Das PECVD-Verfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) ist eine Technik zur Abscheidung dünner Schichten aus dem Gaszustand in einen festen Zustand auf einem Substrat. Bei diesem Verfahren wird das Ausgangsgas oder der Dampf durch ein Plasma aktiviert, was die Abscheidung von Schichten bei niedrigeren Temperaturen als bei herkömmlichen CVD-Verfahren ermöglicht. Dadurch eignet es sich für ein breiteres Spektrum von Substraten, einschließlich Materialien mit niedrigem Schmelzpunkt und in einigen Fällen sogar Kunststoffe.
Das PECVD-Verfahren beginnt mit der Einleitung eines Vorläufergasgemisches in einen Reaktor. Anschließend wird mit HF-Energie bei 13,56 MHz ein Plasma erzeugt, das die Glimmentladung zwischen zwei parallelen Elektroden zündet und aufrechterhält. In diesem Plasma entstehen durch Kollisionen reaktive und energiereiche Stoffe.
Diese reaktiven Spezies diffundieren durch die Hülle und adsorbieren auf der Substratoberfläche, wo sie miteinander wechselwirken und eine Materialschicht bilden. Die Plasmaenergie und nicht nur die thermische Energie treibt die Reaktionen zwischen den angeregten Spezies und dem Substrat an, so dass dünne Schichten bei niedrigeren Temperaturen abgeschieden werden können und dennoch die gewünschten Schichteigenschaften erzielt werden.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das PECVD-Verfahren eine Niedertemperatur-Vakuum-Dünnschichttechnik ist, bei der Plasmen zur Aktivierung von Quellgasen und zur Abscheidung von Schichten auf einer Vielzahl von Substraten eingesetzt werden. Diese Methode ist besonders nützlich in der Halbleiterindustrie, wo sie die Abscheidung von Schichten auf Oberflächen ermöglicht, die den Temperaturen herkömmlicher CVD-Verfahren nicht standhalten.
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