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Chemische Gasphasenabscheidung CVD-Anlagenkammer-Schiebe-PECVD-Rohröfen mit Flüssiggasifikator PECVD-Maschine

CVD- und PECVD-Ofen

Chemische Gasphasenabscheidung CVD-Anlagenkammer-Schiebe-PECVD-Rohröfen mit Flüssiggasifikator PECVD-Maschine

Artikelnummer : KT-PE12

Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen


Maximale Temperatur
1200 ℃
Konstante Arbeitstemperatur
1100 ℃
Ofenrohrdurchmesser
60 mm
Heizzonenlänge
1x450 mm
Aufheizgeschwindigkeit
0-20 ℃/min
Gleitweg
600mm
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Einleitung

Die PECVD-Rohröfen-Schiebemaschine mit Flüssiggasifikator ist ein vielseitiges und leistungsstarkes System für eine breite Palette von Dünnschichtabscheidungsanwendungen. Sie verfügt über eine 500-W-HF-Plasmasquelle, einen herausziehbaren Ofen, eine präzise Gasflussregelung und eine Vakuumstation. Das System bietet Vorteile wie automatische Plasmaanpassung, Hochgeschwindigkeits-Aufheizen und -Abkühlen, programmierbare Temperaturregelung und eine benutzerfreundliche Oberfläche. Es wird häufig in Forschungs- und Produktionsumgebungen für die Abscheidung von Dünnschichten in verschiedenen Branchen eingesetzt, darunter Elektronik, Halbleiter und Optik.

Anwendungen

Die PECVD-Rohröfen-Schiebemaschine mit Flüssiggasifikator findet ihre Anwendungen in:

  • Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
  • Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD)
  • Dünnschichtabscheidung
  • Herstellung von Solarzellen
  • Halbleiterverarbeitung
  • Nanotechnologie
  • Materialwissenschaft
  • Forschung und Entwicklung

Verschiedene CVD-Systeme mit unterschiedlichen Temperaturen und Aufbauten verfügbar

Schiebe-PECVD-System mit Flüssiggasifikator(1.Vakuum-Sensor 2.HF-Plasma 3.Ofen 4.Überdruckventil 5.Klappenventil 6.Heizband 7.Durchflussmesser 8.Flüssiggasifikator 9.Gasstation 10.Schrank)
Schiebe-PECVD-System mit Flüssiggasifikator(1.Vakuum-Sensor 2.HF-Plasma 3.Ofen 4.Überdruckventil 5.Klappenventil 6.Heizband 7.Durchflussmesser 8.Flüssiggasifikator 9.Gasstation 10.Schrank)
Schiebe-PECVD-System mit doppelt geteiltem Rohrofen
Schiebe-PECVD-System mit doppelt geteiltem Rohrofen
Geteiltes PECVD-System mit großem Rohrdurchmesser
Geteiltes PECVD-System mit großem Rohrdurchmesser
4-Kanal-MFC-PECVD-System mit Hochvakuumstation
4-Kanal-MFC-PECVD-System mit Hochvakuumstation

Prinzip

Die PECVD-Rohröfen-Schiebemaschine mit Flüssiggasifikator verwendet Niedertemperaturplasma, um eine Glimmentladung in der Kathode (Probenhalter) der Prozesskammer zu erzeugen. Die Glimmentladung (oder eine andere Wärmequelle) erhöht die Temperatur der Probe auf ein vordefiniertes Niveau. Anschließend werden kontrollierte Mengen an Prozessgas zugeführt, die chemischen und Plasma-Reaktionen eingehen, um einen festen Film auf der Oberfläche der Probe zu bilden.

Merkmale

Die PECVD-Rohröfen-Schiebemaschine mit Flüssiggasifikator bietet zahlreiche Vorteile für die Benutzer:

  • Verbesserte Energieerzeugung für Solarzellen-Wafer: Die innovative Graphittiegelstruktur verbessert die Leistung von Solarzellen erheblich.
  • Beseitigung von Farbunterschieden bei röhrenförmigen PECVD-Zellen: Diese Ausrüstung behebt effektiv das Problem der Farbabweichungen bei röhrenförmigen PECVD-Zellen.
  • Großer Ausgangsleistungsbereich (5-500 W): Die automatische HF-Plasma-Anpassungsquelle bietet einen vielseitigen Bereich an Ausgangsleistung und gewährleistet eine optimale Leistung für verschiedene Anwendungen.
  • Schnelles Aufheizen und Abkühlen: Das Schiebesystem der Ofenkammer ermöglicht schnelles Aufheizen und Abkühlen und reduziert die Prozesszeit. Zusätzliche Zwangsluftzirkulation beschleunigt die Kühlrate weiter.
  • Automatisierte Schiebebewegung: Die optionale Schiebebewegungsfunktion ermöglicht den automatischen Betrieb, erhöht die Effizienz und reduziert manuelle Eingriffe.
  • Präzise Temperaturregelung: Die PID-programmierbare Temperaturregelung sorgt für eine genaue Temperaturregelung und unterstützt die Fern- und Zentralsteuerung für zusätzlichen Komfort.
  • Hochpräzise MFC-Massendurchflussmesser-Regelung: Der MFC-Massendurchflussmesser steuert präzise die Prozessgase und gewährleistet eine stabile und konsistente Gaszufuhr.
  • Vielseitige Vakuumstation: Der Vakuumflansch aus Edelstahl mit mehreren Anschlussmöglichkeiten ermöglicht verschiedene Konfigurationen der Vakuumpumpstation und gewährleistet einen hohen Vakuumgrad.
  • Benutzerfreundliche Oberfläche: Der CTF Pro 7-Zoll-TFT-Touchscreen-Controller vereinfacht die Programmeinstellung und ermöglicht eine einfache Analyse historischer Daten.

Vorteile

  • Automatische HF-Plasma-Anpassungsquelle, großer stabiler Ausgangsleistungsbereich von 5-500 W
  • Ofenkammer-Schiebesystem für schnelles Aufheizen und kurze Abkühlzeiten, zusätzliche schnelle Kühlung und automatische Schiebebewegung sind verfügbar
  • PID-programmierbare Temperaturregelung, ausgezeichnete Regelgenauigkeit und Unterstützung für Fern- und Zentralsteuerung
  • Hochpräzise MFC-Massendurchflussmesser-Regelung, Vormischung der Prozessgase und stabile Gaszufuhrgeschwindigkeit
  • Vakuumflansch aus Edelstahl mit verschiedenen Anschlussmöglichkeiten für unterschiedliche Vakuumpumpenkonfigurationen, gute Abdichtung und hoher Vakuumgrad
  • CTF Pro verwendet einen 7-Zoll-TFT-Touchscreen-Controller, benutzerfreundlichere Programmeinstellung und Analyse historischer Daten

Sicherheitsvorteil

  • Die Röhrenöfen von Kindle Tech verfügen über einen Überstromschutz und eine Übertemperaturalarmfunktion, der Ofen schaltet die Stromversorgung automatisch ab
  • Der Ofen verfügt über eine integrierte Thermoelement-Erfassungsfunktion, der Ofen stoppt die Heizung und ein Alarm wird ausgelöst, sobald ein Bruch oder Ausfall erkannt wird
  • PE Pro unterstützt die Funktion zum Neustart nach Stromausfall, der Ofen setzt das Heizprogramm fort, wenn nach einem Ausfall wieder Strom anliegt

Technische Spezifikationen

Ofenmodell KT-PE12-60
Max. Temperatur 1200℃
Konstante Arbeitstemperatur 1100℃
Material des Ofenrohrs Hochreines Quarzglas
Durchmesser des Ofenrohrs 60 mm
Länge der Heizzone 1x450 mm
Material der Kammer Japanische Aluminiumoxidfaser
Heizelement Cr2Al2Mo2 Drahtspule
Aufheizrate 0-20℃/min
Thermoelement Integriert Typ K
Temperaturregler Digitaler PID-Regler/Touchscreen-PID-Regler
Genauigkeit der Temperaturregelung ±1℃
Schiebeweg 600 mm
HF-Plasmaeinheit
Ausgangsleistung 5 -500 W einstellbar mit ± 1 % Stabilität
HF-Frequenz 13,56 MHz ±0,005 % Stabilität
Reflektierte Leistung Max. 350 W
Anpassung Automatisch
Geräuschpegel < 50 dB
Kühlung Luftkühlung.
Präzise Gasregelungs-Einheit
Durchflussmesser MFC-Massendurchflussmesser
Gaskanäle 4 Kanäle
Durchflussrate MFC1: 0-5 SCCM O2
MFC2: 0-20 SCCM CH4
MFC3: 0- 100 SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
Linearität ±0,5 % F.S.
Wiederholgenauigkeit ±0,2 % F.S.
Rohrleitung und Ventil Edelstahl
Maximaler Betriebsdruck 0,45 MPa
Durchflussmesserregler Digitaler Drehknopf-Regler/Touchscreen-Regler
Standard-Vakuum-Einheit (optional)
Vakuumpumpe Rotationsschieber-Vakuumpumpe
Pumpenflussrate 4 L/S
Vakuumanschluss KF25
Vakuummeter Pirani/Widerstands-Silizium-Vakuummeter
Nenn-Vakuumdruck 10 Pa
Hochvakuum-Einheit (optional)
Vakuumpumpe Rotationsschieberpumpe + Molekularpumpe
Pumpenflussrate 4 L/S + 110 L/S
Vakuumanschluss KF25
Vakuummeter Compound-Vakuummeter
Nenn-Vakuumdruck 6x10-4 Pa
Obige Spezifikationen und Konfigurationen können angepasst werden

Standardpaket

Nr. Beschreibung Menge
1 Ofen 1
2 Quarzrohr 1
3 Vakuumflansch 2
4 Rohr-Wärmeblock 2
5 Rohr-Wärmeblock-Haken 1
6 Hitzebeständige Handschuhe 1
7 HF-Plasmasquelle 1
8 Präzise Gasregelung 1
9 Vakuum-Einheit 1
10 Bedienungsanleitung 1

Optionale Konfiguration

  • In-Rohr-Gaserfassung und -Überwachung, z.B. H2, O2 usw.
  • Unabhängige Überwachung und Aufzeichnung der Ofentemperatur
  • RS 485-Kommunikationsport für PC-Fernsteuerung und Datenexport
  • Einspeisung von Einlassgasen mit Durchflussregelung, z.B. Massendurchflussmesser und Schwimmkörper-Durchflussmesser
  • Touchscreen-Temperaturregler mit vielseitigen, benutzerfreundlichen Funktionen
  • Hochvakuum-Pumpenkonfigurationen, z.B. Drehschieberpumpe, Molekularpumpe, Diffusionspumpe

Warnungen

Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.

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FAQ

Was Ist Die PECVD-Methode?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) ist ein Verfahren, das in der Halbleiterfertigung zur Abscheidung dünner Filme auf mikroelektronischen Geräten, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet wird. Beim PECVD wird ein Vorläufer in gasförmigem Zustand in die Reaktionskammer eingeführt und mithilfe von plasmareaktiven Medien dissoziiert der Vorläufer bei viel niedrigeren Temperaturen als beim CVD. PECVD-Systeme bieten eine hervorragende Filmgleichmäßigkeit, eine Verarbeitung bei niedriger Temperatur und einen hohen Durchsatz. Sie werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt und werden in der Halbleiterindustrie eine immer wichtigere Rolle spielen, da die Nachfrage nach fortschrittlichen elektronischen Geräten weiter wächst.

Was Ist Mpcvd?

MPCVD steht für Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition und ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Filme auf einer Oberfläche. Es nutzt eine Vakuumkammer, einen Mikrowellengenerator und ein Gaszufuhrsystem, um ein Plasma aus reagierenden Chemikalien und notwendigen Katalysatoren zu erzeugen. MPCVD wird im ANFF-Netzwerk häufig zur Abscheidung von Diamantschichten unter Verwendung von Methan und Wasserstoff eingesetzt, um neuen Diamanten auf einem mit Diamanten bestückten Substrat wachsen zu lassen. Es handelt sich um eine vielversprechende Technologie zur Herstellung kostengünstiger, hochwertiger großer Diamanten und wird in großem Umfang in der Halbleiter- und Diamantschleifindustrie eingesetzt.

Wofür Wird PECVD Verwendet?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) wird in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung integrierter Schaltkreise sowie in den Bereichen Photovoltaik, Tribologie, Optik und Biomedizin eingesetzt. Es wird zur Abscheidung dünner Schichten für mikroelektronische Geräte, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet. Mit PECVD können einzigartige Verbindungen und Filme hergestellt werden, die mit herkömmlichen CVD-Techniken allein nicht hergestellt werden können, sowie Filme, die eine hohe Lösungsmittel- und Korrosionsbeständigkeit sowie chemische und thermische Stabilität aufweisen. Es wird auch zur Herstellung homogener organischer und anorganischer Polymere auf großen Oberflächen sowie von diamantähnlichem Kohlenstoff (DLC) für tribologische Anwendungen verwendet.

Was Ist Eine Mpcvd-Maschine?

Die MPCVD-Maschine (Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition) ist eine Laborausrüstung zur Züchtung hochwertiger Diamantfilme. Mithilfe eines kohlenstoffhaltigen Gases und eines Mikrowellenplasmas wird über dem Diamantsubstrat eine Plasmakugel erzeugt, die es auf eine bestimmte Temperatur erhitzt. Die Plasmakugel berührt die Hohlraumwand nicht, wodurch der Diamantwachstumsprozess frei von Verunreinigungen ist und die Qualität des Diamanten verbessert wird. Das MPCVD-System besteht aus einer Vakuumkammer, einem Mikrowellengenerator und einem Gaszufuhrsystem, das den Gasfluss in die Kammer steuert.

Was Sind Die Vorteile Von PECVD?

Die Hauptvorteile von PECVD sind die Möglichkeit, bei niedrigeren Abscheidungstemperaturen zu arbeiten, was eine bessere Konformität und Stufenabdeckung auf unebenen Oberflächen, eine genauere Kontrolle des Dünnschichtprozesses und hohe Abscheidungsraten bietet. PECVD ermöglicht erfolgreiche Anwendungen in Situationen, in denen herkömmliche CVD-Temperaturen möglicherweise das zu beschichtende Gerät oder Substrat beschädigen könnten. Durch den Betrieb bei einer niedrigeren Temperatur erzeugt PECVD weniger Spannung zwischen dünnen Filmschichten, was eine hocheffiziente elektrische Leistung und eine Verbindung nach sehr hohen Standards ermöglicht.

Was Sind Die Vorteile Von Mpcvd?

MPCVD hat gegenüber anderen Methoden der Diamantherstellung mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere Reinheit, einen geringeren Energieverbrauch und die Möglichkeit, größere Diamanten herzustellen.

Was Ist Der Unterschied Zwischen ALD Und PECVD?

ALD ist ein Dünnschichtabscheidungsverfahren, das eine Auflösung der Atomschichtdicke, eine hervorragende Gleichmäßigkeit von Oberflächen mit hohem Aspektverhältnis und lochfreie Schichten ermöglicht. Dies wird durch die kontinuierliche Bildung von Atomschichten in einer selbstlimitierenden Reaktion erreicht. PECVD hingegen beinhaltet das Mischen des Ausgangsmaterials mit einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern unter Verwendung eines Plasmas, um chemisch zu interagieren und das Ausgangsmaterial aufzubrechen. Die Prozesse verwenden Wärme mit höheren Drücken, was zu einem besser reproduzierbaren Film führt, bei dem die Filmdicke durch Zeit/Leistung gesteuert werden kann. Diese Filme sind stöchiometrischer, dichter und können Isolatorfilme höherer Qualität bilden.

Sind CVD-Diamanten Echt Oder Gefälscht?

CVD-Diamanten sind echte Diamanten und keine Fälschungen. Sie werden in einem Labor durch einen Prozess namens Chemical Vapour Deposition (CVD) gezüchtet. Im Gegensatz zu natürlichen Diamanten, die unter der Erdoberfläche abgebaut werden, werden CVD-Diamanten mithilfe fortschrittlicher Technologie in Laboren hergestellt. Diese Diamanten bestehen zu 100 % aus Kohlenstoff und sind die reinste Form von Diamanten, die als Typ-IIa-Diamanten bekannt sind. Sie haben die gleichen optischen, thermischen, physikalischen und chemischen Eigenschaften wie natürliche Diamanten. Der einzige Unterschied besteht darin, dass CVD-Diamanten in einem Labor hergestellt und nicht aus der Erde abgebaut werden.

Was Ist Der Unterschied Zwischen PECVD Und Sputtern?

PECVD und Sputtern sind beide physikalische Gasphasenabscheidungstechniken, die für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden. PECVD ist ein diffusives gasbetriebenes Verfahren, das dünne Filme von sehr hoher Qualität liefert, während es sich beim Sputtern um eine Sichtlinienabscheidung handelt. PECVD ermöglicht eine bessere Abdeckung unebener Oberflächen wie Gräben, Wände und hohe Konformität und kann einzigartige Verbindungen und Filme erzeugen. Andererseits eignet sich Sputtern gut für die Abscheidung feiner Schichten mehrerer Materialien, ideal für die Erstellung mehrschichtiger und mehrfach abgestufter Beschichtungssysteme. PECVD wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie sowie in tribologischen, optischen und biomedizinischen Bereichen eingesetzt, während Sputtern hauptsächlich für dielektrische Materialien und tribologische Anwendungen eingesetzt wird.
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