Die Hochtemperatur für CVD-Prozesse (Chemical Vapor Deposition) liegt typischerweise zwischen 600 und 1100°C. Bei der thermischen CVD sollten die Oberflächen jedoch bei Temperaturen zwischen 800 und 1000°C gehalten werden. Diese hohen Temperaturen sind erforderlich, um die chemischen Reaktionen und die Abscheidung des gewünschten Materials auf dem Substrat zu erleichtern.
Es ist wichtig zu beachten, dass die hohen Temperaturen bei CVD-Verfahren erhebliche thermische Auswirkungen auf das Substratmaterial haben können. So können beispielsweise Stähle bis in die Austenitphase erhitzt werden, und es kann eine zusätzliche Wärmebehandlung erforderlich sein, um die Eigenschaften des Substrats zu optimieren.
Es gibt auch CVD-Varianten wie die plasmaunterstützte CVD (PACVD), bei der elektrische Entladungen in einem Niederdruckgas zur Beschleunigung der CVD-Reaktion eingesetzt werden. Dadurch können die Reaktionstemperaturen um mehrere hundert Grad Celsius gesenkt werden.
Insgesamt hängen die Temperaturanforderungen für CVD-Verfahren von der jeweiligen Anwendung und der Art des abgeschiedenen Materials ab. Es ist entscheidend, den richtigen Temperaturbereich einzuhalten, um die gewünschten Schichteigenschaften und die Haftfestigkeit zu erreichen.
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