Wissen Was sind die Prozesse der Gasphasenabscheidung?
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Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 1 Woche

Was sind die Prozesse der Gasphasenabscheidung?

Bei den Verfahren der Gasphasenabscheidung kommen hauptsächlich zwei Methoden zum Einsatz: Chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD) und physikalische Abscheidung aus der Gasphase (PVD). Bei jeder Methode gibt es unterschiedliche Mechanismen und Schritte, die zur Abscheidung dünner Schichten auf einem Substrat führen.

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)

  1. CVD ist ein Verfahren, bei dem ein fester Film auf einer erhitzten Oberfläche durch eine chemische Reaktion in der Dampfphase abgeschieden wird. Das Verfahren umfasst in der Regel drei Hauptschritte:Verdampfung einer flüchtigen Verbindung

  2. : Der abzuscheidende Stoff wird zunächst in eine flüchtige Form umgewandelt, in der Regel durch Erhitzen. Dieser Schritt gewährleistet, dass das Material in der Dampfphase zum Substrat transportiert werden kann.Thermische Zersetzung oder chemische Reaktion

  3. : Der Dampf zersetzt sich thermisch in Atome und Moleküle oder reagiert mit anderen Dämpfen, Gasen oder Flüssigkeiten auf der Substratoberfläche. Dieser Schritt ist entscheidend, da er die für die Filmbildung erforderlichen chemischen Umwandlungen einleitet.Abscheidung von nichtflüchtigen Reaktionsprodukten

: Die Produkte der chemischen Reaktion, die sich nun in einem nicht flüchtigen Zustand befinden, lagern sich auf dem Substrat ab und bilden einen dünnen Film. In diesem Schritt wird der Film tatsächlich Schicht für Schicht gebildet.

CVD-Verfahren erfordern oft hohe Temperaturen (etwa 1000 °C) und Drücke von einigen Torr bis über Atmosphärendruck. Das Verfahren kann durch den Einsatz von Plasma weiter verbessert werden, was als plasmaunterstütztes CVD (PECVD) bekannt ist und niedrigere Verarbeitungstemperaturen ermöglicht, indem den Oberflächenreaktionen kinetische Energie hinzugefügt wird.Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)

  1. Bei der PVD wird ein Material in einem energiereichen Gas oder Plasma auf ein Substrat abgeschieden, in der Regel in einem Teilvakuum. Das Verfahren unterscheidet sich von der CVD dadurch, dass es nicht mit chemischen Reaktionen, sondern mit physikalischen Prozessen wie Kondensation oder Verdampfung arbeitet:

  2. Erzeugung von Dämpfen: Das Material wird bis zu seinem Schmelzpunkt oder darüber erhitzt, wodurch Dämpfe entstehen. Dies kann durch verschiedene Methoden wie Sputtern, Verdampfen oder Elektronenstrahl-Erwärmung erreicht werden.

Transport und Abscheidung

: Die Dämpfe werden dann im Vakuum transportiert und auf der Oberfläche des Targets abgeschieden. Die Atome oder Moleküle verteilen sich gleichmäßig und erzeugen eine Beschichtung von gleichbleibender Reinheit und Dicke.PVD-Verfahren haben den Vorteil, dass sie Metalle und Nichtmetalle in dünnen Schichten Atom für Atom oder Molekül für Molekül abscheiden können. Die beim PVD-Verfahren verwendete Vakuumumgebung ermöglicht eine bessere Kontrolle über den Abscheidungsprozess und die Qualität der Schicht.

Vergleich und Gegenüberstellung

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