Wissen Was ist das mikrowellenplasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsverfahren? (4 wichtige Punkte erklärt)
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Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 3 Wochen

Was ist das mikrowellenplasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsverfahren? (4 wichtige Punkte erklärt)

Das Verfahren der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) ist eine spezielle Technik zur Abscheidung dünner Schichten bei niedrigen Temperaturen unter Verwendung von Mikrowellenenergie zur Erzeugung eines Plasmas.

Dieses Verfahren eignet sich besonders gut für die Herstellung hochwertiger dünner Schichten, wie z. B. Diamantschichten, da es die hohe Energie und Reaktivität des durch Mikrowellenstrahlung erzeugten Plasmas nutzt.

4 Schlüsselpunkte werden erklärt

Was ist das mikrowellenplasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsverfahren? (4 wichtige Punkte erklärt)

1. Erzeugung von Plasma

Bei der Mikrowellen-PECVD wird das Plasma mit Hilfe von Mikrowellenstrahlung erzeugt, typischerweise bei Frequenzen von 2,45 GHz oder 915 MHz.

Die Mikrowellen interagieren unter Vakuumbedingungen mit einem reaktiven Gas wie Methan (CH4) und Wasserstoff (H2).

Die Energie der Mikrowellen regt die Gasmoleküle an, so dass sie ionisieren und ein Plasma bilden.

Das Plasma ist durch das Vorhandensein von energiereichen Elektronen und Ionen sehr reaktiv und ermöglicht chemische Reaktionen, die zur Abscheidung von dünnen Schichten führen.

2. Abscheidung von dünnen Schichten

Die in der Reaktorkammer erzeugte Plasmaumgebung ist reich an reaktiven Spezies wie atomaren und molekularen Ionen, Radikalen und angeregten Molekülen.

Diese Spezies führen chemische Reaktionen durch, die zur Abscheidung dünner Schichten auf dem Substrat führen.

Bei der Synthese von Diamantschichten durch chemische Gasphasenabscheidung im Mikrowellenplasma (MPCVD) beispielsweise enthält das Plasma reaktive kohlenstoffhaltige Stoffe und einen Überschuss an atomarem Wasserstoff, die die Bildung von Diamant begünstigen.

Die hohe Energie der Elektronen im Plasma (bis zu 5273 K) im Vergleich zur Gastemperatur (etwa 1073 K) fördert die Dissoziation der Gasmoleküle und die anschließende Abscheidung von Diamant auf dem Substrat.

3. Kontrolle und Optimierung

Die Qualität, die Struktur und die Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten können durch die Einstellung der Mikrowellenleistung, der Gaszusammensetzung, des Drucks und der Temperatur innerhalb des Reaktors kontrolliert werden.

Änderungen dieser Parameter können sich auf die Energie und die Lebensdauer der Gasteilchen im Plasma und damit auf die Eigenschaften der Schicht auswirken.

Der Einsatz der Mikrowellen-Elektronenzyklotronresonanz (MWECR) erhöht die Aktivität und Dichte des Plasmas weiter, indem der Zyklotronresonanzeffekt von Elektronen in Gegenwart eines Magnetfeldes genutzt wird.

Diese Technik ermöglicht die Bildung sehr gleichmäßiger und hochwertiger dünner Schichten.

4. Korrektheit und Genauigkeit

Die vorgelegten Informationen beschreiben das Mikrowellen-PECVD-Verfahren genau, wobei die Verwendung von Mikrowellenenergie zur Erzeugung eines Plasmas für die Abscheidung dünner Schichten hervorgehoben wird.

Die Angaben zur Erzeugung des Plasmas, zum Abscheidungsprozess und zu den Kontrollparametern stimmen mit dem etablierten Wissen auf dem Gebiet der PECVD überein.

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