Wissen Was ist der Unterschied zwischen RF- und DC-Magnetronsputtern?
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Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 3 Monaten

Was ist der Unterschied zwischen RF- und DC-Magnetronsputtern?

Der Unterschied zwischen RF- und DC-Magnetron-Sputtern liegt in den Stromquellen, den Spannungsanforderungen, dem Kammerdruck und der Eignung des Zielmaterials.

1. Stromquellen:

- Bei der Gleichstromzerstäubung wird Gleichstrom als Stromquelle verwendet.

- Beim HF-Sputtern wird eine Hochspannungs-Wechselstromquelle verwendet, um Radiowellen zu erzeugen.

2. Spannungsanforderungen:

- Für die DC-Zerstäubung sind 2.000-5.000 Volt erforderlich.

- Beim RF-Sputtern sind 1.012 Volt oder mehr erforderlich, um die gleiche Abscheidungsrate zu erreichen.

3. Kammerdruck:

- Das DC-Sputtern erfordert einen Kammerdruck von etwa 100 mTorr.

- Beim HF-Sputtern kann ein deutlich niedrigerer Kammerdruck von unter 15 mTorr aufrechterhalten werden.

4. Eignung des Zielmaterials:

- Das DC-Sputtern ist für leitende Materialien geeignet.

- Das HF-Sputtern eignet sich sowohl für leitende als auch für nicht leitende gesputterte Materialien und ist daher besonders für isolierende Materialien geeignet.

Die Abscheidung von Mehrschichtstrukturen kann durch Magnetronsputtern erreicht werden, indem mehrere Targets verwendet werden oder das Substrat während des Abscheidungsprozesses zwischen verschiedenen Targets rotiert. Diese Technik ermöglicht die Herstellung komplexer mehrlagiger Schichten mit maßgeschneiderten Eigenschaften für bestimmte Anwendungen, wie z. B. optische Beschichtungen oder moderne elektronische Geräte.

Die Wahl des Targetmaterials wirkt sich auf die Eigenschaften der abgeschiedenen Dünnschicht aus. Bei der Gegenüberstellung von Gleichstrom- und Hochfrequenzsputtern ist das Gleichstromsputtern weit verbreitet und effektiv für große Substratmengen. Auf der anderen Seite ist das HF-Sputtern teurer und hat eine geringere Sputterausbeute, so dass es sich eher für kleinere Substratgrößen eignet.

Beim Magnetronsputtern hilft der Einsatz von Magnetfeldern, die Geschwindigkeit und Richtung der geladenen Ionenteilchen aus der Magnetronsputterquelle zu steuern. Es kann sowohl mit leitenden als auch mit nichtleitenden Materialien verwendet werden. Das Gleichstrom-Magnetronsputtern funktioniert nur mit leitenden Materialien und wird häufig bei höheren Drücken durchgeführt, während das Hochfrequenz-Magnetronsputtern aufgrund des hohen Anteils ionisierter Teilchen in der Vakuumkammer bei niedrigeren Drücken durchgeführt werden kann.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Hauptunterschiede zwischen HF- und DC-Magnetronsputtern in den Stromquellen, den Spannungsanforderungen, dem Kammerdruck und der Eignung des Zielmaterials bestehen. Das HF-Sputtern eignet sich besonders für isolierende Materialien, kann bei niedrigeren Kammerdrücken durchgeführt werden und funktioniert sowohl mit leitenden als auch mit nichtleitenden Materialien. Das DC-Sputtern ist weit verbreitet, effektiv für große Substratmengen und arbeitet hauptsächlich mit leitenden Materialien.

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