Die niedrige Temperatur für das Graphenwachstum kann bis zu 725 °C betragen, wie die Abkühlung eines dünnen Ni-Films von 900 °C auf 725 °C zeigte, was zur Bildung von 1,7 Graphenschichten auf der Filmoberfläche führte. Diese Temperatur ist deutlich niedriger als die typischen pyrolytischen Zersetzungstemperaturen, die über 1000 °C erfordern. Die Verwendung von Metallkatalysatorsubstraten bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) trägt zur Senkung der Reaktionstemperatur bei und erleichtert die Zersetzung der Kohlenstoffvorläufer und die Bildung von Graphen.
Bei diesem Verfahren werden die Kohlenstoffvorläufer auf der Katalysatoroberfläche adsorbiert und anschließend in verschiedene Kohlenstoffarten zerlegt, die als Bausteine für das Graphenwachstum dienen. Diese Methode ist besonders effektiv in Niederdruck-CVD-Systemen, in denen selbst sehr niedrige Partialdrücke die Keimbildung und das Wachstum von Graphen aufgrund von Öl- und Gasverunreinigungen fördern können.
Darüber hinaus kann die Verwendung von flüssigen oder festen Kohlenstoffvorläufern wie Benzol und Naphthalin das Wachstum bei niedrigen Temperaturen erleichtern, da sie sich im Vergleich zu Methan leichter zersetzen. Diese Ausgangsstoffe können jedoch auch an den Innenwänden der Systemkammern und Rohrleitungen adsorbieren, was zu Verunreinigungsproblemen führen kann, die die Zuverlässigkeit des Systems und die Wiederholbarkeit der Produktion beeinträchtigen.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das Wachstum von Graphen zwar traditionell hohe Temperaturen erfordert, dass aber Fortschritte bei der katalysatorgestützten CVD und die Verwendung spezifischer Kohlenstoffvorläufer die Synthese von Graphen bei deutlich niedrigeren Temperaturen von bis zu 725 °C ermöglicht haben. Diese Entwicklung ist entscheidend für die Senkung der Energiekosten und die Verbesserung der Machbarkeit der Graphenproduktion für verschiedene Anwendungen.
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