CVD (Chemical Vapor Deposition) und ALD (Atomic Layer Deposition) sind Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und Beschichtungen eingesetzt werden. Bei der CVD werden gasförmige Ausgangsstoffe zur Herstellung einer dünnen Schicht verwendet, während die ALD eine Präzisionsvariante der CVD ist, die eine atomare Schichtdickenauflösung und eine hervorragende Gleichmäßigkeit ermöglicht.
CVD (Chemische Gasphasenabscheidung):
CVD ist ein Verfahren, bei dem gasförmige Ausgangsstoffe reagieren, um eine dünne Schicht auf einem Substrat zu bilden. Diese Technik ist vielseitig und kann eine Vielzahl von Materialien abscheiden, darunter Metalle, Halbleiter und Keramiken. Die Ausgangsstoffe werden in eine Beschichtungskammer eingeleitet, wo sie chemische Reaktionen eingehen und sich das gewünschte Material auf dem Substrat abscheidet. Das CVD-Verfahren wird häufig bevorzugt, da es dicke Schichten mit hohen Abscheideraten abscheiden kann und eine breite Palette von Vorstufen zur Verfügung steht.ALD (Atomic Layer Deposition):
ALD hingegen ist eine präzisere Variante der CVD. Dabei wird ein selbstbegrenzender Reaktionsmechanismus verwendet, bei dem Atomschichten nacheinander gebildet werden. Bei diesem Verfahren werden zwei Vorläufermaterialien verwendet, die sich nie gleichzeitig in der Reaktionskammer befinden. Stattdessen werden sie nacheinander, Schicht für Schicht, abgeschieden. Diese Methode ermöglicht eine außergewöhnliche Kontrolle über die Zusammensetzung, Dicke und Konformität der Schicht und ist daher ideal für die Abscheidung sehr dünner Schichten (10-50 nm) und für Strukturen mit hohem Aspektverhältnis. Das ALD-Verfahren zeichnet sich insbesondere durch die Fähigkeit aus, lochfreie Schichten zu erzeugen, und durch seine hervorragende Gleichmäßigkeit bei komplexen Geometrien und gekrümmten Oberflächen.
Vergleich und Unterscheidung:
