Zu den verschiedenen Arten des Glühens von Halbleitern gehören Stickstoffglühen, Formiergasglühen, thermisches Schnellglühen, Diffusionsglühen und allgemeines Glühen.
1. Stickstoff-Glühen: Bei diesem Verfahren strömt reines Stickstoffgas durch die Kammer, in der sich die Wafer befinden. Es wird verwendet, um die Mikrostruktur des Halbleitermaterials zu verändern und seine Eigenschaften zu verbessern.
2. Formiergas-Glühen: Dieses Verfahren ähnelt dem Stickstoffglühen, allerdings wird hier ein Formiergas verwendet, ein Gemisch aus Stickstoff und Wasserstoff. Das Formiergasglühen wird ebenfalls eingesetzt, um die Mikrostruktur und die Eigenschaften des Halbleitermaterials zu verändern.
3. Thermisches Schnellglühen: Bei diesem Verfahren wird jeweils ein einzelner Wafer für kurze Zeit auf eine hohe Temperatur erhitzt. Es wird verwendet, um die elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials zu beeinflussen.
4. Diffusionsglühen: Das Diffusionsglühen wird bei sehr hohen Temperaturen und über lange Zeiträume durchgeführt. Es wird eingesetzt, um Strukturinhomogenitäten oder Konzentrationsunterschiede im Halbleitermaterial zu beseitigen. Dieses Verfahren erhöht die Festigkeit und Korrosionsbeständigkeit des Materials.
Neben diesen spezifischen Arten des Glühens gibt es auch ein allgemeines Glühverfahren, das zum Abbau von inneren Spannungen, zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit und der inneren Struktur des Halbleitermaterials sowie zur Erhöhung seiner Duktilität eingesetzt wird. Bei diesem allgemeinen Glühverfahren wird das Material über seine Rekristallisationstemperatur erhitzt, für eine bestimmte Dauer auf einer geeigneten Temperatur gehalten und dann abgekühlt.
Insgesamt hängt die Wahl der Glühtechnik von der Art des Materials und den gewünschten Eigenschaften des Halbleiterwafers ab.
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