Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist für ihre bemerkenswert hohe Geschwindigkeit bekannt.
Die Abscheideraten für PECVD reichen von 1 bis 10 nm/s oder mehr.
Dies ist deutlich schneller als bei herkömmlichen vakuumbasierten Verfahren wie der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD).
Beispielsweise beträgt die Abscheiderate für Siliziumnitrid (Si3N4) mit PECVD bei 400 °C 130 Å/s.
Im Vergleich dazu liegt die Abscheiderate bei der chemischen Niederdruck-Gasphasenabscheidung (LPCVD) bei 800 °C bei 48 Å/min, was etwa 160 Mal langsamer ist.
5 Wichtige Einblicke
1. Plasma-Aktivierung für hohe Abscheideraten
Bei der PECVD werden hohe Abscheideraten erreicht, indem ein Plasma die notwendige Energie für chemische Reaktionen liefert.
Diese Plasmaaktivierung von Vorläufergasen in der Vakuumkammer fördert die Bildung von dünnen Schichten bei niedrigeren Temperaturen.
2. Abscheidung bei niedrigeren Temperaturen
Der Einsatz von Plasma bei der PECVD ermöglicht die Beschichtung von Substraten bei niedrigeren Temperaturen, die in der Regel zwischen Raumtemperatur und etwa 350 °C liegen.
Dies ist vorteilhaft für Materialien, die hohen thermischen Belastungen nicht standhalten können.
3. Effizienz bei der Dünnschichtabscheidung
Die hohen Abscheideraten der PECVD machen sie zu einer bevorzugten Wahl für Anwendungen, die eine schnelle und effiziente Dünnschichtabscheidung erfordern.
Diese Effizienz ist besonders wichtig, wenn es um Materialien geht, die empfindlich auf hohe Temperaturen reagieren, oder wenn schnelle Produktionszyklen erforderlich sind.
4. Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz
Die Effizienz bei der Abscheidung ist ein Schlüsselfaktor für die Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz der PECVD als Herstellungstechnologie.
5. Anwendungen in verschiedenen Branchen
PECVD wird in vielen Branchen eingesetzt, in denen eine schnelle und effiziente Abscheidung von Dünnschichten entscheidend ist.
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