Zu den Materialien, die bei der PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) verwendet werden, gehören eine Vielzahl von Elementen und Verbindungen, wie Kohlenstoff in Form von Diamant und diamantähnlichen Schichten, Metallen, Oxiden, Nitriden und Boriden. Diese Materialien werden mit Hilfe von PECVD-Techniken abgeschieden, bei denen ein Plasma zur Verstärkung der für die Schichtabscheidung erforderlichen chemischen Reaktionen eingesetzt wird.
Materialien auf Kohlenstoffbasis: PECVD wird zur Abscheidung von Kohlenstoff in Form von Diamant- und diamantähnlichen Kohlenstoffschichten (DLC) verwendet. Diese Materialien sind für ihre Härte und ihre elektrischen Eigenschaften bekannt, was sie für verschiedene Anwendungen wie verschleißfeste Beschichtungen und elektronische Geräte nützlich macht.
Metalle: Mit PECVD können auch verschiedene Metalle abgeschieden werden. Bei diesem Verfahren werden metallhaltige Vorläufergase verwendet, die im Plasma ionisiert werden, um dünne Metallschichten abzuscheiden. Diese Schichten sind entscheidend für Anwendungen wie Mikroelektronik und optische Beschichtungen.
Oxide: PECVD wird in großem Umfang für die Abscheidung von Oxidschichten, insbesondere Siliziumdioxid, eingesetzt. Diese Schichten sind bei der Halbleiterherstellung für Isolier- und Passivierungsschichten wichtig. Bei dem Verfahren werden in der Regel Silan (SiH4) und Sauerstoff (O2) oder Distickstoffoxid (N2O) als Vorstufengase verwendet.
Nitride: Siliziumnitrid ist ein weiteres gängiges Material, das durch PECVD abgeschieden wird. Es wird wegen seiner hervorragenden elektrischen Isolationseigenschaften und seiner Fähigkeit, als Barriere gegen Feuchtigkeit und andere Verunreinigungen zu wirken, verwendet. Für die Abscheidung werden Gase wie Silan (SiH4) und Ammoniak (NH3) oder Stickstoff (N2) verwendet.
Boride: Boridschichten sind zwar weniger verbreitet, können aber auch durch PECVD abgeschieden werden. Diese Materialien werden wegen ihrer hohen Härte und thermischen Stabilität geschätzt und eignen sich daher für Anwendungen in verschleißfesten Beschichtungen und Hochtemperaturelektronik.
Abscheideverfahren: Bei der PECVD wird ein Vorläufergasgemisch in einen Reaktor eingeleitet, in dem mit Hochfrequenzenergie (13,56 MHz) ein Plasma erzeugt wird. Dieses Plasma enthält reaktive und energiereiche Stoffe, die durch Zusammenstöße innerhalb des Gases entstehen. Diese reaktiven Spezies diffundieren dann auf die Substratoberfläche, wo sie adsorbieren und reagieren, um einen dünnen Film zu bilden. Durch den Einsatz von Plasma können diese Reaktionen bei niedrigeren Temperaturen ablaufen als bei der herkömmlichen CVD, was für die Unversehrtheit temperaturempfindlicher Substrate entscheidend ist.
Anforderungen an die Ausgangsstoffe: Die bei der PECVD verwendeten Ausgangsstoffe müssen flüchtig sein, dürfen keine Verunreinigungen in den abgeschiedenen Schichten hinterlassen und müssen die gewünschten Schichteigenschaften wie Gleichmäßigkeit, elektrischen Widerstand und Rauheit aufweisen. Außerdem sollten alle Nebenprodukte der Oberflächenreaktion flüchtig und unter Vakuumbedingungen leicht zu entfernen sein.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die PECVD ein vielseitiges Abscheideverfahren ist, mit dem eine Vielzahl von Materialien verarbeitet werden kann, von einfachen Elementen wie Kohlenstoff bis hin zu komplexen Verbindungen wie Nitriden und Boriden. Durch den Einsatz von Plasma wird die Reaktivität der Vorläufergase erhöht, so dass die Abscheidung bei niedrigeren Temperaturen und mit besserer Kontrolle über die Schichteigenschaften möglich ist.
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