Der Prozess der Abscheidung umfasst die Erzeugung dünner oder dicker Schichten einer Substanz auf einer festen Oberfläche durch verschiedene Methoden wie Sprühen, Schleuderbeschichtung, Plattieren und Vakuumabscheidung. Diese Schichten werden Atom für Atom oder Molekül für Molekül gebildet, wobei die Eigenschaften der Substratoberfläche je nach Anwendung verändert werden. Die Dicke dieser Schichten kann je nach Beschichtungsmethode und Materialtyp von einem einzigen Atom (Nanometer) bis zu mehreren Millimetern reichen.
Es gibt mehrere Abscheidungsmethoden, darunter die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) und die chemische Gasphasenabscheidung (CVD). Beim PVD-Verfahren werden feste Materialien in einem Vakuum mit hoher Energie verdampft und auf ein Zielmaterial aufgebracht. Zwei PVD-Verfahren sind Sputtern und Verdampfen. Beim Magnetronsputtern, einer plasmabasierten PVD-Methode, treten Plasmaionen in Wechselwirkung mit dem Material, wodurch Atome zerstäubt werden und einen dünnen Film auf dem Substrat bilden. Diese Methode wird üblicherweise in der Elektro- oder Optikproduktion eingesetzt.
Beim CVD-Verfahren hingegen wird ein fester Film auf einer erhitzten Oberfläche durch eine chemische Reaktion in einer Dampfphase abgeschieden. Dieser Dünnschichtprozess besteht in der Regel aus drei Schritten: Verdampfung einer flüchtigen Verbindung, thermische Zersetzung des Dampfes in Atome und Moleküle und Abscheidung der nichtflüchtigen Reaktionsprodukte auf dem Substrat. CVD erfordert Drücke von einigen Torr bis über Atmosphärendruck und relativ hohe Temperaturen (etwa 1000°C).
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Abscheidung ein Verfahren ist, bei dem durch verschiedene Methoden Schichten einer Substanz auf einer festen Oberfläche erzeugt werden, die die Eigenschaften des Substrats verändern. PVD und CVD sind zwei gängige Abscheidungsverfahren, die jeweils eigene Methoden und Anforderungen für die Erzeugung dünner Schichten auf Substraten haben.
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