Vakuumofen
Vakuumlötofen
Artikelnummer : KT-BF
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Ein Vakuumlötofen ist eine Art Industrieofen zum Hartlöten, einem Metallbearbeitungsprozess, bei dem zwei Metallteile mithilfe eines Zusatzmetalls verbunden werden, das bei einer niedrigeren Temperatur als die Grundmetalle schmilzt. Vakuumlötöfen werden typischerweise für hochwertige Anwendungen eingesetzt, bei denen eine starke, saubere Verbindung erforderlich ist.
Vakuumlötöfen erzeugen in der Ofenkammer ein Vakuum, das Sauerstoff und andere Gase entfernt, die den Lötprozess stören können. Dadurch entsteht eine saubere Umgebung, die starke, zuverlässige Verbindungen fördert. Vakuumlötöfen sind außerdem in der Lage, sehr hohe Temperaturen zu erreichen, was das Löten einer Vielzahl von Metallen ermöglicht, darunter Edelstahl, Titan und Aluminium.
Details & Teil
Anwendungen
Vakuumlötöfen werden aufgrund ihrer Fähigkeit, starke und leckagefreie Verbindungen herzustellen, in verschiedenen Branchen und Anwendungen häufig eingesetzt. Zu den Hauptanwendungsgebieten gehören:
- Heiz- und Kühlbaugruppen
- Mikrokanal-Wärmetauscher
- Flugzeugkomponenten
- Sensoren
- Medizinische Geräte
- Strukurelle Komponenten
- Andere thermische Produkte
Merkmale
Der Vakuumlötofen bietet zahlreiche Vorteile, die seine Funktionalität und seinen Wert für Kunden steigern:
- Außergewöhnliche Temperaturgleichmäßigkeit: Das Design des Ofens gewährleistet eine gleichmäßige Erwärmung in der gesamten Kammer, was zu gleichmäßigen und präzisen Lötergebnissen führt.
- Effizientes Heizsystem: Der Ofen nutzt ein Hochleistungsheizsystem, das die gewünschte Temperatur schnell erreicht und aufrechterhält, wodurch die Zykluszeiten verkürzt und die Produktivität gesteigert werden.
- Fortschrittliches Vakuumsystem: Der Ofen ist mit einem hochentwickelten Vakuumsystem ausgestattet, das Sauerstoff und andere Verunreinigungen effektiv aus der Kammer entfernt und so eine saubere und kontrollierte Lötumgebung gewährleistet.
- Benutzerfreundliche Benutzeroberfläche: Der Ofen verfügt über eine intuitive und benutzerfreundliche Benutzeroberfläche, die die Bedienung und Überwachung vereinfacht und den Bedarf an umfangreicher Schulung minimiert.
- Robuste Konstruktion: Der Ofen besteht aus langlebigen Materialien und Komponenten und gewährleistet Langlebigkeit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Laborumgebungen.
Prinzip
Der Vakuumlötofen ist ein horizontaler Ofenkörper, der aus einem Ofenmantel, einer Ofenauskleidung, einem Heizelement, einem Ofentank, einer Materialwanne, einem Vakuumsystem und einem elektronischen Steuerungssystem besteht. Der Ofenmantel ist aus Kohlenstoffstahlplatten und Profilstahl geschweißt. Es ist mit hochwertigen Dämmsteinen und feuerfesten Steinen ausgekleidet und in drei Zonen aufgebaut. Die Heizelemente bestehen aus Eisen-Chrom-Aluminium-Draht und sind spiralförmig auf den Drahtsteinen auf beiden Seiten und am Boden des Ofens angeordnet. Das Vakuumsystem verwendet eine dreistufige Vakuumpumpe, die aus einer Vakuumeinheit, einer Öldiffusionspumpe, einer Roots-Pumpe, einer mechanischen Pumpe, einem pneumatischen Prallventil und einer manuellen Absperrklappe besteht.
Vorteile
- Hochwertige Verbindungen mit minimalen Hohlräumen und hervorragenden mechanischen Eigenschaften
- Es ist kein Flussmittel erforderlich, wodurch mögliche Verunreinigungen und die Reinigung nach dem Löten entfallen
- Reduzierte Oxidation und Ablagerungen, was zu saubereren Verbindungen führt
- Präzise Temperaturregelung, die das Verbinden von Materialien mit unterschiedlichen Schmelzpunkten ermöglicht
- Geeignet zum Fügen komplexer Bauteile und Baugruppen
- Der umweltfreundliche Prozess mit minimaler Abfallerzeugung
Technische Spezifikation
Nennleistung | 100 kW |
Nenntemperatur | 700 ℃ |
Stromversorgung | 380 V, 50 Hz |
Größe des Arbeitsbereichs | Φ820×1700㎜ |
Kaltes ultimatives Vakuum | 6,67×10-3Pa |
Druckanstiegsrate | 2pa/h |
Genauigkeit der Temperaturregelung | ±1℃ |
FAQ
Wozu dient ein Vakuumofen?
Was ist ein CVD-Ofen?
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um eine Technologie, die verschiedene Energiequellen wie Erhitzen, Plasmaanregung oder Lichtstrahlung nutzt, um gasförmige oder dampfförmige chemische Substanzen an der Gasphase oder Gas-Feststoff-Grenzfläche chemisch zu reagieren und so feste Ablagerungen im Reaktor zu bilden chemische Reaktion. Vereinfacht ausgedrückt werden zwei oder mehr gasförmige Rohstoffe in eine Reaktionskammer eingeleitet, reagieren dann miteinander, bilden ein neues Material und scheiden es auf der Substratoberfläche ab.
Der CVD-Ofen ist ein kombiniertes Ofensystem mit einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer Gassteuereinheit und einer Vakuumeinheit. Er wird häufig für Experimente und die Produktion von Verbundwerkstoffvorbereitungen, mikroelektronischen Prozessen, Halbleiter-Optoelektronik, Solarenergienutzung, Glasfaserkommunikation und Supraleitern verwendet Technologie, Schutzbeschichtungsbereich.
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Wie funktioniert ein CVD-Ofen?
Das CVD-Ofensystem besteht aus einer Hochtemperatur-Röhrenofeneinheit, einer präzisen Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle, einer Vakuumpumpstation und entsprechenden Montageteilen.
Die Vakuumpumpe dient dazu, die Luft aus dem Reaktionsrohr zu entfernen und sicherzustellen, dass sich keine unerwünschten Gase im Reaktionsrohr befinden. Anschließend heizt der Rohrofen das Reaktionsrohr auf eine Zieltemperatur auf. Anschließend kann die präzise Steuereinheit für die Reaktionsgasquelle eine andere einleiten Gase werden in einem festgelegten Verhältnis in das Ofenrohr für die chemische Reaktion eingeleitet, die chemische Gasphasenabscheidung erfolgt im CVD-Ofen.
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Welches Gas wird im CVD-Prozess verwendet?
Es gibt enorme Gasquellen, die im CVD-Prozess verwendet werden können. Zu den üblichen chemischen Reaktionen von CVD gehören Pyrolyse, Photolyse, Reduktion, Oxidation und Redox, sodass die an diesen chemischen Reaktionen beteiligten Gase im CVD-Prozess verwendet werden können.
Nehmen wir als Beispiel das CVD-Graphenwachstum. Die im CVD-Prozess verwendeten Gase sind CH4, H2, O2 und N2.
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Was ist der Vorteil des CVD-Systems?
- Es kann eine große Auswahl an Folien hergestellt werden, je nach Bedarf Metallfolien, Nichtmetallfolien und Mehrkomponenten-Legierungsfolien. Gleichzeitig können damit hochwertige Kristalle hergestellt werden, die mit anderen Methoden wie GaN, BP usw. nur schwer zu erhalten sind.
- Die Filmbildungsgeschwindigkeit ist hoch und beträgt normalerweise mehrere Mikrometer pro Minute oder sogar Hunderte Mikrometer pro Minute. Es ist möglich, große Mengen an Beschichtungen mit gleichmäßiger Zusammensetzung gleichzeitig abzuscheiden, was mit anderen Filmvorbereitungsmethoden wie Flüssigphasenepitaxie (LPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE) nicht zu vergleichen ist.
- Die Arbeitsbedingungen werden unter Normaldruck- oder Niedrigvakuumbedingungen durchgeführt, sodass die Beschichtung eine gute Beugung aufweist und Werkstücke mit komplexen Formen gleichmäßig beschichtet werden können, was PVD deutlich überlegen ist.
- Durch die gegenseitige Diffusion von Reaktionsgas, Reaktionsprodukt und Substrat kann eine Beschichtung mit guter Haftfestigkeit erhalten werden, die für die Herstellung oberflächenverstärkter Filme wie verschleißfester und korrosionsbeständiger Filme von entscheidender Bedeutung ist.
- Manche Filme wachsen bei einer Temperatur, die weit unter dem Schmelzpunkt des Filmmaterials liegt. Unter der Bedingung des Wachstums bei niedriger Temperatur reagieren das Reaktionsgas und die Reaktorwand sowie die darin enthaltenen Verunreinigungen nahezu nicht, sodass ein Film mit hoher Reinheit und guter Kristallinität erhalten werden kann.
- Durch chemische Gasphasenabscheidung kann eine glatte Abscheidungsoberfläche erzielt werden. Dies liegt daran, dass die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) im Vergleich zu LPE bei hoher Sättigung, mit hoher Keimbildungsrate, hoher Keimbildungsdichte und gleichmäßiger Verteilung auf der gesamten Ebene durchgeführt wird, was zu einer makroskopisch glatten Oberfläche führt. Gleichzeitig ist bei der chemischen Gasphasenabscheidung die durchschnittliche freie Weglänge von Molekülen (Atomen) viel größer als bei LPE, sodass die räumliche Verteilung der Moleküle gleichmäßiger ist, was der Bildung einer glatten Abscheidungsoberfläche förderlich ist.
- Geringe Strahlungsschäden, eine notwendige Voraussetzung für die Herstellung von Metalloxidhalbleitern (MOS) und anderen Geräten
Wozu dient ein Porzellanofen?
Was ist ein Vakuum-Induktionsschmelzofen?
Wofür steht PECVD?
PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um Reaktionsgas zu aktivieren, chemische Reaktionen auf der Oberfläche des Substrats oder im oberflächennahen Raum zu fördern und einen festen Film zu erzeugen. Das Grundprinzip der plasmachemischen Gasphasenabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter der Einwirkung eines elektrischen HF- oder Gleichstromfeldes das Quellgas ionisiert wird, um ein Plasma zu bilden, das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird und eine geeignete Menge Reaktionsgas vorhanden ist eingeführt, und die Plasmaentladung wird verwendet, um das Reaktionsgas zu aktivieren und eine chemische Gasphasenabscheidung zu realisieren.
Je nach Methode zur Plasmaerzeugung kann es in HF-Plasma, Gleichstromplasma und Mikrowellenplasma-CVD usw. unterteilt werden.
Was ist der Unterschied zwischen CVD und PECVD?
Der Unterschied zwischen PECVD und der herkömmlichen CVD-Technologie besteht darin, dass das Plasma eine große Anzahl hochenergetischer Elektronen enthält, die die im chemischen Gasphasenabscheidungsprozess erforderliche Aktivierungsenergie bereitstellen und so den Energieversorgungsmodus des Reaktionssystems ändern können. Da die Elektronentemperatur im Plasma bis zu 10.000 K beträgt, kann die Kollision zwischen Elektronen und Gasmolekülen das Aufbrechen chemischer Bindungen und die Rekombination der Reaktionsgasmoleküle fördern, um aktivere chemische Gruppen zu erzeugen, während das gesamte Reaktionssystem eine niedrigere Temperatur aufrechterhält.
Im Vergleich zum CVD-Verfahren kann PECVD also den gleichen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei einer niedrigeren Temperatur durchführen.
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