materialverträglichkeit
Das Sputtern kann bei einer Vielzahl von Materialien eingesetzt werden, auch bei solchen, die aufgrund ihres hohen Schmelzpunkts oder ihrer Reaktivität schwer zu verdampfen sind.
Bei Materialien mit niedrigeren Schmelzpunkten und Dampfdrücken ist die Verdampfung in der Regel unkomplizierter.
4. Abscheidungsrate
Durch Verdampfung können hohe Abscheideraten erzielt werden, insbesondere bei Materialien mit hohem Dampfdruck.
Die Abscheideraten beim Sputtern können moderater sein und hängen von der Effizienz des Ionenbeschusses ab.
5. Schichtqualität und Gleichmäßigkeit
Beim Sputtern werden oft gleichmäßigere und dichtere Schichten erzeugt, was für bestimmte Anwendungen von Vorteil sein kann.
Durch Verdampfung können ebenfalls qualitativ hochwertige Schichten erzeugt werden, doch ist unter Umständen eine sorgfältigere Kontrolle der Prozessparameter erforderlich, um das gleiche Maß an Gleichmäßigkeit zu erreichen.
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