Wissen Was ist der Sputtering-Prozess von Gas?
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Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 2 Tagen

Was ist der Sputtering-Prozess von Gas?

Sputtern ist eine Technik zur Abscheidung dünner Schichten auf verschiedenen Substraten durch den Ausstoß von Atomen aus einem festen Zielmaterial mit Hilfe eines Gasplasmas. Dieses Verfahren ist in Branchen wie Halbleiter, optische Geräte und Datenspeicherung weit verbreitet. Der Sputterprozess umfasst mehrere Schritte, darunter die Erzeugung eines Vakuums, die Einleitung eines Inertgases, die Erzeugung eines Plasmas und die Beschleunigung von Ionen, um die Atome aus dem Target zu lösen, die dann auf den Substraten abgeschieden werden.

Die wichtigsten Punkte werden erklärt:

  • Definition und Anwendung des Sputterns:

    • Sputtern ist eine Technik der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), bei der Atome durch den Aufprall von hochenergetischen Teilchen, in der Regel Ionen, aus einem festen Targetmaterial herausgeschleudert werden.
    • Es wird zur Abscheidung dünner Schichten mit hervorragender Gleichmäßigkeit, Dichte, Reinheit und Haftung auf Substraten in verschiedenen Industriezweigen wie Halbleitern, optischen Geräten und Datenspeichern verwendet.
  • Prozessschritte des Sputterns:

    • Vakuumerzeugung:
      • Die Beschichtungskammer wird auf einen sehr niedrigen Druck evakuiert, typischerweise etwa 10^-6 Torr, um die Verunreinigung zu minimieren und die Bildung des Plasmas zu erleichtern.
    • Einleiten des Sputtergases:
      • Ein Inertgas, in der Regel Argon, wird in die Kammer eingeleitet. Die Wahl des Gases kann je nach Zielmaterial variieren, wobei Neon für leichte Elemente und Krypton oder Xenon für schwere Elemente zur effizienten Impulsübertragung bevorzugt werden.
    • Erzeugung des Plasmas:
      • Zwischen zwei Elektroden in der Kammer wird eine Spannung angelegt, um eine Glimmentladung, eine Art Plasma, zu erzeugen. In diesem Plasma stoßen freie Elektronen mit Gasatomen zusammen, ionisieren sie und erzeugen positive Ionen.
    • Beschleunigung der Ionen:
      • Die positiven Ionen des Sputtergases werden durch die angelegte Spannung in Richtung Kathode (Target) beschleunigt.
    • Erosion des Targets und Abscheidung:
      • Die beschleunigten Ionen treffen auf das Target und lösen Atome oder Moleküle aus dem Target heraus. Diese herausgeschleuderten Teilchen bilden einen Dampfstrom, der durch die Kammer wandert und sich als dünner Film auf den Substraten ablagert.
  • Mechanismus und Entdeckung:

    • Beim Sputtern wird ein Impuls von den Ionen auf die Zielatome übertragen, wodurch diese herausgeschleudert werden und sich auf den Substraten ablagern.
    • Die Technik wurde erstmals 1852 entdeckt und 1920 von Langmuir als Methode zur Abscheidung dünner Schichten weiterentwickelt.
  • Vorteile des Sputterns:

    • Gesputterte Schichten weisen eine hohe Qualität mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit, Dichte, Reinheit und Haftung auf.
    • Durch reaktives Sputtern können Legierungen mit präzisen Zusammensetzungen und verschiedene Verbindungen wie Oxide und Nitride abgeschieden werden.

Wenn man diese Schlüsselpunkte versteht, kann der Käufer von Laborgeräten die Komplexität und Präzision des Sputterverfahrens einschätzen und sicherstellen, dass die ausgewählten Geräte die spezifischen Anforderungen für die hochwertige Dünnschichtabscheidung in ihren Anwendungen erfüllen.

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