Wissen Welche Temperatur hat die chemische Gasphasenabscheidung? (4 Schlüsseltemperaturen werden erklärt)
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Technisches Team · Kintek Solution

Aktualisiert vor 3 Monaten

Welche Temperatur hat die chemische Gasphasenabscheidung? (4 Schlüsseltemperaturen werden erklärt)

Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Verfahren, bei dem ein Substrat flüchtigen Vorläufersubstanzen ausgesetzt wird.

Diese Grundstoffe reagieren und/oder zersetzen sich auf der Substratoberfläche, um die gewünschte Ablagerung zu erzeugen.

Welche Temperatur hat die chemische Gasphasenabscheidung? (4 Schlüsseltemperaturen werden erklärt)

Die bei der CVD verwendete Temperatur kann je nach Anwendung variieren.

Welche Temperatur hat die chemische Gasphasenabscheidung? (4 Schlüsseltemperaturen werden erklärt)

1. Typische CVD-Temperaturen

Bei der typischen CVD-Beschichtung wird das Substrat bei niedrigen Temperaturen einem oder mehreren flüchtigen Vorläufersubstanzen mit hohem Dampfdruck ausgesetzt.

Diese Temperaturen reichen von 373-673 K (100-400 °C).

Bei den Vorläufern kann es sich um Chloride oder metallorganische Verbindungen handeln.

Die niedrige Temperatur wird gewählt, um sicherzustellen, dass die Vorstufen in der Gasphase vorliegen und leicht auf der Substratoberfläche reagieren können, um die gewünschte Ablagerung zu bilden.

2. Hohe Temperaturen bei der Öldestillation

Bei anderen Anwendungen, wie der Destillation von Öl oder der Verdampfung von Lösungsmitteln in einem Rotationsverdampfer, werden höhere Temperaturen verwendet.

In Kurzweg-Molekulardestillierapparaten mit Wischfolie, die für die Öldestillation verwendet werden, können die Temperaturen beispielsweise bis zu 343 Grad Celsius (650 Grad Fahrenheit) erreichen.Der typische Destillationstemperaturbereich liegt bei 130-180 Grad Celsius (266-356 Grad Fahrenheit).Bei diesen Systemen wird das Ausgangsmaterial oder das Lösungsmittel an der Wand der Verdampfungskammer verteilt und es bildet sich ein dünner Film. Die flüchtigeren Bestandteile verdampfen und werden getrennt aufgefangen, während die gewünschte Verbindung in einer kühleren, temperaturgesteuerten zentralen Kondensatoreinheit aufgefangen wird.

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