Dünnschicht-Halbleiter bestehen aus einem Stapel von dünnen Schichten aus leitenden, halbleitenden und isolierenden Materialien. Diese Materialien werden auf ein flaches Substrat aufgebracht, das häufig aus Silizium oder Siliziumkarbid besteht, um integrierte Schaltungen und diskrete Halbleiterbauelemente herzustellen. Zu den wichtigsten Materialien, die in Dünnschicht-Halbleitern verwendet werden, gehören:
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Halbleitermaterialien: Dies sind die wichtigsten Materialien, die die elektronischen Eigenschaften der Dünnschicht bestimmen. Beispiele sind Silizium, Galliumarsenid, Germanium, Cadmiumsulfid und Cadmiumtellurid. Diese Materialien sind entscheidend für die Funktionalität von Geräten wie Transistoren, Sensoren und Photovoltaikzellen.
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Leitende Materialien: Diese Materialien werden verwendet, um den Stromfluss innerhalb des Geräts zu erleichtern. Sie werden in der Regel als dünne Schichten aufgebracht, um elektrische Verbindungen und Kontakte herzustellen. Beispiele sind transparente leitfähige Oxide (TCOs) wie Indium-Zinn-Oxid (ITO), die in Solarzellen und Displays verwendet werden.
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Isolierende Materialien: Diese Materialien werden verwendet, um verschiedene Teile des Geräts elektrisch zu isolieren. Sie sind entscheidend, um unerwünschten Stromfluss zu verhindern und sicherzustellen, dass das Gerät wie vorgesehen funktioniert. Zu den üblichen Isoliermaterialien, die in Dünnschicht-Halbleitern verwendet werden, gehören verschiedene Arten von Oxidschichten.
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Substrate: Das Basismaterial, auf das die Dünnschichten aufgebracht werden. Übliche Substrate sind Siliziumscheiben, Glas und flexible Polymere. Die Wahl des Substrats hängt von der Anwendung und den für das Gerät erforderlichen Eigenschaften ab.
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Zusätzliche Schichten: Je nach Anwendung können weitere Schichten in den Dünnschichtstapel eingefügt werden. In Solarzellen wird beispielsweise eine Fensterschicht aus n-Typ-Halbleitermaterial verwendet, um die Lichtabsorption zu optimieren, und eine Metallkontaktschicht, um den erzeugten Strom zu sammeln.
Die Eigenschaften und die Leistung von Dünnschicht-Halbleitern hängen stark von den verwendeten Materialien und den Abscheidetechniken ab. Moderne Abscheidungstechniken wie die chemische Gasphasenabscheidung (CVD), die physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) und die Aerosolabscheidung ermöglichen eine genaue Kontrolle über die Dicke und Zusammensetzung der Schichten und damit die Herstellung von Hochleistungsgeräten mit komplexen Geometrien und Strukturen.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass bei Dünnschicht-Halbleitern eine Vielzahl von Materialien zum Einsatz kommt, darunter Halbleitermaterialien, leitende Materialien, isolierende Materialien, Substrate und zusätzliche Schichten, die für bestimmte Anwendungen maßgeschneidert werden. Die präzise Steuerung dieser Materialien und ihrer Abscheidung ist entscheidend für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer Geräte.
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