blog Häufige Nachbearbeitungsursachen und Lösungen für röhrenförmige PECVD-Beschichtungen
Häufige Nachbearbeitungsursachen und Lösungen für röhrenförmige PECVD-Beschichtungen

Häufige Nachbearbeitungsursachen und Lösungen für röhrenförmige PECVD-Beschichtungen

vor 3 Wochen

Einführung in PECVD-Beschichtungen für die Solarzellenherstellung

Die Bedeutung von PECVD für die Qualität von Solarzellen

Die PECVD-Beschichtung (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) spielt eine entscheidende Rolle bei der Verbesserung sowohl der Leistung als auch der Ästhetik von kristallinen Silizium-Solarzellen. Dieser Prozess ist ausschlaggebend für die Marktakzeptanz und Kosteneffizienz von Solarzellen, was ihn zu einer entscheidenden Komponente in der Solarenergiebranche macht.

Die wichtigsten Vorteile der PECVD-Beschichtung

  1. Verbesserte Lichtabsorption: Die durch PECVD hergestellte Siliziumnitridschicht kann die Lichtreflexion deutlich verringern und damit die von der Solarzelle absorbierte Lichtmenge erhöhen. Diese Verbesserung führt direkt zu einer höheren Energieumwandlungseffizienz.

  2. Verbesserte Oberflächenpassivierung: Der in der Siliziumnitridschicht enthaltene Wasserstoff passiviert die Oberfläche der Solarzelle und verringert so die Oberflächenrekombinationsrate des emittierenden Übergangs. Diese Verringerung des Dunkelstroms führt zu einer Erhöhung der Leerlaufspannung, was die gesamte photoelektrische Umwandlungseffizienz weiter steigert.

  3. Gleichmäßige Beschichtung: Die Vielseitigkeit des PECVD-Verfahrens ermöglicht das gleichmäßige Aufbringen von Beschichtungen auf relativ großen Flächen, wie z. B. Solarzellen und optischem Glas. Die Brechungsqualität dieser Beschichtungen kann durch die Einstellung des Plasmas fein abgestimmt werden, was ein extrem hohes Maß an Prozesskontrolle ermöglicht.

Bedeutung von PECVD für die Qualität von Solarzellen

Anwendung bei der Herstellung von Solarzellen

Der PECVD-Prozess umfasst mehrere komplizierte Schritte:

  • Erstes Setup: Der Siliziumwafer wird auf die untere Elektrode gelegt, wobei der Raum zwischen den Graphitbooten als Reaktionszone dient.
  • Auslösung der Reaktion: Die Reaktanten (SiH4 + NH3) werden in den Reaktionsofen injiziert, gefolgt von der Zersetzung durch das elektrische Feld.
  • Molekulare Diffusion: Primäre Moleküle diffundieren und adsorbieren, während sekundäre Moleküle im Siliziumwafer verteilt werden.
  • Oberflächenreaktion: Durch Oberflächenreaktionen bildet sich ein kontinuierlicher Film, der schließlich zu einer Siliziumnitridschicht führt.

Dieser detaillierte Prozess stellt sicher, dass die Solarzellen nicht nur optimal funktionieren, sondern auch strengen ästhetischen Anforderungen genügen, die für die Marktakzeptanz entscheidend sind.

Breitere Anwendungen

Neben Solarzellen findet die PECVD-Technologie in verschiedenen Bereichen Anwendung:

  • Optische Geräte: Sie wird bei der Herstellung von Sonnenbrillen, getönten optischen Geräten und Photometern eingesetzt.
  • Lebensmittelverpackungen: Zur Herstellung dichter, inerter Beschichtungen für Verpackungsmaterialien wie Kartoffelchip-Tüten.
  • Biomedizinische Implantate: Zur Herstellung hochreiner Beschichtungen für medizinische Implantate.

Diese vielfältigen Anwendungen unterstreichen die Vielseitigkeit und Bedeutung von PECVD in der modernen Technologie und Industrie.

Herausforderungen im PECVD-Prozess

Die Komplexität des PECVD-Prozesses führt zu verschiedenen Nachbearbeitungsproblemen, die eine detaillierte Analyse und gezielte Lösungen erfordern. Mehrere Faktoren tragen zu diesen Herausforderungen bei, darunter Fehlfunktionen der Anlagen, Schwankungen der Prozessparameter und Umweltbedingungen.

Fehlfunktionen der Ausrüstung

  • Probleme mit dem Gasdurchflussmesser: Regelmäßige Kontrollen sind unerlässlich, um sicherzustellen, dass der Gasdurchflussmesser normal funktioniert, da Anomalien die Gaszufuhr unterbrechen und die Gleichmäßigkeit der Schichtabscheidung beeinträchtigen können.
  • Anomalien der Vakuumpumpe: Die Leistung der Vakuumpumpe ist entscheidend. Die Verwendung eines Vakuummessgeräts zur Messung des Saugvermögens kann dazu beitragen, etwaige Probleme umgehend zu erkennen und zu beheben.
  • Fehler im RF-Anpassungsschaltkreis: Fehler im HF-Anpassungskreis können zu einer schlechten Filmqualität führen. Die Überwachung der reflektierten Leistung der HF-Quelle und die Überprüfung der Kondensatoren und Induktoren im Anpassungsschaltkreis sind notwendige Schritte.

Variationen der Prozessparameter

  • Plattenabstand und Größe der Reaktionskammer: Ein optimaler Plattenabstand ist entscheidend. Ein größerer Abstand verringert die Beschädigung des Substrats, kann aber den Randeffekt des elektrischen Feldes verstärken und die Gleichmäßigkeit der Abscheidung beeinträchtigen. Die Größe der Reaktionskammer erhöht zwar die Produktivität, kann sich aber auch auf die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke auswirken.
  • RF-Leistung und Frequenz: Eine höhere HF-Leistung verbessert die Schichtqualität, erhöht aber die Beschädigung des Substrats. Die Frequenz der HF-Stromversorgung wirkt sich erheblich auf die Gleichmäßigkeit der Schichten aus, wobei hohe Frequenzen im Vergleich zu niedrigen Frequenzen gleichmäßigere Schichten erzeugen.
  • Luftdruck: Der Luftdruck während der Plasmabildung beeinflusst die Abscheiderate und die Schichtqualität. Hoher Druck erhöht die Abscheiderate, kann aber die Schichtdichte verringern und Defekte verstärken, während niedriger Druck den Abscheidungsmechanismus der Schicht beeinflusst.

Umgebungsbedingungen

  • Temperatur des Substrats: Die Substrattemperatur hat einen erheblichen Einfluss auf die Schichtqualität, da sie die lokale Zustandsdichte, die Elektronenbeweglichkeit und die optischen Eigenschaften beeinflusst. Höhere Temperaturen führen zu dichteren Schichten, haben aber nur minimale Auswirkungen auf die Abscheiderate.
  • Sauberkeit der Kammer: Die Aufrechterhaltung der Sauberkeit in der Prozesskammer ist von entscheidender Bedeutung. Verunreinigungen können zu schlechter Schichtqualität und Defekten führen. Regelmäßige Reinigung und Überwachung sind notwendig, um optimale Bedingungen zu gewährleisten.

Diese Herausforderungen verdeutlichen das komplizierte Gleichgewicht, das für den PECVD-Prozess erforderlich ist. Wenn diese Probleme durch sorgfältige Analysen und präzise Anpassungen angegangen werden, kann die Qualität und Effizienz von PECVD-Beschichtungen erheblich verbessert werden.

Häufige Ursachen für PECVD-Nacharbeit und ihre Lösungen

Randfarbunterschied

Das Phänomen der Farbunterschiede an den Rändern von PECVD-Beschichtungen ist in erster Linie auf Unstimmigkeiten bei den Abständen zwischen den Schichten innerhalb des Graphitboots zurückzuführen. Diese ungleichmäßigen Abstände führen zu ungleichmäßigen elektrischen Feldern und ungleichmäßigen Beschichtungsraten auf der Solarzellenoberfläche. Die Schwankungen in den elektrischen Feldern können zu lokalisierten Bereichen mit Über- oder Unterbeschichtung führen, die sich als sichtbare Farbunterschiede an den Rändern der beschichteten Zellen zeigen.

Um dieses Problem zu entschärfen, können mehrere Korrekturmaßnahmen ergriffen werden. Erstens sind regelmäßige Inspektionen der keramischen Abstandshalter und Stäbe unerlässlich. Diese Komponenten spielen eine entscheidende Rolle bei der Aufrechterhaltung gleichmäßiger Abstände innerhalb des Graphitbootes. Bei Anzeichen von Verschleiß oder Beschädigung sollten die betroffenen Teile umgehend ausgetauscht werden. Darüber hinaus kann die korrekte Ausrichtung der keramischen Abstandshalter und Stäbe dazu beitragen, eine gleichmäßige Verteilung des elektrischen Feldes zu gewährleisten.

Außerdem sollte die Überprüfung und der Austausch dieser Komponenten Teil eines routinemäßigen Wartungsplans sein. Durch die Einhaltung eines strukturierten Wartungsplans können die Hersteller das erneute Auftreten von Farbunterschieden an den Kanten verhindern und eine gleichmäßigere Beschichtungsqualität gewährleisten. Dieser proaktive Ansatz erhöht nicht nur die optische Attraktivität der Solarzellen, sondern verbessert auch ihre Gesamtleistung und Marktakzeptanz.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Behebung von Farbunterschieden an den Rändern von PECVD-Beschichtungen eine sorgfältige Beachtung der Abstandsmechanismen des Graphitbootes erfordert. Durch regelmäßiges Überprüfen und Ersetzen von keramischen Abstandshaltern und Stäben können die Hersteller ein gleichmäßigeres elektrisches Feld und eine gleichmäßigere Beschichtungsrate erreichen, wodurch Farbschwankungen minimiert und die Qualität des Endprodukts verbessert werden.

Geringe Farbunterschiede im Erscheinungsbild der Komponenten
Geringer Farbunterschied im Aussehen der Komponenten

Farbunterschied in der Mitte

Das Phänomen des Farbunterschieds in der Mitte von PECVD-Beschichtungen ist in erster Linie auf zwei kritische Faktoren zurückzuführen: unzureichender Gasfluss und falsche Positionierung des Substrats. Wenn der Gasfluss unzureichend ist, verteilen sich die reaktiven Gase nicht gleichmäßig über die Oberfläche des Substrats, was zu einer dünneren Schichtabscheidung im zentralen Bereich führt. Ebenso kann eine unsachgemäße Positionierung das Substrat im Reaktor falsch ausrichten, was zu einer ungleichmäßigen Exposition gegenüber dem Plasma und damit zu Schwankungen in der Schichtdicke führt.

Um dieses Problem zu entschärfen, werden mehrere gezielte Lösungen eingesetzt. Erstens muss sichergestellt werden, dass die Lufteinlassöffnungen sauber sind und ungehindert fließen können. Ansammlungen von Ablagerungen oder Verstopfungen in diesen Öffnungen können den Gasfluss erheblich behindern und machen eine regelmäßige Reinigung und Wartung erforderlich. Außerdem müssen die Positionierungspunkte des Substrats sorgfältig überprüft und repariert werden. Jegliche Fehlausrichtung oder Abnutzung dieser Punkte kann dazu führen, dass das Substrat ungleichmäßig sitzt, was den Farbunterschied in der Mitte noch vergrößert.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Behebung des Farbunterschieds in der Mitte einen doppelten Ansatz erfordert: die Optimierung der Gasflussdynamik und die Gewährleistung einer präzisen Substratpositionierung. Durch die Umsetzung dieser Korrekturmaßnahmen können die Hersteller die Gleichmäßigkeit und Qualität der PECVD-Beschichtungen und damit die Gesamtleistung der kristallinen Silizium-Solarzellen verbessern.

Kratzer

Kratzer in PECVD-Beschichtungen sind häufig das Ergebnis von Fehlern bei der manuellen Handhabung oder von Verschleiß an kritischen Positionierungspunkten, wie z. B. auf Graphitbooten. Diese Probleme können während des heiklen Prozesses der Waferhandhabung auftreten, bei dem selbst kleine Abweichungen zu erheblichen Oberflächenschäden führen können. Das Vorhandensein von Kratzern beeinträchtigt nicht nur das ästhetische Erscheinungsbild der Solarzellen, sondern auch ihre Gesamtleistung und Marktfähigkeit.

Um diese Probleme zu mildern, können verschiedene Korrekturmaßnahmen ergriffen werden:

  1. Anpassung der Leistung des Saugnapfes: Die Feineinstellung der Saugstiftleistung kann zu einer kontrollierteren und schonenderen Handhabung der Wafer beitragen und die Wahrscheinlichkeit von Kratzern verringern. Diese Einstellung stellt sicher, dass die Wafer weder zu locker noch zu fest gehalten werden, wodurch der Oberflächenkontakt und mögliche Schäden minimiert werden.

  2. Reparatur und Instandhaltung von Graphitbootpunkten: Regelmäßige Inspektionen und Reparaturen der Graphitschiffchenpunkte sind unerlässlich. Verschleiß an diesen Stellen kann zu ungleichmäßiger Handhabung und erhöhter Reibung führen, was Kratzer verursacht. Indem man sicherstellt, dass sich diese Stellen in einem optimalen Zustand befinden, kann das Risiko von Kratzern deutlich verringert werden.

  3. Einführung automatischer Handhabungssysteme: Durch die Einführung automatisierter Handhabungssysteme kann das Risiko von Kratzern weiter minimiert werden. Diese Systeme ermöglichen eine präzisere und konsistentere Handhabung als manuelle Prozesse und verringern so den Faktor menschlicher Fehler.

Indem sie diese Bereiche angehen, können die Hersteller das Auftreten von Kratzern in PECVD-Beschichtungen wirksam verringern und so die Qualität und Zuverlässigkeit kristalliner Silizium-Solarzellen verbessern.

Entfernung von Silizium

Die Entfernung von Silizium ist ein häufiges Problem im PECVD-Beschichtungsprozess für kristalline Silizium-Solarzellen, das in erster Linie durch Kollisionen beim Absenken der Wafer in den PECVD-Ofen verursacht wird. Diese Kollisionen können zu erheblichen Schäden an den Wafern führen, die eine Nachbearbeitung erforderlich machen und die Produktionskosten erhöhen.

Um dieses Problem zu entschärfen, können verschiedene Präventivmaßnahmen ergriffen werden:

  1. Reinigung von Saugstiften: Die regelmäßige Reinigung der Saugnäpfe stellt sicher, dass sie effizient arbeiten und die Wahrscheinlichkeit von Kollisionen beim Absenken der Wafer verringert wird. Dazu müssen geeignete Reinigungsmittel und -techniken verwendet werden, um Ablagerungen oder Rückstände zu entfernen, die den Saugvorgang beeinträchtigen könnten.

  2. Überprüfen der Graphit-Bootspunkte: Die Inspektion und Wartung der Graphitschiffchenpunkte ist von entscheidender Bedeutung. Jegliche Abnutzung oder Beschädigung dieser Punkte kann zu Ausrichtungsfehlern beim Absenken der Wafer führen und Kollisionen verursachen. Regelmäßige Kontrollen und rechtzeitige Reparaturen oder Austausch können solche Probleme verhindern.

  3. Optimierung der Absenkmechanismen: Auch die Verbesserung der Mechanismen, die für das Absenken der Wafer verantwortlich sind, kann helfen. Dazu gehören die Feinabstimmung der Absenkgeschwindigkeit und die Gewährleistung einer präzisen Steuerung des Absenkprozesses, um das Risiko von Kollisionen zu minimieren.

Durch Maßnahmen in diesen Bereichen können die Hersteller das Auftreten von Siliziumabtrag deutlich verringern und so die Gesamtqualität und Effizienz des PECVD-Beschichtungsprozesses verbessern.

Abnormale Entladung

Abnormale Entladungen im PECVD-Verfahren (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) sind ein wichtiges Problem, das durch die Ansammlung von Ablagerungen auf den Elektroden oder am Boden des PECVD-Ofens entstehen kann. Diese Ablagerungen, die häufig ein Nebenprodukt des Beschichtungsprozesses sind, können den normalen Betrieb der Elektroden beeinträchtigen, was zu unregelmäßigen Entladungen führt und möglicherweise die Qualität der Beschichtung der Solarzellen beeinträchtigt.

Um dieses Problem zu entschärfen, ist ein umfassender Ansatz erforderlich, der sowohl Kontrollen vor der Beschickung als auch eine regelmäßige Wartung umfasst.Kontrollen vor der Beschickung stellen sicher, dass die Elektroden und das Innere des Ofens vor Beginn des Prozesses frei von Ablagerungen und Verunreinigungen sind. Dazu gehört eine gründliche Inspektion und Reinigung, die die anfängliche Ablagerung von Verunreinigungen verhindern kann.

Regelmäßige Wartung ist ebenso wichtig. Sie umfasst die regelmäßige Reinigung der Elektroden und des Ofenbodens sowie regelmäßige Kontrollen, um sicherzustellen, dass alle Komponenten optimal funktionieren. Durch die Einhaltung eines strengen Wartungsplans können die Hersteller die Wahrscheinlichkeit anormaler Entladungen erheblich verringern und so die Konsistenz und Qualität der PECVD-Beschichtungen aufrechterhalten.

Die Umsetzung dieser Präventivmaßnahmen steigert nicht nur die Effizienz des PECVD-Prozesses, sondern verlängert auch die Lebensdauer der Anlagen und senkt die mit häufigen Nacharbeiten und Reparaturen verbundenen Gesamtkosten.

Photovoltaische Solarzellen

Schlussfolgerung und Zukunftsaussichten

Auswirkungen der PECVD-Qualität auf die Solarzellenindustrie

Die Verbesserung der Qualität des PECVD-Prozesses (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) kann zu erheblichen Fortschritten bei der Leistung und der Effizienz der Solarzellenherstellung führen. PECVD ist eine Schlüsseltechnologie für die Herstellung von Solarzellen. Sie ermöglicht die Abscheidung dünner Schichten, die die Lichtabsorption verbessern und die Reflexion verringern, wodurch der Gesamtwirkungsgrad von Photovoltaikgeräten erhöht wird.

Die Vielseitigkeit des PECVD-Verfahrens ermöglicht eine präzise Steuerung des Abscheidungsprozesses, was für die Erzielung hochwertiger Beschichtungen auf großen Flächen wie z. B. Solarzellen entscheidend ist. Durch die Feinabstimmung der Plasmabedingungen können die Hersteller gleichmäßige Beschichtungen mit optimalen optischen Eigenschaften erzielen, die für die Maximierung der Energieumwandlungseffizienz von Solarzellen unerlässlich sind.

Darüber hinaus macht die Fähigkeit, dichte, inerte Beschichtungen mit hoher Reinheit zu erzeugen, PECVD nicht nur in der Solarindustrie, sondern auch in verschiedenen anderen Sektoren unverzichtbar, darunter biomedizinische Anwendungen und Lebensmittelverpackungen. Im Zusammenhang mit Solarzellen spielt die durch PECVD gebildete Siliziumnitridschicht eine doppelte Rolle: Sie verringert nicht nur die Lichtreflexion, sondern passiviert auch die Oberfläche der Solarzelle, wodurch die Oberflächenrekombinationsrate verringert und die Leerlaufspannung erhöht wird.

Die Vorteile einer verbesserten PECVD-Qualität gehen über die reine Verbesserung der Solarzellenleistung hinaus. Indem sie effizientere Herstellungsprozesse ermöglichen, können hochwertigere PECVD-Beschichtungen die Produktionskosten erheblich senken und die Solarenergie auf dem globalen Energiemarkt wettbewerbsfähiger machen. Dies wiederum trägt zu dem umfassenderen Ziel nachhaltiger Energielösungen bei und hilft dabei, ökologische Herausforderungen zu bewältigen und eine sauberere, nachhaltigere Zukunft zu fördern.

Die Rolle von PECVD bei nachhaltigen Energielösungen

Die Rolle der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) bei nachhaltigen Energielösungen ist vielschichtig und gewinnt zunehmend an Bedeutung. PECVD-Verfahren sind nicht nur in der Halbleiterindustrie unverzichtbar, sondern spielen auch eine entscheidende Rolle bei der Weiterentwicklung von Solarenergietechnologien. Durch die Abscheidung dünner Schichten mit hoher Gleichmäßigkeit und Präzision optimiert PECVD den Wirkungsgrad von Solarzellen und steigert so deren Energieumwandlungsraten.

Im Bereich der Solarzellen und der Photovoltaik zeigt sich die Vielseitigkeit der PECVD durch ihre Fähigkeit, gleichmäßige Beschichtungen auf große Flächen aufzutragen, z. B. auf Solarpaneele und optisches Glas. Diese Fähigkeit ermöglicht eine Feinabstimmung der optischen Eigenschaften dieser Oberflächen, was für die Maximierung der Lichtabsorption und des Umwandlungswirkungsgrads entscheidend ist. Die Brechungsqualität der optischen Schicht kann durch Änderung der Plasmaparameter genau eingestellt werden, was zu sehr kontrollierten und effizienten Prozessen führt.

Darüber hinaus bieten PECVD-Anlagen bedeutende Vorteile wie die Verarbeitung bei niedrigen Temperaturen und einen hohen Durchsatz, was für die Unversehrtheit der in Solarzellen verwendeten empfindlichen Materialien entscheidend ist. Diese Eigenschaften gewährleisten, dass die hergestellten Solarzellen nicht nur effizient, sondern auch langlebig und kostengünstig sind, was den Zielen nachhaltiger Energielösungen perfekt entspricht.

Die Integration der PECVD-Technologie in die Solarzellenherstellung bedeutet einen Schritt nach vorn bei der Bewältigung der globalen Energieprobleme. Indem sie zu einer effizienteren Umwandlung von Solarenergie beitragen, fördern PECVD-Verfahren nicht nur die Nachhaltigkeit, sondern ebnen auch den Weg für eine grünere, energieunabhängigere Zukunft. Da die Nachfrage nach fortschrittlichen elektronischen Geräten und nachhaltigen Energiequellen weiter steigt, wird die Bedeutung von PECVD in der Halbleiter- und Solarindustrie weiter zunehmen und seine Rolle bei nachhaltigen Energielösungen weiter festigen.

Kontaktieren Sie uns für eine kostenlose Beratung

Die Produkte und Dienstleistungen von KINTEK LAB SOLUTION werden von Kunden auf der ganzen Welt anerkannt. Unsere Mitarbeiter helfen Ihnen gerne bei allen Fragen weiter. Kontaktieren Sie uns für eine kostenlose Beratung und sprechen Sie mit einem Produktspezialisten, um die am besten geeignete Lösung für Ihre Anwendungsanforderungen zu finden!

Ähnliche Produkte

Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)

Beschichtungsanlage mit plasmaunterstützter Verdampfung (PECVD)

Verbessern Sie Ihr Beschichtungsverfahren mit PECVD-Beschichtungsanlagen. Ideal für LED, Leistungshalbleiter, MEMS und mehr. Beschichtet hochwertige feste Schichten bei niedrigen Temperaturen.

Schräge Rotationsrohrofenmaschine für plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD).

Schräge Rotationsrohrofenmaschine für plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD).

Wir stellen unseren geneigten rotierenden PECVD-Ofen für die präzise Dünnschichtabscheidung vor. Profitieren Sie von der automatischen Anpassung der Quelle, der programmierbaren PID-Temperaturregelung und der hochpräzisen MFC-Massendurchflussmesser-Steuerung. Integrierte Sicherheitsfunktionen sorgen für Sicherheit.

RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung

RF-PECVD-System Hochfrequenz-Plasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung

RF-PECVD ist eine Abkürzung für "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". Damit werden DLC-Schichten (diamantähnliche Kohlenstoffschichten) auf Germanium- und Siliziumsubstrate aufgebracht. Es wird im Infrarot-Wellenlängenbereich von 3-12 um eingesetzt.

Schiebe-PECVD-Rohrofen mit Flüssigvergaser-PECVD-Maschine

Schiebe-PECVD-Rohrofen mit Flüssigvergaser-PECVD-Maschine

KT-PE12 Slide PECVD-System: Großer Leistungsbereich, programmierbare Temperaturregelung, schnelles Aufheizen/Abkühlen mit Schiebesystem, MFC-Massendurchflussregelung und Vakuumpumpe.

Vom Kunden gefertigte, vielseitige CVD-Rohrofen-CVD-Maschine

Vom Kunden gefertigte, vielseitige CVD-Rohrofen-CVD-Maschine

Holen Sie sich Ihren exklusiven CVD-Ofen mit dem kundenspezifischen vielseitigen Ofen KT-CTF16. Anpassbare Schiebe-, Dreh- und Neigefunktionen für präzise Reaktionen. Jetzt bestellen!

CVD-Diamantbeschichtung

CVD-Diamantbeschichtung

CVD-Diamantbeschichtung: Überlegene Wärmeleitfähigkeit, Kristallqualität und Haftung für Schneidwerkzeuge, Reibung und akustische Anwendungen

Ziehdüse mit Nano-Diamantbeschichtung, HFCVD-Ausrüstung

Ziehdüse mit Nano-Diamantbeschichtung, HFCVD-Ausrüstung

Das Ziehwerkzeug für die Nano-Diamant-Verbundbeschichtung verwendet Sinterkarbid (WC-Co) als Substrat und nutzt die chemische Gasphasenmethode (kurz CVD-Methode), um die herkömmliche Diamant- und Nano-Diamant-Verbundbeschichtung auf die Oberfläche des Innenlochs der Form aufzubringen.

CVD-Rohrofen mit mehreren Heizzonen CVD-Maschine

CVD-Rohrofen mit mehreren Heizzonen CVD-Maschine

KT-CTF14 Multi Heating Zones CVD Furnace - Präzise Temperaturregelung und Gasfluss für fortschrittliche Anwendungen. Max temp bis zu 1200℃, 4 Kanäle MFC-Massendurchflussmesser und 7" TFT-Touchscreen-Controller.

Glockenglas-Resonator-MPCVD-Maschine für Labor- und Diamantwachstum

Glockenglas-Resonator-MPCVD-Maschine für Labor- und Diamantwachstum

Erhalten Sie hochwertige Diamantfilme mit unserer Bell-jar-Resonator-MPCVD-Maschine, die für Labor- und Diamantwachstum konzipiert ist. Entdecken Sie, wie die chemische Gasphasenabscheidung mit Mikrowellenplasma beim Züchten von Diamanten mithilfe von Kohlenstoffgas und Plasma funktioniert.

CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation CVD-Maschine

CVD-Rohrofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation CVD-Maschine

Effizienter CVD-Ofen mit geteilter Kammer und Vakuumstation für intuitive Probenkontrolle und schnelles Abkühlen. Bis zu 1200℃ Höchsttemperatur mit präziser MFC-Massendurchflussregelung.

CVD-bordotierter Diamant

CVD-bordotierter Diamant

CVD-bordotierter Diamant: Ein vielseitiges Material, das maßgeschneiderte elektrische Leitfähigkeit, optische Transparenz und außergewöhnliche thermische Eigenschaften für Anwendungen in der Elektronik, Optik, Sensorik und Quantentechnologie ermöglicht.

400–700 nm Wellenlänge. Antireflektierendes/AR-beschichtetes Glas

400–700 nm Wellenlänge. Antireflektierendes/AR-beschichtetes Glas

AR-Beschichtungen werden auf optische Oberflächen aufgetragen, um Reflexionen zu reduzieren. Dabei kann es sich um eine einzelne oder mehrere Schichten handeln, die darauf ausgelegt sind, reflektiertes Licht durch destruktive Interferenz zu minimieren.

Reinigungsgestell für leitfähiges PTFE-Glassubstrat

Reinigungsgestell für leitfähiges PTFE-Glassubstrat

Das Reinigungsgestell für leitfähige PTFE-Glassubstrate wird als Träger des quadratischen Solarzellen-Siliziumwafers verwendet, um eine effiziente und schadstofffreie Handhabung während des Reinigungsprozesses zu gewährleisten.

Optische Quarzplatte JGS1 / JGS2 / JGS3

Optische Quarzplatte JGS1 / JGS2 / JGS3

Die Quarzplatte ist eine transparente, langlebige und vielseitige Komponente, die in verschiedenen Branchen weit verbreitet ist. Es besteht aus hochreinem Quarzkristall und weist eine hervorragende thermische und chemische Beständigkeit auf.

Zylindrischer Resonator MPCVD-Diamant-Maschine für Labor-Diamant Wachstum

Zylindrischer Resonator MPCVD-Diamant-Maschine für Labor-Diamant Wachstum

Informieren Sie sich über die MPCVD-Maschine mit zylindrischem Resonator, das Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung mit Mikrowellenplasma, das für die Herstellung von Diamantsteinen und -filmen in der Schmuck- und Halbleiterindustrie verwendet wird. Entdecken Sie die kosteneffektiven Vorteile gegenüber den traditionellen HPHT-Methoden.

915MHz MPCVD Diamant-Maschine

915MHz MPCVD Diamant-Maschine

915MHz MPCVD-Diamant-Maschine und seine Multi-Kristall effektives Wachstum, die maximale Fläche kann 8 Zoll erreichen, die maximale effektive Wachstumsfläche von Einkristall kann 5 Zoll erreichen. Diese Ausrüstung wird hauptsächlich für die Produktion von großformatigen polykristallinen Diamantfilmen, das Wachstum von langen Einkristalldiamanten, das Niedertemperaturwachstum von hochwertigem Graphen und anderen Materialien verwendet, die Energie benötigen, die durch Mikrowellenplasma für das Wachstum bereitgestellt wird.


Hinterlassen Sie Ihre Nachricht