Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Verfahren, bei dem in der Regel Metalle wie Silizium, Wolfram und Titan verwendet werden.
Diese Metalle werden in verschiedenen Formen verwendet, darunter ihre Oxide, Karbide, Nitride und andere Verbindungen.
3 Schlüsselmetalle erklärt
1. Silizium
Silizium ist ein Schlüsselmetall für die CVD.
Es wird häufig in Formen wie Siliziumdioxid (SiO2), Siliziumkarbid (SiC) und Siliziumnitrid (Si3N4) verwendet.
Siliziumdioxid wird aufgrund seiner hervorragenden Isolationseigenschaften häufig in der Halbleiterherstellung verwendet.
Es wird in der Regel durch chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD) abgeschieden.
Siliciumcarbid und Siliciumnitrid werden wegen ihrer Härte und thermischen Stabilität verwendet und eignen sich daher für verschiedene industrielle Anwendungen.
2. Wolfram
Wolfram ist ein weiteres Metall, das in CVD-Verfahren verwendet wird.
Aufgrund seines hohen Schmelzpunktes und seines geringen spezifischen Widerstandes wird es vor allem in der Halbleiterindustrie für die Herstellung von Kontakten und Verbindungen verwendet.
Bei der CVD-Beschichtung von Wolfram wird Wolframhexafluorid (WF6) als Ausgangsstoff verwendet.
Dieses reagiert mit Wasserstoff, um Wolfram auf dem Substrat abzuscheiden.
3. Titannitrid
Titannitrid (TiN) wird bei der CVD aufgrund seiner Eigenschaften als hartes Material und guter elektrischer Leiter verwendet.
Es wird häufig als Diffusionsbarriere in Halbleiterbauelementen verwendet.
Titannitrid wird auch als Beschichtung für Werkzeuge verwendet, um deren Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit zu erhöhen.
Diese Metalle und ihre Verbindungen werden aufgrund ihrer spezifischen Eigenschaften, die sie für verschiedene Anwendungen in der Elektronik, Optik und anderen High-Tech-Industrien geeignet machen, für das CVD-Verfahren ausgewählt.
Das CVD-Verfahren ermöglicht eine präzise Steuerung der Abscheidung dieser Materialien und gewährleistet so hochwertige, gleichmäßige Beschichtungen und Filme.
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