Für die Abscheidung dünner Schichten gibt es zwei gängige Verfahren: LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) und PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). Diese Verfahren haben ihre eigenen Merkmale und eignen sich für unterschiedliche Anwendungen. Im Folgenden werden die wichtigsten Unterschiede zwischen LPCVD- und PECVD-Oxid erläutert.
5 Hauptunterschiede zwischen LPCVD- und PECVD-Oxid
1. Temperatur
LPCVD arbeitet bei höheren Temperaturen, in der Regel über 700 °C.
PECVD hingegen arbeitet bei niedrigeren Temperaturen, die zwischen 200 und 400 °C liegen.
Die niedrigere Temperatur der PECVD ist vorteilhaft, wenn die Verarbeitung bei niedrigeren Temperaturen aufgrund von Bedenken hinsichtlich des thermischen Zyklus oder Materialbeschränkungen erforderlich ist.
2. Substrat
LPCVD erfordert ein Siliziumsubstrat.
Bei PECVD kann ein Substrat auf Wolframbasis verwendet werden.
LPCVD-Schichten werden direkt auf dem Siliziumsubstrat abgeschieden.
PECVD-Schichten können auf verschiedenen Substraten, einschließlich Metallen, abgeschieden werden.
3. Qualität der Schichten
LPCVD-Schichten sind im Vergleich zu PECVD-Schichten in der Regel von höherer Qualität.
LPCVD-Schichten haben einen geringeren Wasserstoffgehalt und weniger Pinholes, was zu einer besseren Integrität und Leistung der Schicht führt.
PECVD-Schichten können aufgrund der niedrigeren Abscheidungstemperaturen einen höheren Wasserstoffgehalt und eine geringere Qualität aufweisen.
4. Abscheidungsrate
LPCVD hat im Allgemeinen eine höhere Abscheidungsrate als PECVD.
Mit LPCVD können Schichten schneller abgeschieden werden, was eine schnellere Produktion ermöglicht.
PECVD ist zwar langsamer, bietet aber mehr Flexibilität bei der Steuerung der Abscheidungsrate.
5. Prozess-Flexibilität
PECVD bietet mehr Flexibilität in Bezug auf Prozessparameter und Materialien.
Es kann für ein breiteres Spektrum von Anwendungen eingesetzt werden und ermöglicht die Abscheidung verschiedener Arten von Schichten, einschließlich Siliziumoxid.
LPCVD wird eher für spezielle Anwendungen wie die epitaktische Abscheidung von Silizium verwendet.
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