Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) werden in der Regel Metalle wie Silizium, Wolfram und Titan verwendet. Diese Metalle werden in verschiedenen Formen verwendet, darunter ihre Oxide, Karbide, Nitride und andere Verbindungen.
Silizium: Silizium ist ein wichtiges Metall, das bei der CVD verwendet wird, oft in Formen wie Siliziumdioxid (SiO2), Siliziumkarbid (SiC) und Siliziumnitrid (Si3N4). Siliziumdioxid wird aufgrund seiner hervorragenden Isolationseigenschaften häufig in der Halbleiterherstellung verwendet und wird in der Regel durch chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD) abgeschieden. Siliciumcarbid und Siliciumnitrid werden wegen ihrer Härte und thermischen Stabilität verwendet und eignen sich daher für verschiedene industrielle Anwendungen.
Wolfram: Wolfram ist ein weiteres Metall, das in CVD-Verfahren verwendet wird, insbesondere in der Halbleiterindustrie für die Herstellung von Kontakten und Verbindungen, da es einen hohen Schmelzpunkt und einen geringen spezifischen Widerstand aufweist. Bei der CVD-Beschichtung von Wolfram wird Wolframhexafluorid (WF6) als Vorläufer verwendet, der mit Wasserstoff reagiert, um das Wolfram auf dem Substrat abzuscheiden.
Titannitrid: Titannitrid (TiN) wird im CVD-Verfahren aufgrund seiner Eigenschaften als hartes Material und guter elektrischer Leiter verwendet. Es wird häufig als Diffusionsbarriere in Halbleiterbauelementen und als Beschichtung für Werkzeuge verwendet, um deren Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit zu erhöhen.
Diese Metalle und ihre Verbindungen werden aufgrund ihrer spezifischen Eigenschaften für die CVD-Beschichtung ausgewählt, die sie für verschiedene Anwendungen in der Elektronik, Optik und anderen High-Tech-Industrien geeignet machen. Das CVD-Verfahren ermöglicht eine präzise Steuerung der Abscheidung dieser Materialien und gewährleistet hochwertige, gleichmäßige Beschichtungen und Filme.
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