Die Geschwindigkeit von PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) ist bemerkenswert hoch, mit Abscheideraten von 1 bis 10 nm/s oder mehr, deutlich schneller als bei traditionellen vakuumbasierten Techniken wie PVD (Physical Vapor Deposition). Beispielsweise beträgt die Abscheiderate für Siliziumnitrid (Si3N4) mit PECVD bei 400 °C 130 Å/s, verglichen mit 48 Å/min bei LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) bei 800 °C, was etwa 160 Mal langsamer ist.
Bei der PECVD werden diese hohen Abscheideraten erreicht, indem ein Plasma die notwendige Energie für die chemischen Reaktionen bereitstellt, anstatt sich allein auf die Erwärmung des Substrats zu verlassen. Diese Plasmaaktivierung von Vorläufergasen in der Vakuumkammer fördert die Bildung dünner Schichten bei niedrigeren Temperaturen, die in der Regel zwischen Raumtemperatur und etwa 350 °C liegen. Der Einsatz von Plasma bei der PECVD beschleunigt nicht nur den Abscheidungsprozess, sondern ermöglicht auch die Beschichtung von Substraten bei niedrigeren Temperaturen, was für Materialien von Vorteil ist, die hohen thermischen Belastungen nicht standhalten.
Die hohen Abscheideraten der PECVD machen sie zu einer bevorzugten Wahl für Anwendungen, die eine schnelle und effiziente Abscheidung von Dünnschichten erfordern, insbesondere wenn es sich um Materialien handelt, die empfindlich auf hohe Temperaturen reagieren oder wenn schnelle Produktionszyklen erforderlich sind. Diese Effizienz bei der Abscheidung ist ein Schlüsselfaktor für die Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz von PECVD als Herstellungstechnologie.
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