Sputtern und Elektronenstrahlverdampfung sind beides Verfahren, die bei der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) zur Herstellung dünner Schichten eingesetzt werden.
Diese beiden Verfahren haben jedoch unterschiedliche Prozesse und Eigenschaften.
5 wichtige Punkte, die zu beachten sind
1. Abscheidungsprozess
Beim Sputtern werden energiereiche Plasmaatome, in der Regel Argon, auf ein negativ geladenes Ausgangsmaterial geschossen.
Diese energiereichen Atome bewirken, dass Atome aus dem Ausgangsmaterial abbrechen und an einem Substrat haften bleiben, wodurch ein dünner Film entsteht.
Das Sputtern erfolgt in einem geschlossenen Magnetfeld und wird im Vakuum durchgeführt.
Bei der Elektronenstrahlverdampfung hingegen wird ein Elektronenstrahl auf ein Ausgangsmaterial gerichtet, wodurch sehr hohe Temperaturen erzeugt werden, die das Material verdampfen.
Dieser Prozess findet ebenfalls in einer Vakuum- oder Abscheidekammer statt.
2. Temperatur
Das Sputtern wird bei einer niedrigeren Temperatur durchgeführt als die Elektronenstrahlverdampfung.
3. Abscheidungsrate
Die Elektronenstrahlverdampfung hat in der Regel eine höhere Abscheiderate als das Sputtern, insbesondere bei Dielektrika.
4. Bedeckung der Schicht
Sputtern bietet eine bessere Beschichtungsdeckung für komplexe Substrate.
5. Anwendungen
Die Elektronenstrahlverdampfung wird in der Regel für die Herstellung von Großserien und optischen Dünnfilmbeschichtungen verwendet.
Sputtern wird bei Anwendungen eingesetzt, die einen hohen Automatisierungsgrad erfordern.
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