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Geneigter röhrenförmiger PECVD-Ofen für plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung

CVD- und PECVD-Ofen

Geneigter röhrenförmiger PECVD-Ofen für plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung

Artikelnummer : KT-PED

Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen


Probenhalter-Heiztemperatur
≤800℃
Gas-Spülkanäle
4 Kanäle
Vakuumkammer-Kammermaß
Φ500mm × 550 mm
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Einführung

Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Vakuumfilme, bei dem Dämpfe oder Gase als Prekursoren zur Herstellung einer Beschichtung verwendet werden. PECVD ist eine Variante der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei der statt Wärme Plasma zur Aktivierung des Quellgases oder Dampfes verwendet wird. Da hohe Temperaturen vermieden werden können, erweitert sich der Bereich der möglichen Substrate auf Materialien mit niedrigem Schmelzpunkt – in einigen Fällen sogar auf Kunststoffe. Darüber hinaus wächst auch die Palette der abscheidbaren Beschichtungsmaterialien. PECVD wird zur Abscheidung einer Vielzahl von Materialien verwendet, darunter Dielektrika, Halbleiter, Metalle und Isolatoren. PECVD-Beschichtungen werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter Solarzellen, Flachbildschirme und Mikroelektronik.

Anwendungen

PECVD-Beschichtungsmaschinen (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) bieten eine vielseitige Lösung für verschiedene Branchen und Anwendungen:

  • LED-Beleuchtung:** Abscheidung hochwertiger Dielektrika und Halbleiterfilme für Leuchtdioden (LED).
  • Leistungshalbleiter:** Bildung von Isolierschichten, Gate-Oxiden und anderen kritischen Komponenten in Leistungshalbleiterbauelementen.
  • MEMS:** Herstellung dünner Filme für mikroelektromechanische Systeme (MEMS) wie Sensoren und Aktoren.
  • Optische Beschichtungen:** Abscheidung von Antireflexbeschichtungen, optischen Filtern und anderen optischen Komponenten.
  • Dünnschicht-Solarzellen:** Herstellung von amorphen und mikrokristallinen Siliziumdünnschichten für Solarzellenbauelemente.
  • Oberflächenmodifikation:** Verbesserung von Oberflächeneigenschaften wie Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit und Biokompatibilität.
  • Nanotechnologie:** Synthese von Nanomaterialien, darunter Nanopartikel, Nanodrähte und dünne Filme.

Produktbild 1

Produktbild 2

Funktionen

Die PECVD-Beschichtungsmaschine (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) bietet zahlreiche Vorteile, die die Produktivität steigern und außergewöhnliche Ergebnisse liefern:

  • Niedertemperatur-Abscheidung: Ermöglicht die Bildung hochwertiger Filme bei deutlich niedrigeren Temperaturen als bei herkömmlichen CVD-Verfahren, wodurch es für empfindliche Substrate geeignet ist.
  • Hohe Abscheidungsraten: Maximieren Sie die Effizienz durch schnelle Abscheidung von Filmen, reduzieren Sie die Produktionszeit und erhöhen Sie den Ausstoß.
  • Gleichmäßige und rissbeständige Filme: Gewährleistet gleichmäßige Filmeigenschaften und minimiert das Risiko von Rissen, was zu zuverlässigen und langlebigen Beschichtungen führt.
  • Ausgezeichnete Haftung auf Substraten: Sorgt für eine starke Bindung zwischen dem Film und dem Substrat, gewährleistet eine lang anhaltende Leistung und verhindert Delamination.
  • Vielseitige Beschichtungsmöglichkeiten: Ermöglicht die Abscheidung einer breiten Palette von Materialien, darunter SiO₂, SiNx und SiOxNy, um unterschiedlichen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden.
  • Anpassung an komplexe Geometrien: Nimmt Substrate mit komplizierten Formen auf und gewährleistet eine gleichmäßige Beschichtung und optimale Leistung.
  • Wartungsarm und einfach zu installieren: Minimiert Ausfallzeiten und vereinfacht die Einrichtung, was die Produktivität und Kosteneffizienz steigert.

Technische Spezifikationen

Probenhalter Größe 1-6 Zoll
Drehzahl 0-20 U/min einstellbar
Heiztemperatur ≤800℃
Regelgenauigkeit ±0,5℃ SHIMADEN PID-Regler
Gasspülung Durchflussmesser Massenflussmesserregler (MFC)
Kanäle 4 Kanäle
Kühlmethode Umlaufwasserkühlung
Vakuumkammer Kammergröße Φ500mm X 550mm    
Beobachtungsöffnung Panoramaöffnung mit Blende
Kammermaterial 316 Edelstahl
Türtyp Frontöffnende Tür
Deckelmaterial 304 Edelstahl
Vakuumpumpenanschluss CF200 Flansch
Gaseinlass φ6 VCR Anschluss
Plasmaleistung Quellenleistung Gleichstrom- oder Hochfrequenzleistung
Kopplungsart Induktiv gekoppelt oder plattenkapazitiv
Ausgangsleistung 500W—1000W
Vorspannleistung 500 V
Vakuumpumpe Vorvakuumpumpe 15 L/S Flügelvakuumpumpe
Turbopumpenanschluss CF150/CF200  620L/S-1600L/S
Entlüftungsanschluss KF25
Pumpgeschwindigkeit Flügelpumpe: 15 l/s, Turbopumpe: 1200 l/s oder 1600 l/s
Vakuumgrad ≤5×10-5Pa
Vakuumsensor Ionisierungs-/Widerstandsvakuummeter/Filmvakuummeter
System Stromversorgung AC 220V /380 50Hz
Nennleistung 5 kW
Abmessungen 900mm X 820mm X 870mm
Gewicht 200 kg

Prinzip

Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) nutzt Plasma, um chemische Reaktionen während der Abscheidung anzuregen, sodass hochwertige feste Filme bei niedrigen Temperaturen gebildet werden können. Durch den Einsatz hochenergetischen Plasmas erhöhen PECVD-Maschinen die Reaktionsgeschwindigkeit und senken die Reaktionstemperaturen. Dieses Verfahren ist weit verbreitet in der LED-Beleuchtung, bei Leistungshalbleitern und MEMS. Es ermöglicht die Abscheidung von SiO₂, SiNx, SiOxNy und anderen Dielektrikumsfilmen sowie die Hochgeschwindigkeitsabscheidung dicker SiO-Filme auf Verbundsubstraten. PECVD bietet eine hervorragende Filmbildungsqualität, minimiert Nadellöcher und reduziert Rissbildung, wodurch es sich für die Herstellung von amorphen und mikrokristallinen Silizium-Dünnschicht-Solarzellen eignet.

Vorteile

  • Fähigkeit zur Abscheidung verschiedener Materialien: PECVD kann eine breite Palette von Materialien abscheiden, darunter diamantähnlicher Kohlenstoff, Siliziumverbindungen und Metalloxide, sodass Filme mit maßgeschneiderten Eigenschaften erstellt werden können.
  • Niedertemperaturbetrieb: PECVD arbeitet bei niedrigen Temperaturen (typischerweise 300-450 °C), wodurch es für wärmeempfindliche Substrate geeignet ist.
  • Hochwertige dünne Filme: PECVD erzeugt dünne Filme mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit, Dickenkontrolle und Rissbeständigkeit.
  • Ausgezeichnete Haftung: Die bei PECVD abgeschiedenen Filme weisen eine starke Haftung auf dem Substrat auf, was Langlebigkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet.
  • Konforme Beschichtung: PECVD ermöglicht die Beschichtung komplexer Geometrien und bietet gleichmäßige Abdeckung und Schutz.
  • Hohe Abscheidungsraten: PECVD bietet schnelle Abscheidungsraten, steigert die Produktivität und reduziert die Produktionszeit.
  • Wartungsarm: PECVD-Systeme sind auf geringen Wartungsaufwand ausgelegt, minimieren Ausfallzeiten und maximieren die Betriebszeit.
  • Einfache Installation: PECVD-Anlagen sind relativ einfach zu installieren und in bestehende Produktionslinien zu integrieren.
  • Stabiles Design: PECVD-Systeme sind mit robusten Konstruktionen gebaut, die Stabilität und lang anhaltende Leistung gewährleisten.
  • Verlängerte Lebensdauer: PECVD-Systeme sind auf Langlebigkeit ausgelegt und bieten eine kostengünstige Lösung für langfristige Anforderungen bei der Dünnschichtabscheidung.

Warnungen

Die Sicherheit des Bedieners steht an erster Stelle! Bitte bedienen Sie das Gerät mit Vorsicht. Das Arbeiten mit brennbaren, explosiven oder giftigen Gasen ist sehr gefährlich. Der Bediener muss alle erforderlichen Vorsichtsmaßnahmen treffen, bevor er das Gerät in Betrieb nimmt. Das Arbeiten mit Überdruck in den Reaktoren oder Kammern ist gefährlich. Der Bediener muss die Sicherheitsvorschriften strikt einhalten. Besondere Vorsicht ist auch beim Umgang mit luftreaktiven Materialien geboten, insbesondere unter Vakuum. Durch ein Leck kann Luft in das Gerät eindringen und eine heftige Reaktion hervorrufen.

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FAQ

Was Ist Die PECVD-Methode?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) ist ein Verfahren, das in der Halbleiterfertigung zur Abscheidung dünner Filme auf mikroelektronischen Geräten, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet wird. Beim PECVD wird ein Vorläufer in gasförmigem Zustand in die Reaktionskammer eingeführt und mithilfe von plasmareaktiven Medien dissoziiert der Vorläufer bei viel niedrigeren Temperaturen als beim CVD. PECVD-Systeme bieten eine hervorragende Filmgleichmäßigkeit, eine Verarbeitung bei niedriger Temperatur und einen hohen Durchsatz. Sie werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt und werden in der Halbleiterindustrie eine immer wichtigere Rolle spielen, da die Nachfrage nach fortschrittlichen elektronischen Geräten weiter wächst.

Was Ist Mpcvd?

MPCVD steht für Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition und ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Filme auf einer Oberfläche. Es nutzt eine Vakuumkammer, einen Mikrowellengenerator und ein Gaszufuhrsystem, um ein Plasma aus reagierenden Chemikalien und notwendigen Katalysatoren zu erzeugen. MPCVD wird im ANFF-Netzwerk häufig zur Abscheidung von Diamantschichten unter Verwendung von Methan und Wasserstoff eingesetzt, um neuen Diamanten auf einem mit Diamanten bestückten Substrat wachsen zu lassen. Es handelt sich um eine vielversprechende Technologie zur Herstellung kostengünstiger, hochwertiger großer Diamanten und wird in großem Umfang in der Halbleiter- und Diamantschleifindustrie eingesetzt.

Wofür Wird PECVD Verwendet?

PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) wird in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung integrierter Schaltkreise sowie in den Bereichen Photovoltaik, Tribologie, Optik und Biomedizin eingesetzt. Es wird zur Abscheidung dünner Schichten für mikroelektronische Geräte, Photovoltaikzellen und Anzeigetafeln verwendet. Mit PECVD können einzigartige Verbindungen und Filme hergestellt werden, die mit herkömmlichen CVD-Techniken allein nicht hergestellt werden können, sowie Filme, die eine hohe Lösungsmittel- und Korrosionsbeständigkeit sowie chemische und thermische Stabilität aufweisen. Es wird auch zur Herstellung homogener organischer und anorganischer Polymere auf großen Oberflächen sowie von diamantähnlichem Kohlenstoff (DLC) für tribologische Anwendungen verwendet.

Was Ist Eine Mpcvd-Maschine?

Die MPCVD-Maschine (Microwave Plasma Chemical Vapour Deposition) ist eine Laborausrüstung zur Züchtung hochwertiger Diamantfilme. Mithilfe eines kohlenstoffhaltigen Gases und eines Mikrowellenplasmas wird über dem Diamantsubstrat eine Plasmakugel erzeugt, die es auf eine bestimmte Temperatur erhitzt. Die Plasmakugel berührt die Hohlraumwand nicht, wodurch der Diamantwachstumsprozess frei von Verunreinigungen ist und die Qualität des Diamanten verbessert wird. Das MPCVD-System besteht aus einer Vakuumkammer, einem Mikrowellengenerator und einem Gaszufuhrsystem, das den Gasfluss in die Kammer steuert.

Was Sind Die Vorteile Von PECVD?

Die Hauptvorteile von PECVD sind die Möglichkeit, bei niedrigeren Abscheidungstemperaturen zu arbeiten, was eine bessere Konformität und Stufenabdeckung auf unebenen Oberflächen, eine genauere Kontrolle des Dünnschichtprozesses und hohe Abscheidungsraten bietet. PECVD ermöglicht erfolgreiche Anwendungen in Situationen, in denen herkömmliche CVD-Temperaturen möglicherweise das zu beschichtende Gerät oder Substrat beschädigen könnten. Durch den Betrieb bei einer niedrigeren Temperatur erzeugt PECVD weniger Spannung zwischen dünnen Filmschichten, was eine hocheffiziente elektrische Leistung und eine Verbindung nach sehr hohen Standards ermöglicht.

Was Sind Die Vorteile Von Mpcvd?

MPCVD hat gegenüber anderen Methoden der Diamantherstellung mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere Reinheit, einen geringeren Energieverbrauch und die Möglichkeit, größere Diamanten herzustellen.

Was Ist Der Unterschied Zwischen ALD Und PECVD?

ALD ist ein Dünnschichtabscheidungsverfahren, das eine Auflösung der Atomschichtdicke, eine hervorragende Gleichmäßigkeit von Oberflächen mit hohem Aspektverhältnis und lochfreie Schichten ermöglicht. Dies wird durch die kontinuierliche Bildung von Atomschichten in einer selbstlimitierenden Reaktion erreicht. PECVD hingegen beinhaltet das Mischen des Ausgangsmaterials mit einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern unter Verwendung eines Plasmas, um chemisch zu interagieren und das Ausgangsmaterial aufzubrechen. Die Prozesse verwenden Wärme mit höheren Drücken, was zu einem besser reproduzierbaren Film führt, bei dem die Filmdicke durch Zeit/Leistung gesteuert werden kann. Diese Filme sind stöchiometrischer, dichter und können Isolatorfilme höherer Qualität bilden.

Sind CVD-Diamanten Echt Oder Gefälscht?

CVD-Diamanten sind echte Diamanten und keine Fälschungen. Sie werden in einem Labor durch einen Prozess namens Chemical Vapour Deposition (CVD) gezüchtet. Im Gegensatz zu natürlichen Diamanten, die unter der Erdoberfläche abgebaut werden, werden CVD-Diamanten mithilfe fortschrittlicher Technologie in Laboren hergestellt. Diese Diamanten bestehen zu 100 % aus Kohlenstoff und sind die reinste Form von Diamanten, die als Typ-IIa-Diamanten bekannt sind. Sie haben die gleichen optischen, thermischen, physikalischen und chemischen Eigenschaften wie natürliche Diamanten. Der einzige Unterschied besteht darin, dass CVD-Diamanten in einem Labor hergestellt und nicht aus der Erde abgebaut werden.

Was Ist Der Unterschied Zwischen PECVD Und Sputtern?

PECVD und Sputtern sind beide physikalische Gasphasenabscheidungstechniken, die für die Dünnschichtabscheidung verwendet werden. PECVD ist ein diffusives gasbetriebenes Verfahren, das dünne Filme von sehr hoher Qualität liefert, während es sich beim Sputtern um eine Sichtlinienabscheidung handelt. PECVD ermöglicht eine bessere Abdeckung unebener Oberflächen wie Gräben, Wände und hohe Konformität und kann einzigartige Verbindungen und Filme erzeugen. Andererseits eignet sich Sputtern gut für die Abscheidung feiner Schichten mehrerer Materialien, ideal für die Erstellung mehrschichtiger und mehrfach abgestufter Beschichtungssysteme. PECVD wird hauptsächlich in der Halbleiterindustrie sowie in tribologischen, optischen und biomedizinischen Bereichen eingesetzt, während Sputtern hauptsächlich für dielektrische Materialien und tribologische Anwendungen eingesetzt wird.
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Geneigter röhrenförmiger PECVD-Ofen für plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung

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